PSMN6R0-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本01 - 2008年9月10日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
73
55
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
-
3.08
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.8
6
m
恩智浦半导体
PSMN6R0-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
（ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
PSMN6R0-30YL
LFPAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; SOT669
4引线
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 73 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
51
73
292
55
150
150
73
292
26
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
PSMN6R0-30YL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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版本01 - 2008年9月10日
2 13
恩智浦半导体
PSMN6R0-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
80
I
D
(A)
60
003aac631
120
P
DER
(%)
80
03aa15
40
40
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
如图2归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac633
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μs
100
μs
10
1毫秒
1
DC
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN6R0-30YL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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版本01 - 2008年9月10日
3 13
PSMN6R0-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本03 - 2010年4月Januari
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
79
55
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
漏源
导通状态电阻
符号参数
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
R
DSON
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14
和
15
-
-
-
3.08
11
4.26
-
-
6
nC
nC
m
静态特性
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
恩智浦半导体
PSMN6R0-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN6R0-30YL
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
56
79
292
55
175
175
73
292
26
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 73 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
PSMN6R0-30YL_3
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2 14
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