LF
PA
K
PSMN1R7-25YLC
N沟道25 V 1.9 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
NextPower技术
版本01 - 2011年5月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平的增强型N沟道MOSFET中LFPAK封装。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高可靠性的电源SO8封装，
合格175℃
低寄生电感和
阻力
为优化利用4.5V栅极驱动器
NextPower超结技术
超低QG ， QGD和QOSS高
系统的效率在低速和高
负载
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电源的OR-ing
服务器电源
同步整流
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
符号参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
民
-
-
-
-55
典型值
-
-
-
-
2
最大单位
25
100
164
175
2.5
V
A
W
°C
m
m
静态特性
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
-
-
1.55 1.9
恩智浦半导体
PSMN1R7-25YLC
N沟道25 V 1.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
快速参考数据
- 续
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
民
-
-
典型值
7.8
28
最大单位
-
-
nC
nC
表1中。
符号参数
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
[1]
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
连续电流通过包装有限
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;电SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN1R7-25YLC
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
1C725L
类型编号
PSMN1R7-25YLC
[1]
％ =占位符的生产基地代码
PSMN1R7-25YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2011年5月2日
2 15
恩智浦半导体
PSMN1R7-25YLC
N沟道25 V 1.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM （ JEDEC JESD22- A115 ）
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
25 V ;松开;
GS
= 50
;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
670
-
-
-
最大
25
25
20
100
100
894
164
175
175
260
-
100
894
149
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过包装有限
I
D
(A)
240
210
180
003aaf810
120
P
DER
(%)
80
03na19
150
120
(1)
90
60
30
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
NXP B.V. 2011保留所有权利。
PSMN1R7-25YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
产品数据表
版本01 - 2011年5月2日
3 15
恩智浦半导体
PSMN1R7-25YLC
N沟道25 V 1.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
10
3
I
AL
(A)
10
2
(1)
003A A F 824
10
(2)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图3 。
10
4
I
D
(A)
10
3
单脉冲雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
003aaf811
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
10
2
100
μ
s
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN1R7-25YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2011年5月2日
4 15
恩智浦半导体
PSMN1R7-25YLC
N沟道25 V 1.9 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
0.78
最大
0.92
单位
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
003aaf812
单发
δ
=
t
p
T
t
p
t
T
10
-3
1e-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN1R7-25YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2011年5月2日
5 15
QQ：2881677436 复制
