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PSMN7R0-100PS
在TO220 N沟道100V 6.8 mΩ的标准电平MOSFET
版本02 - 2010年1月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在TO220封装的标准水平的N沟道MOSFET资格175℃ 。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
结温
民
-
-
-
-55
典型值
-
-
-
-
-
最大
100
100
269
175
315
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 50 V ;看
图14
和
17
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 50 V ;看
图17
和
14
-
36
-
nC
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 100 A; V
SUP
= 100 V;
松开;
GS
= 50
-
Q
G（ TOT ）
总栅极电荷
-
125
-
nC
恩智浦半导体
PSMN7R0-100PS
在TO220 N沟道100V 6.8 mΩ的标准电平MOSFET
快速参考
- 续
条件
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图13
民
-
-
典型值
-
5.4
最大
12
6.8
单位
m
m
表1中。
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
[1]
连续电流通过包装有限
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN7R0-100PS TO- 220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PSMN7R0-100PS_2
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产品数据表
版本02 - 2010年1月7日
2 16
恩智浦半导体
PSMN7R0-100PS
在TO220 N沟道100V 6.8 mΩ的标准电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
100
100
20
85
100
475
269
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
-
-
-
100
475
315
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
漏源雪崩V
SUP
= 100V ;松开;
GS
= 50
能源
[1]
连续电流通过包装有限
150
I
D
(A)
100
(1)
003aad558
120
P
DER
(%)
80
03aa16
50
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN7R0-100PS_2
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恩智浦半导体
PSMN7R0-100PS
在TO220 N沟道100V 6.8 mΩ的标准电平MOSFET
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
003aad559
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN7R0-100PS_2
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恩智浦半导体
PSMN7R0-100PS
在TO220 N沟道100V 6.8 mΩ的标准电平MOSFET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
SEE
图4
垂直于自由空气
民
-
-
典型值
0.3
60
最大
0.56
-
单位
K / W
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003A一D560
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-2
10
-3
s英格尔大热
t
p
T
t
10
-4
1e -6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s )
10
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN7R0-100PS_2
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PAL12H2XX
PDM41024LA17TSO
PA1269NL
P090L-03F20BR100K
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PSD835F1-90J
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