D
D
D
D
D
R
A
R
R
R
R
A
A
A
A
PSMN9R0-30LL
版本01 - 2010年2月12日
FT
FT
FT
FT
D
R
R
A
FT
D
R
A
A
FT
D
N沟道QFN3333 30 V 9毫欧逻辑电平MOSFET
FT
D
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
A
FT
D
R
D
FT
目标数据表
FT
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
F
D
R
1.产品廓
1.1概述
R
在QFN3333封装逻辑电平N沟道MOSFET资格150 ℃。本产品是
广泛应用于工业，通信和电源的设计和合格的使用
供水设备。
R
A
FT
D
R
A
FT
D
A
FT
D
R
A
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
占用空间小的紧凑型设计
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
电池保护
的DC- DC转换器
负载开关
电源的ORing
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 40 A; V
SUP
≤
30 V;
松开;
GS
= 50
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 15 V ;看
图12
和
15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.5 A;
T
j
= 100 ℃;看
图10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.5 A;
T
j
= 25°C ;看
图11
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
30
21
50
150
32
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
2.9
20.6
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
-
8
11.9
9
m
m
D
D
D
D
恩智浦半导体
PSMN9R0-30LL
FT
FT
FT
N沟道QFN3333 30 V 9毫欧逻辑电平MOSFET
FT
FT
FT
D
D
D
R
R
R
A
A
A
FT
FT
D
R
A
FT
D
R
R
R
R
A
D
R
R
A
A
A
A
FT
D
D
R
R
A
A
A
FT
D
R
FT
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5,6,7,8
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
8 7 6 5
D
D
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
FT
R
A
F
R
A
FT
简化的轮廓
图形符号
D
D
D
R
A
FT
D
R
A
G
mbb076
S
1 2 3 4
透明
顶视图
SOT873-1 （ HVSON8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN9R0-30LL
HVSON8
描述
塑料的热增强型非常薄小外形封装;没有线索; 8
接线端子;身体3.3× 3.3× 0.85毫米
VERSION
SOT873-1
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≤
150 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
30
30
20
21
21
226
50
150
150
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
-
-
-
21
226
32
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 40 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源雪崩松开;
GS
= 50
能源
PSMN9R0-30LL_1
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目标数据表
版本01 - 2010年2月12日
2 13
D
D
D
D
恩智浦半导体
PSMN9R0-30LL
FT
FT
FT
N沟道QFN3333 30 V 9毫欧逻辑电平MOSFET
FT
FT
FT
D
D
D
R
R
R
A
A
A
FT
FT
D
R
A
FT
D
R
R
R
R
A
D
R
R
A
A
A
A
FT
D
D
R
R
60
I
D
(A)
003aae127
120
P
DER
(%)
80
003aab937
A
A
A
FT
D
R
D
FT
D
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
R
A
F
R
A
FT
D
FT
40
D
R
A
(1)
20
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(
°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的焊点温度功能
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
从热阻
路口安装
BASE
条件
民
-
典型值
[待定]
最大
[待定]
单位
K / W
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 ℃;看
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图8
和
9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55°C ;看
图8
I
DSS
I
GSS
漏极漏电流
栅极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
民
27
30
0.65
1.3
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.7
-
-
10
10
最大
-
-
-
2.15
2.45
1
100
100
单位
V
V
V
V
V
A
nA
nA
静态特性
PSMN9R0-30LL_1
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D
D
D
D
恩智浦半导体
PSMN9R0-30LL
FT
FT
FT
N沟道QFN3333 30 V 9毫欧逻辑电平MOSFET
FT
FT
FT
D
D
D
R
R
R
A
A
A
FT
FT
D
R
A
FT
D
R
R
R
R
A
D
R
R
A
A
A
A
FT
D
D
R
R
A
A
A
FT
D
R
FT
表6 。
符号
R
DSON
特征
- 续
参数
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.5 A;吨
j
= 100 ℃;看
图10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.5 A;吨
j
= 150 ℃;看
图10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.5 A;吨
j
= 25°C ;看
图11
民
-
-
-
-
典型值
-
14.4
8
1.46
D
D
最大
11.9
16.2
9
-
D
R
A
FT
D
单位
m
R
A
FT
D
R
m
m
R
A
F
R
A
FT
D
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
R
G
内部栅极电阻F = 1兆赫
（AC）的
总栅极电荷
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V ;看
图12
和
15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V ;看
图12
动态特性
Q
G（ TOT ）
-
-
-
-
-
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V ;看
图12
和
15
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V ;看
图12
和
15
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图13
-
-
-
-
-
V
DS
= 15 V ;
L
= 1.5
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
I
S
= 7.5 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图14
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT = 100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 15 V
-
-
-
20.6
18.6
3.4
1.9
1.4
2.9
2.6
1193
223
106
16
18
22
8
0.85
30
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
源极 - 漏极二极管
PSMN9R0-30LL_1
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D
D
D
D
恩智浦半导体
PSMN9R0-30LL
FT
FT
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N沟道QFN3333 30 V 9毫欧逻辑电平MOSFET
FT
FT
FT
D
D
D
R
R
R
A
A
A
FT
FT
D
R
A
FT
D
R
R
R
R
A
D
R
R
A
A
A
A
FT
D
D
R
R
60
g
fs
(S)
45
003aae132
30
I
D
(A)
003aae131
A
A
A
FT
D
R
D
FT
D
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
R
A
R
A
F
R
A
FT
D
FT
20
D
R
A
30
10
15
T
j
= 150
°C
T
j
= 25
°C
0
0
10
20
I
D
(A)
30
0
0
1
2
3
V
GS
(V)
4
图3 。
正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值
003aae133
图4 。
传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
80
003aae136
2000
C
（PF ）
1500
C
国际空间站
R
DSON
(mΩ)
60
C
RSS
1000
40
500
20
0
0
3
6
9
V
GS
(V)
12
0
0
5
10
15
V
GS
(V)
20
图5 。
输入和反向传输电容作为
栅 - 源电压，典型值的函数
图6 。
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
的栅极 - 源极电压;典型值
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