PSMN5R6-100PS
N沟道100 V 5.6 mΩ的标准电平MOSFET
版本01 - 2009年11月23日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准水平的N沟道MOSFET采用TO -220封装资格175 ℃。本产品
被设计并在广泛的工业，通信中使用的要求，并
国产设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态电阻
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
100
306
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图11
和
12
-
4.3
5.6
m
[1]
Continious电流受包。
恩智浦半导体
PSMN5R6-100PS
N沟道100 V 5.6 mΩ的标准电平MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN5R6-100PS TO- 220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔;
3引脚TO- 220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
最大
100
100
20
95
100
539
306
175
175
100
539
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
Continious电流受包。
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150
I
D
(A)
(1)
100
003aad683
120
P
DER
(%)
80
03aa16
50
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aad702
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μ
s
100
μ
s
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
0.3
最大
0.49
单位
K / W
结点的热阻看
图4
安装底座
1
Z
th
（K / W）
10
1
003aad684
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
t
p
T
10
2
0.02
单发
P
δ
=
t
p
T
10
3
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
t
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
gsth
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图8
和
9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图9
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
12
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图17
I
S
= 25 A;迪
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 50 V
V
DS
= 50 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图15
和
16
V
DS
= 50 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图15
V
DS
= 50 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图15
和
16
V
DS
= 50 V ;
L
= 0.6
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 1.5
F = 1 MHz的
I
D
= 80 A; V
DS
= 50 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图13
和
14
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
141
36
43
8061
561
330
31
46
83
34
0.79
67
182
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
民
100
90
2
1
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
3
-
-
0.02
-
2
2
-
4.3
0.97
最大
-
-
4
-
4.6
1
500
100
100
15.7
5.6
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
PSMN5R6-100PS_1
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