【PT9733NPN硅射频功率晶体管描述：该ASI PT9733是一个NPN功率晶体管设计用于25 V】,IC型号PT9733,PT9733 PDF资料,PT9733经销商,ic,电子元器件-51电子网

PT9733

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI PT9733

是一个NPN功率

晶体管设计用于25 V C类

地面站发射器，它利用

发射极平衡和黄金金属化

以提供最佳的VSWR性能。

包装样式0.380 4L螺柱

.112x45°

产品特点：

共发射极

= 6.0分贝在50W / 175兆赫

Omnigold

金属化系统

最大额定值

CES

EBO

DISS

英镑

8.0 A

60 V

4.0 V

85 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.1 ° C / W

暗淡

＃ 8-32 UNC -2A

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CES

VSWR

= 25毫安

= 50毫安

= 8.0毫安

= 25 V

= 10 V

= 28 V

= 10 W

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

2.0

单位

---

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

=50 W

F = 175 MHz的

150

6.0

∞

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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CES

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60 V

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= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.1 ° C / W

暗淡

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最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

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.175 / 4.45

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CES

EBO

CES

VSWR

= 25毫安

= 50毫安

= 8.0毫安

= 25 V

= 10 V

= 28 V

= 10 W

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

2.0

单位

---

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

=50 W

F = 175 MHz的

150

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