MITSUMI
IC的CMOS系统复位PST31XX 34XX
IC的CMOS系统复位
单片IC PST31XX 34XX系列
概要
2004年3月12日
该IC是一个系统复位用CMOS工艺集成电路的发展。 0.25μA的超低消耗电流
（典型值） 。已通过使用CMOS工艺来实现的。此外，检测电压为高精度检测
的±2％。
特点
1.超低消耗电流
2.高精度检测电压
3.磁滞特性
4.工作范围
5，工作温度范围宽
6.电压检测
0.25μA （典型值） 。 （当V
DD
= VS + 1V ）
±2%
5 ％ （典型值） 。
0.95 ~ 10V
-30 ~ +85°C
2 6V （ 0.1V步）
包
SOT- 25A （ PST31XX ， PST32XX ）
SC- 82ABA ， SC- 82ABB （ PST33XX ， PST34XX ）
应用
1.微电脑， CPU ， MPU的复位电路
2.逻辑电路的复位电路
3.电池电压检测电路
4.后备电路的开关电路
5级检测电路
引脚分配
5
4
1
2
3
1
2
3
4
5
V
OUT
V
DD
V
SS
NC
4
3
1
2
1
2
3
4
V
OUT
V
DD
NC
V
SS
SOT-25A
（ TOP VIEW ）
SC-82ABA
SC-82ABB
（ TOP VIEW ）
MITSUMI
IC的CMOS系统复位PST31XX 34XX
操作描述
(1) V
DD
> VS ，V
OUT
：H （ M 1 ：开，M2，M3 ：关）
当V
DD
逐渐从上述状态下降时，检测电压为如下。
检测电压： （R1 + R2 + R3 ）/（ R2 + R3 ）V REF
(2) V
DD
< VS ，V
OUT
方法：L（ M 1 ：关， M2，M3 ： ON）的
当V
DD
逐渐从上述状态上升，释放电压如下。
释放电压= （R1 + R2 ）/（ R2 ）V REF
（ 3 ）滞后电压= （释放电压） - （检测电压） 。
（4）当V
DD
下降和低于最低工作电压，输出是不确定的;当输出
拉起，输出变为V
DD
.
（ 5 ） VREF和检测电阻器
1）基准电压源（ VREF ）本IC为0.8V （典型值） 。这给了出色的低功耗
和温度特性。
2）高电阻方法用于电阻R1，R2和R3 ，以实现低功耗的电流为
该IC 。
（ 6 ）通过电流瞬时检测和释放。当使用高V
DD
引脚阻抗的
通过电流可能引起振荡。
通过外部设置（举例）检测电压变化
*
该集成电路的输入电压波动因
*
通过电流R11的电压降，以及
的振荡状态下的检测和
释放时重复，可能会发生。
随着CMOS输出类型，不要因为使用
在左侧图中示出。
MITSUMI
CMOS系统复位PST3XXX
CMOS系统复位
单片IC PST3XXX系列
概要
该IC是一个系统复位用CMOS工艺集成电路的发展。 0.25μA的超低消耗电流
（典型值） 。已通过使用CMOS工艺来实现的。此外，检测电压为高精度检测
的±2％。
特点
（ 1 ）超低消耗电流
（2 ）高精度检测电压
（3 ）滞后特性
（ 4 ）经营范围
（ 5 ）工作温度范围宽
（ 6 ）检测电压
0.25μA （典型值） 。 （当V
DD
= VS + 1V ）
±2%
5 ％ （典型值） 。
0.95 ~ 10V
-30 ~ +85°C
2 6V （ 0.1V步）
包
SC- 82AB （ PST31XX ， PST32XX ）
SOT- 25 （ PST33XX ， PST34XX ）
应用
（ 1 ）微机， CPU ， MPU的复位电路
（ 2 ）逻辑电路的复位电路
（ 3）电池电压检测电路
（4）后备电路的开关电路
（ 5 ）电平检测电路
引脚分配
5
4
1
2
3
1
2
3
4
5
OUT
V
DD
V
SS
NC
4
3
1
2
1
2
3
4
OUT
V
DD
NC
V
SS
SC-82AB
SOT-25
MITSUMI
CMOS系统复位PST3XXX
操作描述
(1) V
DD
> VS ，V
OUT
：H （ M 1 ：开，M2，M3 ：关）
当V
DD
逐渐从上述状态下降时，检测电压为如下。
检测电压： （R1 + R2 + R3 ）/（ R2 + R3 ）V REF
(2) V
DD
< VS ，V
OUT
方法：L（ M 1 ：关， M2，M3 ： ON）的
当V
DD
逐渐从上述状态上升，释放电压如下。
释放电压= （R1 + R2 ）/（ R2 ）V REF
（ 3 ）滞后电压= （释放电压） - （检测电压） 。
（4）当V
DD
下降和低于最低工作电压，输出是不确定的;当输出
拉起，输出变为V
DD
.
（ 5 ） VREF和检测电阻器
1）基准电压源（ VREF ）本IC为0.8V （典型值） 。这给了出色的低功耗
和温度特性。
2）高电阻方法用于电阻R1，R2和R3 ，以实现低功耗的电流为
该IC 。
（ 6 ）通过电流瞬时检测和释放。当使用高V
DD
引脚阻抗的
通过电流可能引起振荡。
通过外部设置（举例）检测电压变化
*
该集成电路的输入电压波动因
*
通过电流R11的电压降，以及
的振荡状态下的检测和
释放时重复，可能会发生。
随着CMOS输出类型，不要因为使用
在左侧图中示出。
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