LF
PA
K
PSMN3R7-25YLC
N沟道25 V 3.9 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
NextPower技术
版本01 - 2011年5月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平的增强型N沟道MOSFET中LFPAK封装。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高可靠性的电源SO8封装，
合格175℃
低寄生电感和
阻力
为优化利用4.5V栅极驱动器
NextPower超结技术
超低QG ， QGD和QOSS高
系统的效率在低速和高
负载
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电源的OR-ing
服务器电源
同步整流
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
最大单位
25
97
64
175
V
A
W
°C
m
m
静态特性
4.25 5.1
3.3
3.9
恩智浦半导体
PSMN3R7-25YLC
N沟道25 V 3.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
快速参考数据
- 续
参数
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
民
-
-
典型值
3
最大单位
-
nC
nC
表1中。
符号
Q
GD
Q
G（ TOT ）
动态特性
10.1 -
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;电SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN3R7-25YLC
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
3C725L
类型编号
PSMN3R7-25YLC
[1]
％ =占位符的生产基地代码
PSMN3R7-25YLC
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恩智浦半导体
PSMN3R7-25YLC
N沟道25 V 3.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM （ JEDEC JESD22- A115 ）
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 98 A;
V
SUP
≤
25 V ;松开;
GS
= 50
;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
310
-
-
-
最大
25
25
20
97
68
387
64
175
175
260
-
58
387
24
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
120
I
D
(A)
100
003A A F 855
120
P
DER
(%)
80
03na19
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
T
mb
( C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN3R7-25YLC
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恩智浦半导体
PSMN3R7-25YLC
N沟道25 V 3.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
10
3
I
AL
(A)
10
2
003A A F 869
(1)
10
(2)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图3 。
10
4
I
D
(A)
10
3
单脉冲雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
003aaf856
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
2
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
10
DC
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN3R7-25YLC
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N沟道25 V 3.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
2.14
最大
2.34
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
单发
10
-2
1e-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
P
003aaf857
1
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
t
p
(s)
1
图5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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NextPower 25 V & 30 V MOSFET的
在LFPAK （电SO8 ）
恩智浦推出了一系列高性能
N沟道，在LFPAK逻辑电平MOSFET
作为电源设计工程师，妥协是从来没有远离你的头脑。难道我选择一个低R
DS （ ON）
装置和接受
较高的输出电容？我要求的最低栅极电荷特性来降低开关损耗，但随后发现
该封装选项已不再适合我的应用程序？
恩智浦MOSFET的NextPower范围提供了跨六个最重要的独特的平衡特性
参数您最新的高效率和高可靠性的设计至关重要。更高的性能，更低的妥协...
许多竞争对手只注重优化
DS （ ON）
和Q
g
。为Q
g
越低则由于Q的损失
OSS
和Q
gd
变
更显著。 NextPower采用超结技术，提供低R之间的最佳平衡
DS （ ON）
低
Q
OSS
，低Q
G（ TOT ）
和Q
gd
为获得最佳的开关性能。 NextPower提供卓越的SOA性能和
低Q
OSS
降低输出之间的损失DRAIN &源终端。 NextPower还提供了低R
DS （ ON）
与子1MΩ类型在两个25 V和30 V.
LFPAK封装提供了坚固的电源开关在紧凑型5 ×6mm的足迹与其他兼容
电源SO8供应商。 LFPAK的独特优势使其成为最佳的解决方案选择，为要求苛刻的应用或
高可靠性是必需的。它还允许目视检查，减少了昂贵的X射线设备，以检测
焊接缺陷中是常见的QFN风格的电SO8封装。
重点班妮科幻TS
}
高效率的电源开关应用
}
行业的低R
DS （ ON）
电源SO8 - 小于1MΩ
在25 V和30 V
}
低Q
OSS
排水&的减产损失
来源
}
低Q
gd
为降低开关损耗和高频
开关
}
20 V额定GATE提供了更好的耐受电压
瞬态比横向MOSFET类型
}
高级“安全工作区”的表现相比，
其他沟道MOSFET供应商
}
优化的4.5 V门极驱动电压
}
在轻&沉重最佳的开关性能
负载条件
}
LFPAK封装与其他厂商的兼容性
电源SO8类型
}
消除了昂贵的X射线检测 - LFPAK焊点
可光学检测
主要应用领域
}
同步降压型稳压器
}
DC- DC转换器
}
稳压器模块（ VRM ）
}
电源的OR-ing
2
NextPower的MOSFET - 请访问我们的www.nxp.com/mosfets
超结技术的优势
许多供应商集中在两个有利指标定义时， MOSFET的性能，但这只是讲述故事的一部分。
下面的蜘蛛图显示NextPower的与领先的MOSFET供应商的相对表现，比较
需要高性能&高可靠性的开关应用的六个最重要的MOSFET参数。该
图形的外边缘代表“最好的一流的性能，同时得分朝向图的中央
代表一个弱点。
}
低R
DS （ ON）
给我低
2
损失和优越的性能
在同步FET或电源使用时的OR-ing应用
}
低Q
OSS
给出的漏极之间减小的损失
由于存储在能量&源极端
输出电容（C
OSS
）被浪费掉了，每当
跨接在输出端子上的电压变化
}
SOA的性能提供了宽容超载&故障
条件。图中示出了所允许的最大
当前为1毫秒脉冲在V
DS
=10 V
}
低米勒电荷（Q
GD
）为减少开关损耗
MOSFET的漏极&源极之间时，
MOSFET的导通或关闭
}
低栅极电荷（Q
G
）给出了在栅极减少损耗
驱动电路，因为需要较少的能量来转动
MOSFET ON OFF &
}
出众的结温额定值，T
J（下最大）
，证明了
LFPAK是最坚固的电源SO8封装。
LFPAK是苛刻环境的最佳选择
及需要高可靠性
NextPower技术与主要竞争对手的比较类型
RDS（ON） MAX
@ VGS = 4.5 V
Q
OSS
FOM
T
J（下最大）
恩智浦
竞争对手A
竞争对手B
SOA评级
结合Q
G
＆放大器;
Q
GD
FOM
NextPower的MOSFET - 请访问我们的www.nxp.com/mosfets
3
超接面技术
NextPower的MOSFET使用“超结”硅技术
提供低R之间的最佳平衡
DS
，低Q
G（ TOT ）
,
低
Q
GD
高SOA性能和低C
OSS
在25 V和30 V.
超结技术结合了横向的好处
MOSFET （低Q
G（ TOT ）
和低Q
GD
）用的一个好处
沟槽MOSFET （低R
DS （ ON）
和20 V坚固的门栅评级）
产生了独特的平衡规范。
NextPower使用不同的优化平衡
在MOSFET的电阻元件，以实现较低的
导通电阻为每一个细胞。该单元电阻低，意味着
NextPower类型通常需要细胞比竞争对手少
装置来实现相同的R-
DS （ ON）
,
和下部细胞计数
提供较低的Q
G（ TOT
)
，低Q
GD
，低C
OSS
和卓越的'安全
操作区'的耐用性。
来源
n+
门
对体
NextPower技术采用p型
支柱，以改善击穿
电压在截止状态，并且一个重
掺杂的n型漂移区，以实现
极低的导通电阻。
由于较少的细胞是必需的，以
达到一个给定的R
DS
等级，然后门
电荷（Q
G
） ，米勒电荷（Q
GD
),
输出电容（C
OSS
）都
减少和最佳的耐用性
（由安全工作区表示
特性）来实现的。
n型
p型
漂移区PILLARS
漏
NextPower类型 - 参数数据
下面显示的25 V和30 V类型建议同步降压稳压器，在低R
DS （ ON）
类型也是高度
推荐电源OR- ing应用，低压隔离式电源拓扑。
25 V NextPower类型
TYPE
电压（V）的
R
DS （ ON）
典型值
V
GS
= 4.5 V （ MΩ）
0.95
1.2
1.35
2
2.2
2.6
3.45
3.7
4.25
4.5
Q
G
（典型值）
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
51
39
31
28
27
18
16
14
10.1
10.9
Q
GD
（典型值）
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
14
11
8.3
7.8
7.4
5.2
4.4
4
3
3.5
C
OSS
（PF ）
1437
1121
994
880
761
617
501
462
370
354
PSMN0R9-25YLC
PSMN1R1-25YLC
PSMN1R2-25YLC
PSMN1R7-25YLC
PSMN1R9-25YLC
PSMN2R2-25YLC
PSMN2R9-25YLC
PSMN3R2-25YLC
PSMN3R7-25YLC
PSMN4R0-25YLC
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
4
NextPower的MOSFET - 请访问我们的www.nxp.com/mosfets
30 V NextPower类型
TYPE
电压（V）的
R
DS （ ON）
典型值
V
GS
= 4.5 V （ MΩ）
1.1
1.35
1.65
2.3
3.1
3.75
4.25
4.75
5.1
Q
G
（典型值）
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
50
38
30
26
18
14.2
14
11
9.6
Q
GD
（典型值）
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
14.6
11.6
8.6
8
5.5
4.1
4.2
3.5
2.85
C
OSS
（PF ）
1210
977
860
651
549
432
380
316
288
PSMN1R0-30YLC
PSMN1R2-30YLC
PSMN1R5-30YLC
PSMN2R2-30YLC
PSMN2R6-30YLC
PSMN3R2-30YLC
PSMN3R7-30YLC
PSMN4R1-30YLC
PSMN4R5-30YLC
30
30
30
30
30
30
30
30
30
标杆
比较NXP NextPower与恩智浦沟6技术
基准测试NextPower类型显示了1 ％的效率增益相比，相当于海沟6种类型：
30 V NextPower类型
TYPE
PSMN1R5-30YL
PSMN1R5-30YLC
PSMN4R0-30YL
PSMN4R5-30YLC
=&G$3H"
)
XYW
!
XYW
!
XYW
!
XYW
!
IJ0C&4E$F9
)
= K ， LMN< = ）
OKC$F9E
)
= K ， LMN< = ）
用友！
R
DS （ ON）
典型值
U\!
V
GS
= 4.5 V （ MΩ）
f5f
1.8
!
f5\!
OKPC$F9E
)
= K ， LMN< = ）
V5f!
]!
8 + ,, C $ F9E ）
电压
U5X
(V)
!
30
] !
30
30
30
U5V
!
Q
G
（典型值）
TVVY ！
\\ VT ！
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
36
30
18
9.6
BGF ！
U]] !
Q
GD
（典型值）
V
GS
= 4.5 V （ NC ）
8.7
8.6
4.3
2.85
C
OSS
（PF ）
1082
860
469
288
V5T
!
1.65
3.7
5.1
U5]!
U5]V
!
测试条件
}
输入电压： 12 V
}
输出电压： 1.2 V
}
1期
}
频率： 500千赫
}
风量： 200 LFM
效率
NextPower ： PSMN4R5-30YLC / PSMN1R5-30YLC
海沟6 ： PSMN4R0-30YL / PSMN1R5-30YL
0
5
10
15
20
25
30
I
负载
（安培）
NextPower的MOSFET - 请访问我们的www.nxp.com/mosfets
5
QQ：2880707522 复制
