LF
PA
K
PSMN8R0-30YL
N沟道8.3 mΩ的30 V的TrenchMOS逻辑电平FET的LFPAK
第2版 - 2011年5月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态电阻
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
30
62
56
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
-
6.9
8.3
m
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V ;我
D
= 45 A; V
DS
= 15 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 45 A; V
DS
= 15 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 62 A; V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
-
-
4
9
-
-
nC
nC
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
-
-
21
mJ
恩智浦半导体
PSMN8R0-30YL
N沟道8.3 mΩ的30 V的TrenchMOS逻辑电平FET的LFPAK
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;
Power-SO8)
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN8R0-30YL
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
帝斯曼
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
峰值漏极 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 62 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
t
p
≤
25纳秒; F
≤
500千赫; ê
DS （ AL ）
≤
70 NJ;脉冲
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
35
30
20
44
62
247
56
175
175
62
247
21
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
PSMN8R0-30YL
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年5月16日
2 14
恩智浦半导体
PSMN8R0-30YL
N沟道8.3 mΩ的30 V的TrenchMOS逻辑电平FET的LFPAK
80
I
D
(A)
60
003aaf418
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aaf419
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
10
1毫秒
1
DC
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN8R0-30YL
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年5月16日
3 14
恩智浦半导体
PSMN8R0-30YL
N沟道8.3 mΩ的30 V的TrenchMOS逻辑电平FET的LFPAK
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
从结热阻安装基座
条件
SEE
图4
民
-
典型值
1.35
最大
2.7
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
003aaf420
1
δ
= 0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
单发
tp
P
δ
=
tp
T
t
T
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN8R0-30YL
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年5月16日
4 14
恩智浦半导体
PSMN8R0-30YL
N沟道8.3 mΩ的30 V的TrenchMOS逻辑电平FET的LFPAK
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
民
30
27
1.3
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图17
-
-
-
-
V
DS
= 15 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
-
-
-
V
DS
= 15 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
-
典型值
-
-
1.7
-
-
0.02
-
10
10
10.4
-
6.9
2.03
9
18.3
16.1
2.7
1.5
1.2
4
3.2
1005
200
102
15
29
21
8
最大
-
-
2.15
-
2.55
1
100
100
100
12.2
15
8.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
经测试， JEDEC标准适用。
静态特性
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图11 ;
SEE
图12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 °C;
SEE
图12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图12
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
I
D
= 45 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 45 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
动态特性
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极 - 源电荷
预阈值的栅 - 源
收费
后的阈值的栅 - 源
收费
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
D
= 45 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
PSMN8R0-30YL
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2011年5月16日
5 14
QQ：2880707522 复制
