PSMN6R5-80PS
在TO220 N沟道80V 6.9mΩ标准水平MOSFET
牧师01 - 2010年3月9日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在TO220封装的标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
结温
民
-
-
-
-55
典型值
-
-
-
-
-
最大
80
100
210
175
700
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 40 V ;看
图14
和
15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图13
[2]
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 49 A; V
SUP
≤
80 V;
R
GS
= 50
;
松开
-
-
-
16
71
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
5.9
6.9
m
[1]
[2]
连续电流等级包是有限的。
测量了3毫米封装。
恩智浦半导体
PSMN6R5-80PS
在TO220 N沟道80V 6.9mΩ标准水平MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN6R5-80PS
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
80
80
20
82
100
470
210
175
175
100
470
700
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
非重复性的漏极 - 源V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 49 A; V
SUP
≤
80 V;
雪崩能量
R
GS
= 50
;
松开
[1]
连续电流等级包是有限的。
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PSMN6R5-80PS_1
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恩智浦半导体
PSMN6R5-80PS
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150
I
D
(A)
100
(1)
003aad362
120
P
DER
(%)
80
03aa16
50
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aad386
10
3
I
D
(A)
10
2
(1)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μs
100
μs
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
1
10
10
2
10
3
V
DS
(V)
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
民
-
典型值
0.4
最大
0.7
单位
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003aad247
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-2
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-3
单发
t
p
t
T
10
-4
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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在TO220 N沟道80V 6.9mΩ标准水平MOSFET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图10
和
11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图10
和
11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图10
和
11
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
R
G
内部栅极电阻F = 1兆赫
（AC）的
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V ;看
图15
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图16
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
[2]
民
75
80
1
-
2
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
5.9
0.75
最大
-
-
-
4.6
4
3
80
100
100
12.4
6.9
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
61
71
19
13.2
5.8
16
4.3
4502
412
221
26
24
57
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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