D2
PA
K
PSMN5R0-80BS
N沟道80 V，在D2PAK 5.1 mΩ的标准电平MOSFET
第1版 - 2012年3月20日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT404封装标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品
被设计并在广泛的工业，通信中使用的要求，并
国产设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏源导通电阻V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图13 ;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
E
DS （ AL ）S
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 40 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
-
-
-
21
101
-
-
-
396
nC
nC
mJ
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
7.19
4.36
最大
80
100
270
175
8.5
5.1
单位
V
A
W
°C
m
m
静态特性
雪崩耐用性
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
80 V ;
GS
= 50
;
松开
[1]
连续电流通过包装有限
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
[1]
来源
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
2
1
3
SOT404 （ D2PAK ）
[1]
这是无法接受的连接销2
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN5R0-80BS
D2PAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3导致SOT404
（ 1铅裁剪）
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
PSMN5R0-80BS
类型编号
PSMN5R0-80BS
PSMN5R0-80BS
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5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
80 V ;
GS
= 50
;
松开
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
最大
80
80
20
100
100
598
270
175
175
260
100
598
396
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过包装有限
150
I
D
(A)
100
(1)
003aad078
120
P
DER
(%)
80
03aa16
50
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
3
I
D
(A)
10
2
(1)
003aad299
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
100
μs
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
SEE
图4
最小的足迹;安装在一
印刷电路板
民
-
-
典型值
0.3
50
最大
0.56
-
单位
K / W
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003aad080
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-2
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-3
单发
10
-4
10
-6
t
p
T
t
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型
值
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