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PSMN1R5-25YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本01 - 2009年6月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
工业和通信应用。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
D类放大器
的DC- DC转换器
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
25
100
109
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25 °C
-
9.2
-
nC
Q
G（ TOT ）
总栅极电荷
-
36
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
1.13
1.5
m
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
PSMN1R5-25YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
（ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN1R5-25YL
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
25
25
20
100
100
815
109
150
150
100
815
290
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
[1]
连续电流通过封装的限制。
PSMN1R5-25YL_1
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产品数据表
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2 13
恩智浦半导体
PSMN1R5-25YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
250
I
D
(A)
200
003aac900
120
P
DER
(%)
80
03aa15
150
100
(1)
40
50
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac901
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μs
10
2
(1)
100
μs
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
10
2
1
10
-1
1
V
DS
(V)
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN1R5-25YL_1
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恩智浦半导体
PSMN1R5-25YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
0.5
最大
1.1
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
10
-1
003aac456
0.2
0.1
0.05
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-2
单发
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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恩智浦半导体
PSMN1R5-25YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图11 ;
SEE
图12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 °C;
SEE
图12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图12
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
V
DS
= 12 V ;看
图14
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
71
36
12.3
7.8
4.5
9.2
2.4
4830
1280
465
50
97
72
36
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
25
22
1.3
0.65
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
1.61
-
1.13
0.77
最大
-
-
2.15
-
2.45
1
100
100
100
2.2
2.6
1.5
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
PSMN1R5-25YL_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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PL34120191000GDDC
PKB0804-471
P6KE15A-G
PSD4235G2V-12UT
PE8-SERIES
P4C1981L-35DC
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