LF
PA
K
PSMN9R5-30YLC
N沟道30 V 9.8 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
NextPower技术
第2版 - 2011年9月1日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平的增强型N沟道MOSFET中LFPAK封装。本产品是
在广泛的工业,通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高可靠性的电源SO8封装,
合格175℃
低寄生电感和
阻力
为优化利用4.5V栅极驱动器
NextPower超结技术
超低QG , QGD ,并为QOSS
高系统效率低和
高负荷
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
同步降压稳压器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
最大单位
30
44
34
175
V
A
W
°C
静态特性
10.3 12.1 m
8.3
9.8
m
恩智浦半导体
PSMN9R5-30YLC
快速参考数据
- 续
参数
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;
V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;
V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
民
-
典型值
1.6
最大单位
-
nC
N沟道30 V 9.8 mΩ的逻辑电平的LFPAK采用NextPower技术MOSFET
表1中。
符号
Q
GD
动态特性
Q
G( TOT )
总栅极电荷
-
5
-
nC
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 ( LFPAK ;电SO8 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN9R5-30YLC
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
PSMN9R5-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年9月1日
2 15
恩智浦半导体
PSMN9R5-30YLC
N沟道30 V 9.8 mΩ的逻辑电平的LFPAK采用NextPower技术MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD (M)的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM ( JEDEC JESD22- A115 )
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 44 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
150
-
-
-
最大
30
30
20
44
31
177
34
175
175
260
-
31
177
9
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
003aag180
50
I
D
(A)
40
120
P
DER
(%)
80
03na19
30
20
40
10
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN9R5-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年9月1日
3 15
恩智浦半导体
PSMN9R5-30YLC
N沟道30 V 9.8 mΩ的逻辑电平的LFPAK采用NextPower技术MOSFET
10
2
I
AL
(A)
(1)
003aag181
10
(2)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
(女士)
10
图3 。
10
3
I
D
(A)
10
2
单脉冲雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
003aag182
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
10
DC
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
100
μ
s
10
-1
10
-2
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN9R5-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年9月1日
4 15
恩智浦半导体
PSMN9R5-30YLC
N沟道30 V 9.8 mΩ的逻辑电平的LFPAK采用NextPower技术MOSFET
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
从结热阻安装基座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
4.14
最大
4.36
单位
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10
-1
P
003aag183
0.02
δ
=
tp
T
单发
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
tp
t
T
t
p
(s)
1
图5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN9R5-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年9月1日
5 15