【PSMN5R0-80PSN沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET牧师02 - 2009年6】,IC型号PSMN5R0-80PS,PSMN5R0-80PS PDF资料,PSMN5R0-80PS经销商,ic,电子元器件-51电子网

PSMN5R0-80PS

N沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET

牧师02 - 2009年6月23日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

在TO220封装的标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是

在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用

设备。

1.2特点和优点

高效率，由于低开关

与导通损耗

适用于标准水平栅极驱动

来源

1.3应用

的DC- DC转换器

负载开关

电机控制

服务器电源

1.4快速参考数据

表1中。

合计

快速参考

条件

= 25 ℃; V

= 10 V;

SEE

图1

= 25°C ;看

图2

民

典型值

最大

100

270

单位

漏 - 源电压

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 °C

漏电流

总功率

耗散

栅极 - 漏极电荷

符号参数

动态特性

= 10 V ;我

= 25 A;

= 40 V ;看

图14 ;

SEE

图15

= 10 V ;我

= 15 A;

= 25 °C;

[1]

静态特性

DSON

漏源

导通状态电阻

3.7

4.7

[1]

测量了3毫米封装。

恩智浦半导体

PSMN5R0-80PS

N沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET

2.管脚信息

表2中。

针

管脚信息

符号

描述

门

漏

来源

安装底座;连接

漏

简化的轮廓

图形符号

mbb076

1 2 3

SOT78

（ TO- 220AB ， SC- 46 ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PSMN5R0-80PS

TO-220AB;

SC-46

描述

VERSION

塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78

TO-220AB

类型编号

PSMN5R0-80PS_2

产品数据表

牧师02 - 2009年6月23日

2 13

恩智浦半导体

PSMN5R0-80PS

N沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET

4.极限值

表4 。

符号

DGR

合计

英镑

DS （ AL ）S

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源出电流

峰源电流

= 25 °C

≤

10微秒;脉冲;牛逼

= 25 °C

= 10 V ;牛逼

= 100 ℃;看

图1

= 10 V ;牛逼

= 25°C ;看

图1

≤

10微秒;脉冲;牛逼

= 25°C ;看

科幻gure 3

= 25°C ;看

图2

条件

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 °C

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 ℃;

= 20 k

民

-20

-55

最大

100

598

270

175

100

598

396

单位

°C

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

不重复

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25°C ;我

= 100 A; V

SUP

≤

80 V;

漏源雪崩

= 50

;

松开

能源

150

(A)

100

(1)

003aad078

120

DER

(%)

03aa16

100

150

(°C)

200

100

150

(°C)

200

图1 。

连续漏极电流的一个函数

安装基座的温度

图2 。

归一化的总功耗为

的安装基座温度功能

PSMN5R0-80PS_2

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恩智浦半导体

PSMN5R0-80PS

N沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET

(A)

(1)

003aad299

性限R

DSON

= V

/ I

μs

100

μs

1毫秒

10毫秒

100毫秒

-1

(V)

图3 。

安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

5.热特性

表5 。

符号

日（ J- MB ）

热特性

参数

条件

民

典型值

0.3

最大

0.56

单位

K / W

自从看到热阻

图4

路口安装

BASE

日（ J- MB ）

（K / W）

-1

003aad080

= 0.5

0.2

0.1

0.05

-2

0.02

-3

单发

-4

-6

-5

-4

-3

-2

-1

(s)

图4 。

瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型

值

PSMN5R0-80PS_2

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4 13

恩智浦半导体

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N沟道80 V 4.7 mΩ的标准电平MOSFET

6.特性

表6 。

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

特征

参数

漏源

击穿电压

门极 - 源

电压

条件

= 250 μA ; V

= 0 V ;牛逼

= -55 °C

= 250 μA ; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= 1毫安; V

= V

; T

= 175 °C;

SEE

图11 ;

SEE

图12

= 1毫安; V

= V

; T

= -55 °C;

SEE

图11 ;

SEE

图12

= 1毫安; V

= V

; T

= 25 °C;

SEE

图11 ;

SEE

图12

DSS

GSS

DSON

漏极漏电流

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

= 80 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= 80 V; V

= 0 V ;牛逼

= 125 °C

= -20 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= 20 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= 10 V ;我

= 15 A;牛逼

= 100 °C;

SEE

图13

= 10 V ;我

= 15 A;牛逼

= 25 °C

内部栅极电阻F = 1兆赫

（AC）的

总栅极电荷

= 0 ; V

= 0 V; V

= 10 V

= 25 A; V

= 40 V; V

= 10 V;

SEE

图14 ;

SEE

图15

GS （ TH）

GS （ TH- PL ）

GS （ PL ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

栅极 - 源电荷

预阈

栅极 - 源电荷

后门槛

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅源高原

电压

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

= 12 V ;

= 0.5

;

= 10 V;

G（ EXT ）

= 4.7

= 25 A; V

= 40 V

= 12 V; V

= 0 V ; F = 1兆赫;

= 25°C ;看

图16

= 25 A; V

= 40 V; V

= 10 V;

SEE

图14 ;

SEE

图15

[2]

民

典型值

3.7

0.95

最大

4.6

150

100

4.7

单位

静态特性

动态特性

G（ TOT ）

101

4.2

6793

913

350

PSMN5R0-80PS_2

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5 13

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批号

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