PSMN2R7-30PL
N沟道30 V 2.7 mΩ的逻辑电平MOSFET
版本01 - 2010年2月26日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在TO220封装的逻辑电平N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载switiching
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏电流
总功率
耗散
结温
民
-
-
-
-55
典型值
-
-
-
-
-
最大
30
100
170
175
300
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 15 V;
SEE
图14
和
15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
[2]
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
30 V;
R
GS
= 50
;
松开
-
-
-
8
32
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
2.3
2.7
m
[1]
[2]
连续电流通过封装的限制。
测量了3毫米封装。
恩智浦半导体
PSMN2R7-30PL
N沟道30 V 2.7 mΩ的逻辑电平MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN2R7-30PL
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PSMN2R7-30PL_1
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N沟道30 V 2.7 mΩ的逻辑电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
100
100
730
170
175
175
100
730
300
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
[1]
连续电流通过封装的限制。
200
I
D
(A)
150
003aad358
120
P
DER
(%)
80
03aa16
(1)
100
40
50
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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N沟道30 V 2.7 mΩ的逻辑电平MOSFET
10
3
10
μs
I
D
(A)
10
2
(1)
003aad382
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
100
μs
DC
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
0.54
最大
0.88
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
1
Z
日（ J- MB ）
δ
= 0.5
（K / W）
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
003aad355
δ
=
t
p
T
10
-3
单发
t
p
T
t
10
-4
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型
值
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N沟道30 V 2.7 mΩ的逻辑电平MOSFET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图10
和
11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图11
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
V
DS
= 15 V
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
I
D
= 25 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14
和
15
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
66
60
32
12
6.4
5.6
8
2.7
3950
820
360
46
80
75
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
[2]
民
30
27
1.3
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
2.9
-
2.3
1
最大
-
-
2.15
-
2.45
2
60
100
100
3.6
3.5
2.7
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
PSMN2R7-30PL_1
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