技术数据表
1.8毫米回合微型芯片光电晶体管
PT42-21B/TR8
特点
Fast
响应时间
High
照片灵敏度
Small
结电容
Package
在7 “直径卷筒12毫米磁带。
Pb
免费
The
产品本身将保持在RoHS兼容的版本。
说明
PT42-21B/TR8
在微型SMD封装光电晶体管
这是模制在一个黑色的塑料球形顶视图透镜。
该设备被频谱匹配到红外发光二极管。
应用
Miniature
开关
Counters
和分拣机
Position
传感器
Infrared
应用系统
设备选型指南
LED型号
PT
芯片
材料
硅
镜片颜色
黑
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
设备编号： DTT - 042-021
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
编制日期： 2005年10月25日
REV 2
页： 1的10
Jaine仔：编制
PT42-21B/TR8
包装尺寸
集热器
辐射源
1
2
注意事项：
1.所有尺寸以毫米为单位
2.Tolerances除非尺寸
±0.1mm
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
工作温度
储存温度
焊接温度
功率消耗在（或低于）
25 ℃自由空气温度
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
T
OPR
T
英镑
T
SOL
P
c
等级
30
5
20
-25 ~ +85
-40 ~ +85
260
75
单位
V
V
mA
℃
℃
℃
mW
注意事项：
* 1 ：焊接时间≦ 5秒。
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光电特性（Ta = 25 ℃ ）
参数
穰谱带宽
峰值灵敏度的波长
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极暗电流
符号
λ
0.5
λ
P
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CE （ SAT ）
I
首席执行官
条件
---
---
I
C
=100μA
Ee=0mW/cm
2
I
E
=100μA
Ee=0mW/cm
2
I
C
=2mA
ee值= 1米瓦/平方厘米
2
V
CE
=20V
Ee=0mW/cm
2
V
CE
=5V
EE = 1毫瓦/平方厘米
2
V
CE
=5V
I
C
=1mA
R
L
=1000Ω
民
730
---
30
典型值
---
940
---
最大
1100
---
---
单位
nm
nm
V
5
---
---
---
---
---
---
0.4
100
V
V
nA
关于国家集电极电流
上升时间
下降时间
I
C（ ON）
t
r
t
f
1.77
---
---
3.0
15
15
---
---
mA
μS
---
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典型的光电特性曲线
Fig.1Collector功耗对比
环境温度
图2光谱灵敏度
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
50
75 85 100
1.0
TA = 25℃
0.8
0.6
0.4
0.2
0
700
800
900
1000 1100 1300
图3相对集电极电流与
环境温度
图4集电极电流 -
辐射
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40 50
60
70
2
100
C
10
1
0.1
0.01
0.5
1
3
2
5
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典型的光电特性曲线
图5集电极暗电流与
环境温度
图6集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
0
14
12
10
8
6
4
2
25
25
50
50
75
75
100
100
0
0
1
2
3
4
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