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PSMN3R3-40YS
N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ的标准电平MOSFET
牧师01 - 2010年3月8日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在LFPAK封装标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
先进的TrenchMOS提供低
导通电阻和低栅极电荷
高效率提升开关
电源转换器
改进的机械性能和热
特征
LFPAK提供的最大功率
密度在电力SO8封装
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
40 V;
松开;
GS
= 50
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 20V;看
图14
和
15
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
40
100
117
175
162
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
11.2
49
-
-
nC
nC
恩智浦半导体
PSMN3R3-40YS
N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ的标准电平MOSFET
快速参考
- 续
条件
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图13
民
-
-
典型值
-
2.6
最大
4.5
3.3
单位
m
m
表1中。
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号
G
S
S
S
D
描述
门
来源
来源
来源
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN3R3-40YS
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
PSMN3R3-40YS_1
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目标数据表
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恩智浦半导体
PSMN3R3-40YS
N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ的标准电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
40
40
20
97
100
546
117
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
-
-
-
100
546
162
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A; V
SUP
≤
40 V;
漏源雪崩松开;
GS
= 50
能源
150
I
D
(A)
003aae208
120
P
DER
(%)
80
03aa16
100
(1)
50
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN3R3-40YS_1
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恩智浦半导体
PSMN3R3-40YS
N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ的标准电平MOSFET
10
3
I
D
(A)
10
2
003aae209
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
1毫秒
DC
1
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN3R3-40YS_1
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恩智浦半导体
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N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ的标准电平MOSFET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
民
-
典型值
0.54
最大
1.28
单位
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003aae210
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
δ
=
t
p
T
单发
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型
值
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