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技术数据表
5毫米硅光电晶体管T-1 3/4
PT534-6B
特点
Fast
响应时间
High
照片灵敏度
Pb
免费
说明
PT534-6B
是一个高速和高灵敏度的NPN型硅
光电晶体管成型为标准
φ5
mm封装。
由于其黑色环氧树脂装置是对可见光敏感，并
近红外辐射..
应用
Camera
Infrared
应用系统
设备选型指南
LED型号
PT
芯片
材料
硅
镜片颜色
黑
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： CDPT - 053-001
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2007年6月13日
REV 2
页次：1 7
wangyinsheng ：编制
PT534-6B
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸以毫米为单位
2.Tolerances除非尺寸
±0.1mm
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
工作温度
储存温度
引线焊接温度
在功率耗散（或
如下图）
25 ℃自由空气温度
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
TOPR
TSTG
TSOL
Pc
等级
30
5
20
-40 ~ +85
-40 ~ +100
260
75
单位
V
V
mA
℃
℃
℃
mW
注意事项：
* 1 ：焊接时间≦ 5秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： CDPT - 053-001
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2007年6月13日
REV 2
页次：2 7
wangyinsheng ：编制
PT534-6B
光电特性（Ta = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CE） （SAT）
t
r
t
f
V
CE
=5V
I
C
=1mA
RL=1000Ω
Ee=0mW/cm
2
V
CE
=20V
Ee=1mW/cm
2
V
CE
=5V
---
---
条件
I
C
=100μA
Ee=0mW/cm
2
I
E
=100μA
Ee=0mW/cm
2
I
C
=2mA
Ee=1mW/cm
2
民
30
5
---
典型值
---
---
---
最大单位
---
---
V
V
V
0.4
---
---
---
15
15
---
---
μS
---
100
nA
集电极暗电流
I
首席执行官
关于国家集电极电流
波长
峰值灵敏度
穰谱带宽
I
C（ ON）
λp
λ
0.5
0.7
1.2
---
mA
---
---
980
800-1200
---
---
nm
nm
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： CDPT - 053-001
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2007年6月13日
REV 2
第3页第7
wangyinsheng ：编制
PT534-6B
典型的光电特性曲线
Fig.1Collector功耗对比
环境温度
图2光谱灵敏度
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
50
75 85 100
1.0
TA = 25℃
0.8
0.6
0.4
0.2
0
700
800
900
1000 1100 1300
图3相对集电极电流与
环境温度
图4集电极电流 -
辐射
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40 50
60
70
2
100
C
10
1
0.1
0.01
0.5
1
1.5
2
3
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： CDPT - 053-001
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2007年6月13日
REV 2
页次：4 7
wangyinsheng ：编制
PT534-6B
典型的光电特性曲线
图5集电极暗电流与
环境温度
图6集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
10
14
12
10
10
10
8
6
10
4
2
10
0
25
50
75
100
0
0
1
2
3
4
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： CDPT - 053-001
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2007年6月13日
REV 2
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wangyinsheng ：编制
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