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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D186
PSS9014C
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代2002年的数据09月20日
2004年08月10日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
高功耗： 500毫瓦
低集电极电容
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力。
应用
通用的开关和放大。
1
手册， halfpage
PSS9014C
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
描述
NPN低V
CESAT
晶体管中的一个SOT54 （ TO-92 ）的塑料
封装。
2
3
1
2
3
MAM279
记号
类型编号
PSS9014C
标识代码
S9014C
Fig.1
简体外形（ SOT54 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2004年08月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
噪音科幻gure
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
分钟。
200
200
580
100
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气中;注1
价值
250
PSS9014C
单位
K / W
典型值。
300
300
200
815
650
220
1.6
马克斯。
15
5
100
100
600
450
300
850
700
1.75
10
单位
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
2004年08月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
PSS9014C
手册， halfpage
10
3
MLD927
手册， halfpage
10
4
MLD928
^ h FE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
10
2
10
10
2
1
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
V
CE
= 5 V.
I
C
/I
B
= 20.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
4
MLD929
手册， halfpage
10
4
MLD930
VBEsat
（毫伏）
10
3
VBE
（毫伏）
10
3
10
2
10
2
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 20.
Fig.4
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
2004年08月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
PSS9014C
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年08月10日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D186
PSS9014C
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代2002年的数据09月20日
2004年08月10日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
高功耗： 500毫瓦
低集电极电容
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力。
应用
通用的开关和放大。
1
手册， halfpage
PSS9014C
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
描述
NPN低V
CESAT
晶体管中的一个SOT54 （ TO-92 ）的塑料
封装。
2
3
1
2
3
MAM279
记号
类型编号
PSS9014C
标识代码
S9014C
Fig.1
简体外形（ SOT54 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2004年08月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
噪音科幻gure
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
分钟。
200
200
580
100
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气中;注1
价值
250
PSS9014C
单位
K / W
典型值。
300
300
200
815
650
220
1.6
马克斯。
15
5
100
100
600
450
300
850
700
1.75
10
单位
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
2004年08月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
PSS9014C
手册， halfpage
10
3
MLD927
手册， halfpage
10
4
MLD928
^ h FE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
10
2
10
10
2
1
10
1
1
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10
2
IC （MA ）
10
3
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
V
CE
= 5 V.
I
C
/I
B
= 20.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
4
MLD929
手册， halfpage
10
4
MLD930
VBEsat
（毫伏）
10
3
VBE
（毫伏）
10
3
10
2
10
2
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 20.
Fig.4
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
2004年08月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
PSS9014C
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年08月10日
5
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PAC150TFQR
PIC12F615-I/ST
PIC12F509TI/SN
P83C524FFA
PIC16C711-04/SP
PSD833F4V-15
PF24-34
P6KE43CA-T3
PSD813F1A-12J
PVA3324NS
PIC16LF1936-E/ML
PTV09A-4025U-A202
PQ60010QPA60NRS
PG2008
P7Z9AAB900W22
P4C164-10CWMBLF
PAL18P8NC
P74FCT652CTSO
PLL502-03SC
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