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I2P
AK
PSMN5R0-100ES
在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET
第3版 - 2011年9月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准水平的N沟道MOSFET的I2PAK包装合格175 ℃。本产品
被设计并在广泛的工业,通信中使用的要求,并
国产设备。
1.2特点和优点
高效率,由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 100 ℃;看
图12 ;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图13
动态特性
Q
GD
Q
G( TOT )
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
V
GS
= 10 V ;我
D
= 75 A;
V
DS
= 50 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
I
D
= 120 A; V
SUP
100 V;
R
GS
= 50
;
松开
-
-
49
170
-
-
nC
nC
[2]
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
-
-
-
-55
-
典型值
-
-
-
-
7.7
最大单位
100
120
338
175
9
V
A
W
°C
m
静态特性
-
4.3
5
m
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
漏源雪崩
能源
-
-
537
mJ
恩智浦半导体
PSMN5R0-100ES
在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET
[1]
[2]
连续电流限制的包。
测量了3毫米封装。
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
来源
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3
SOT226 ( I2PAK )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PSMN5R0-100ES
I2PAK
描述
塑料单端封装( I2PAK ) ; TO- 262
VERSION
SOT226
类型编号
PSMN5R0-100ES
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产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
PSMN5R0-100ES
在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD (M)的
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 120 A;
V
SUP
100 V ;
GS
= 50
;
松开
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
脉冲;吨
p
10微秒;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
最大
100
100
20
110
120
622
338
175
175
260
120
622
537
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流限制通过包装
200
I
D
(A)
160
003aaf735
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
(1)
80
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
2
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
003aaf734
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
1
10
10
2
10
3
1
10
-1
10
-1
V
DS
(V)
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
从结热阻安装基座
从结点到环境的热阻
条件
SEE
图4
垂直于自由空气
-
-
典型值
0.22
60
最大
0.44
-
单位
K / W
K / W
1
Z
日( J- MB )
(K / W)
d = 0.5
10
-1
003aaf733
0.2
0.1
0.05
10
-2
0.02
单发
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
T
t
P
=
t
p
T
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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    -
    -
    -
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