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PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师12月3日至31日2009
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
100
74
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14
和
15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25 °C
-
-
5
19
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
2.43
3.5
m
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN3R5-30YL
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
86
100
447
74
175
175
100
447
54
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
[1]
连续电流通过封装的限制。
PSMN3R5-30YL_3
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师12月3日至31日2009
2 14
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
I
D
(A)
100
(1)
003aad989
120
P
DER
(%)
80
03aa16
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac731
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μ
s
100
μs
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN3R5-30YL_3
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师12月3日至31日2009
3 14
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
民
-
典型值
0.6
最大
1.68
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
003aac717
0.2
0.1
10
-1
P
δ
=
t
p
T
0.05
0.02
t
p
t
T
10
-2
10
-6
单发
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN3R5-30YL_3
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产品数据表
牧师12月3日至31日2009
4 14
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 20 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;吨
av
= 100纳秒
V
GS （ TH）
门极 - 源
电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图11
和
12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 ℃;看
图12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55°C ;看
图12
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14
和
15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 10 V ;看
图14
和
15
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
V
DS
= 12 V ;看
图14
和
15
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图16
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14
和
15
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19
37
41
6
4
2
5
2.4
2458
532
252
33
50
45
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
30
27
35
1.3
0.65
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
3.37
-
2.43
0.53
最大
-
-
-
2.15
-
2.45
1
100
100
100
4.61
6
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
PSMN3R5-30YL_3
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NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师12月3日至31日2009
5 14
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师01 - 二零零八年十月十四日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
100
74
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
动态特性
Q
GD
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
-
5
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
2.2
3.5
m
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
（ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
PSMN3R5-30YL
LFPAK
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1 ;
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
79
100
447
74
150
150
100
447
54
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
[1]
连续电流通过封装的限制。
PSMN3R5-30YL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
牧师01 - 二零零八年十月十四日
2 13
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
I
D
(A)
100
003aac712
120
P
DER
(%)
80
03aa15
(1)
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac731
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μ
s
100
μs
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN3R5-30YL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
牧师01 - 二零零八年十月十四日
3 13
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
0.6
最大
1.68
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
003aac717
0.2
0.1
10
-1
P
δ
=
t
p
T
0.05
0.02
t
p
t
T
10
-2
10
-6
单发
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN3R5-30YL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
牧师01 - 二零零八年十月十四日
4 13
恩智浦半导体
PSMN3R5-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图10 ;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 ℃;看
图10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55°C ;看
图10
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 150 ℃;看
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图12
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V ;看
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 10 V ;看
图14 ;
SEE
图15
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
PSMN3R5-30YL_1
民
30
27
1.3
0.65
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
3.18
-
2.2
0.53
19
37
41
6
4
2
5
2.4
2458
532
252
33
50
45
18
最大
-
-
2.15
-
2.45
1
100
100
100
5.6
6
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
静态特性
动态特性
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
-
-
-
-
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
-
-
-
-
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初步数据表
牧师01 - 二零零八年十月十四日
5 13
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PL34220191000CHDX
PAL16X1VC
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PI6C487016FBE
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