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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

PSS8050

NPN型中功率25 V晶体管

产品speci fi cation

2002年11月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率25 V晶体管

特点

高总功耗

高电流能力。

应用

中等功率开关和静音

放大器阳离子

便携式收音机输出放大器（ B类，推挽）。

描述

NPN晶体管在SOT54 （ TO- 92 ）塑料封装。

PNP补充： PSS8550 。

手册， halfpage

PSS8050

快速参考数据

符号

首席执行官

钉扎

针

集热器

BASE

辐射源

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

马克斯。

1.5

单位

记号

类型编号

PSS8050C

PSS8050D

标识代码

MSB033

S8050C

S8050D

Fig.1简化外形（ SOT54 ）。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

峰值电流基地

总功耗

AMB

≤

°C;

注1

AMB

≤

°C;

注2

AMB

≤

°C;

注3

英镑

AMB

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。

2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米

3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。脉冲下运行

条件：脉冲宽度t

≤

1秒;占空比

δ ≤

0.75%.

储存温度

结温

工作环境温度

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

马克斯。

1.5

300

850

900

+150

150

+150

°C

单位

2002年11月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率25 V晶体管

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气中;注1

在自由空气中;注意2

在自由空气中;注3

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。

PSS8050

价值

147

139

125

单位

K / W

2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米

3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。

脉冲条件下工作：脉冲宽度t

≤

1秒;占空比

δ ≤

0.75%.

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

PSS8050C

PSS8050D

CESAT

BESAT

BEON

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极导通电压

跃迁频率

集电极电容

= 800毫安;我

= 80毫安

= 800毫安;我

= 80毫安

= 10毫安; V

= 1 V

= 50毫安; V

= 10 V;

F = 100 MHz的

= 10 V ;我

= i

= 0; F = 1 MHz的

条件

= 35 V ;我

= 0

= 35 V ;我

= 0; T

AMB

= 150

°C

= 25 V ;我

= 0

= 6 V ;我

= 0

= 5毫安; V

= 1 V

= 800毫安; V

= 1 V

= 100毫安; V

= 1 V

120

160

100

165

200

300

500

1.2

兆赫

分钟。

典型值。

马克斯。

100

单位

2002年11月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率25 V晶体管

PSS8050

手册， halfpage

400

MLD946

手册， halfpage

1200

MLD947

的hFE

300

(1)

VBE

（毫伏）

1000

(1)

800

200

(2)

600

100

(3)

400

IC （MA ）

200

IC （MA ）

PSS8050C

= 1 V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

PSS8050C

= 1 V.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

MLD948

手册， halfpage

1400

MLD950

VBEsat

VCEsat晶体管

（毫伏）

1000

(1)

(2)

(1)

(2)

(3)

600

(3)

IC （MA ）

200

IC （MA ）

PSS8050C

= 10.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

PSS8050C

= 10.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2002年11月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率25 V晶体管

PSS8050

手册， halfpage

RCEsat

()

MLD949

2.5

手册， halfpage

(A)

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

MLD951

1.5

(1)

(3)

(2)

(8)

(9)

(10)

0.5

IC （MA ）

0.5

1.5

VCE （ V）

PSS8050C

(1) I

= 55 mA的电流。

(2) I

= 49.5毫安。

(3) I

= 44 mA的电流。

(4) I

= 38.5毫安。

(5) I

= 33 mA的电流。

(6) I

= 27.5毫安。

(7) I

= 22 mA的电流。

(8) I

= 16.5毫安。

(9) I

= 11 mA的电流。

(10) I

= 5.5毫安。

PSS8050C

= 10.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

Fig.6

等效导通电阻的函数

集电极电流;典型值。

Fig.7

集电极电流的一个函数

集电极 - 发射极电压;典型值。

2002年11月18日

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