PSMN045-80YS
N沟道LFPAK 80 V 45 mΩ的标准电平MOSFET
版本01 - 2010年3月19日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在LFPAK封装标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
先进的TrenchMOS提供低
导通电阻和低栅极电荷
高效率提升开关
电源转换器
改进的机械性能和热
特征
LFPAK提供的最大功率
密度在电力SO8封装
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 22 A; V
SUP
≤
80 V;
R
GS
= 50
;
松开
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 40 V;
SEE
图14
和
15
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
80
24
56
175
18
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
3.1
12.5
-
-
nC
nC
恩智浦半导体
PSMN045-80YS
N沟道LFPAK 80 V 45 mΩ的标准电平MOSFET
快速参考
- 续
条件
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 100 ℃;看
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 25 °C
民
-
-
典型值
-
37
最大
72
45
单位
m
m
表1中。
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN045-80YS
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
PSMN045-80YS_1
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4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
80
80
20
17
24
86
56
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
-
-
-
24
86
18
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 22 A; V
SUP
≤
80 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
30
I
D
(A)
20
001aal626
120
P
DER
(%)
80
03aa16
10
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
μs
003aad301
10
100
μs
1
DC
1毫秒
10
-1
10毫秒
100毫秒
10
-2
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
1.9
最大
2.7
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10
1
0.02
P
001aal675
δ
=
t
p
T
单发
10
2
10
6
t
p
T
t
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图11
和
12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图11
和
12
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图12
和
11
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 25 °C
R
G
内部栅极电阻F = 1兆赫
（AC）的
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 40 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V ;看
图14
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A; V
DS
= 40 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
民
73
80
1
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
37
2
最大
-
-
-
4.6
4
1
15
100
100
103
72
45
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
12.5
3.8
1.9
1.9
3.1
5.2
633
100
50
9.2
4.6
18
4.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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