【PSMN035-150PN沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET牧师04 -】,IC型号PSMN035-150P,PSMN035-150P PDF资料,PSMN035-150P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET

牧师04 - 2009年11月16日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

SiliconMAX标准水平的N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在

一个塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的

仅在计算，通信，消费电子和工业应用。

1.2特点和优点

低导通损耗是由于低

导通状态电阻

适用于高频

由于快速开关应用

特征

1.3应用

开关模式电源

1.4快速参考数据

表1中。

V

DS

快速参考

条件

T

mb

= 25°C ;看

图1

和

2

P

合计

总功率

耗散

栅极 - 漏极电荷

T

mb

= 25°C ;看

科幻gure 3

民

-

典型值

-

最大

150

50

-

W

单位

V

漏 - 源电压

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

175 °C

符号参数

动态特性

Q

GD

V

GS

= 10 V; V

DS

= 120 V;

T

j

= 25°C ;看

图13

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A;

T

j

= 25°C ;看

图11

和

12

-

33

45

nC

静态特性

R

DSON

漏源

导通状态电阻

-

30

35

m

恩智浦半导体

PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET

2.管脚信息

表2中。

针

1

2

3

mb

管脚信息

符号

G

D

S

D

描述

门

漏

来源

安装底座;连接

漏

mb

D

简化的轮廓

图形符号

G

mbb076

S

1 2 3

SOT78 （ TO- 220AB ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PSMN035-150P

TO-220AB

描述

塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔;

3引脚TO- 220AB

VERSION

SOT78

类型编号

PSMN035-150P_4

产品数据表

牧师04 - 2009年11月16日

2 13

恩智浦半导体

PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET

4.极限值

表4 。

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

I

S

I

SM

E

DS （ AL ）S

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源出电流

峰源电流

T

mb

= 25 °C

t

p

≤

10微秒;脉冲;牛逼

mb

= 25 °C

T

mb

= 100 ℃;看

图1

和

2

T

mb

= 25°C ;看

图1

和

2

t

p

≤

10微秒;脉冲;牛逼

mb

= 25°C ;看

图2

T

mb

= 25°C ;看

科幻gure 3

条件

T

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

175 °C

T

j

≤

175 ℃;牛逼

j

≥

25 ℃;

GS

= 20 k

民

-

-20

-

-55

-

最大

150

20

36

50

200

250

175

50

200

460

单位

V

A

W

°C

A

mJ

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

不重复

V

GS

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25°C ;我

D

= 47 A; V

SUP

≤

50 V;

漏源雪崩松开;吨

p

= 0.1毫秒;

GS

= 50

;

SEE

图4

能源

不重复

雪崩电流

V

SUP

≤

50 V; V

GS

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25 °C;

R

GS

= 50

;

松开;看

图4

I

AS

-

50

A

120

I

DER

(%)

80

03aa24

10

3

I

D

(A)

10

2

003aaa016

R

DSON

= V

DS

/ I

D

t

p

= 10

μs

100

μs

40

10

P

d=

t

p

T

特区

t

p

T

0

50

100

150

T

mb

(°C)

200

1

10

2

V

DS

(V)

10

3

t

10毫秒

100毫秒

1毫秒

图1 。

标准化的连续漏极电流为

的安装基座温度功能

图2 。

安全工作区;连续和峰值漏极

电流与漏源电压的函数

PSMN035-150P_4

产品数据表

牧师04 - 2009年11月16日

3 13

恩智浦半导体

PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET

120

P

DER

(%)

80

03aa16

10

2

003aaa017

I

AS

(A)

25

°C

10

40

T

j

雪崩= 150前

°C

0

50

100

150

T

mb

(°C)

200

1

10

3

10

2

10

1

t

p

（女士）

10

图3 。

归一化的总功耗为

的安装基座温度功能

图4 。

非重复性雪崩耐用电流

由于脉冲持续时间的函数

PSMN035-150P_4

产品数据表

牧师04 - 2009年11月16日

4 13

恩智浦半导体

PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET

5.热特性

表5 。

符号

R

日（ J- MB ）

R

号（j -a）的

热特性

参数

热阻结到

安装底座

条件

SEE

图5

民

-

典型值

0.6

-

最大

-

60

单位

K / W

从结点到环境的热阻垂直于静止空气中

1

Z

日（ J- MB ）

（K / W）

10

1

δ

= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

10

2

单脉冲

P

003aaa018

δ

=

t

p

T

t

p

t

T

10

3

10

6

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

t

p

(s)

1

图5 。

从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲持续时间的函数

PSMN035-150P_4

产品数据表

牧师04 - 2009年11月16日

5 13

分立半导体

数据表

PSMN035-150B ; PSMN035-150P

N沟道的TrenchMOS

（TM）

晶体管

产品speci fi cation

1999年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS

（TM）

晶体管

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

低热阻

g

PSMN035-150B ; PSMN035-150P

快速参考数据

符号

d

V

DSS

= 150 V

I

D

= 50 A

R

DS （ ON）

≤

35 m

s

概述

SiliconMAX

产品采用了飞利浦最新的Trench技术，实现最低的通态电阻

每个包在每个电压等级。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PSMN035-150P是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PSMN035-150B是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

1

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404 （D

2

PAK ）

TAB

2

1 23

1

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

150

±

20

50

36

200

250

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接销：该SOT404包2中

1999年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS

（TM）

晶体管

雪崩能量极限值

PSMN035-150B ; PSMN035-150P

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

非重复性雪崩

能源

非重复性雪崩

当前

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 47 A;

t

p

= 100

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

50 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V ;参考

图15

分钟。

-

马克斯。

460

单位

mJ

I

AS

-

50

A

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

典型值。

-

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

60

50

马克斯。

0.6

-

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

阻力

门源漏电流V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 150 V; V

GS

= 0 V;

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

150

133

2.0

1.0

-

典型值。马克斯。单位

-

3.0

-

30

-

2

0.05

-

79

17

33

25

138

79

93

3.5

4.5

7.5

4720

456

208

-

4.0

-

6

35

98

100

10

500

-

V

m

nA

A

nC

ns

nH

pF

I

D

= 50 A; V

DD

= 120 V; V

GS

= 10 V

V

DD

= 75 V ;

D

= 1.5

;

V

GS

= 10 V ;

G

= 5.6

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS

（TM）

晶体管

PSMN035-150B ; PSMN035-150P

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

条件

分钟。

-

典型值。马克斯。单位

-

0.85

118

0.66

50

200

1.2

-

A

V

ns

C

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

F

= 20 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

1999年8月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS

（TM）

晶体管

PSMN035-150B ; PSMN035-150P

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

安装基座的温度， TMB （ C）

175

1

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

D = TP / T

0.01

单脉冲

tp

T

0.001

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

TJ = 25℃

VGS = 10V

8V

6V

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

50

45

40

35

30

5.4 V

25

20

15

10

5

4.4 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

5.2 V

5V

4.8 V

4.6 V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

)

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

1000

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

1000

0

4.4 V

4.6V

4.8 V

5V

5.2V

TJ = 25℃

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP = 10我们

100美

10

特区

1毫秒

10毫秒

100毫秒

1

10

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

5.4V

6V

8V

5

10

15

20

漏极电流ID （ A）

VGS = 10V

25

30

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（V

GS

)

1999年8月

5

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

低热阻

g

PSMN035-150B ， PSMN035-150P

快速参考数据

d

符号

V

DSS

= 150 V

I

D

= 50 A

R

DS （ ON）

≤

35 m

s

概述

SiliconMAX

产品采用了飞利浦最新的Trench技术，实现最低的通态电阻

每个包在每个电压等级。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PSMN035-150P是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PSMN035-150B是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

1

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404 （D

2

PAK ）

TAB

2

1 23

1

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

150

±

20

50

36

200

250

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接销：该SOT404包2中

1999年8月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

雪崩能量极限值

PSMN035-150B ， PSMN035-150P

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

非重复性雪崩

能源

非重复性雪崩

当前

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 47 A;

t

p

= 100

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

50 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V ;参考

图15

分钟。

-

马克斯。

460

单位

mJ

I

AS

-

50

A

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

典型值。

-

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

60

50

马克斯。

0.6

-

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

阻力

门源漏电流V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 150 V; V

GS

= 0 V;

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

150

133

2.0

1.0

-

典型值。马克斯。单位

-

3.0

-

30

-

2

0.05

-

79

17

33

25

138

79

93

3.5

4.5

7.5

4720

456

208

-

4.0

-

6

35

98

100

10

500

-

V

m

nA

A

nC

ns

nH

pF

I

D

= 50 A; V

DD

= 120 V; V

GS

= 10 V

V

DD

= 75 V ;

D

= 1.5

;

V

GS

= 10 V ;

G

= 5.6

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PSMN035-150B ， PSMN035-150P

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 20 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

-

典型值。马克斯。单位

-

0.85

118

0.66

50

200

1.2

-

A

V

ns

C

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产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PSMN035-150B ， PSMN035-150P

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

1

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

D = TP / T

0.01

单脉冲

tp

T

0.001

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

TJ = 25℃

VGS = 10V

8V

6V

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

50

45

40

35

30

5.4 V

25

20

15

10

5

4.4 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

5.2 V

5V

4.8 V

4.6 V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

)

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

1000

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

1000

0

4.4 V

4.6V

4.8 V

5V

5.2V

TJ = 25℃

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP = 10我们

100美

10

特区

1毫秒

10毫秒

100毫秒

1

10

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

5.4V

6V

8V

5

10

15

20

漏极电流ID （ A）

VGS = 10V

25

30

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（V

GS

)

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产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PSMN035-150B ， PSMN035-150P

漏极电流ID （ A）

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

栅 - 源电压，V GS （V）的

175 C

TJ = 25℃

VDS > ID X RDS （ ON）

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

最大

典型

最低

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;参数T

j

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

1.0E-01

漏极电流ID （ A）

1.0E-02

175 C

1.0E-03

最低

典型

1.0E-04

最大

1.0E-05

1.0E-06

0

5

10

15

20

25

30

35

漏极电流ID （ A）

40

45

50

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

4

4.5

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

; T

j

= 25 C

正规化的导通状态电阻

2.9

2.7

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

-60

-40

-20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

10000

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

1000

科斯

CRSS

100

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

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