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PSMN034-100PS
N沟道采用TO220 100 V 34.5 mΩ的标准电平MOSFET。
牧师02 - 2010年3月1日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在TO220封装的标准水平的N沟道MOSFET资格175℃ 。本产品是
在广泛的工业,通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率,由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
I
D
= 32 A; V
SUP
100 V;
松开;
GS
= 50
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
V
DS
= 50 V ;看
图12
13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图16
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
100
32
86
175
42
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G( TOT )
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
6.9
23.8
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
-
29.3
62
34.5
m
m
恩智浦半导体
PSMN034-100PS
N沟道采用TO220 100 V 34.5 mΩ的标准电平MOSFET。
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
来源
安装底座;连接
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PSMN034-100PS
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PSMN034-100PS_2
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
目标数据表
牧师02 - 2010年3月1日
2 15
恩智浦半导体
PSMN034-100PS
N沟道采用TO220 100 V 34.5 mΩ的标准电平MOSFET。
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD (M)的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
j
175 ℃;牛逼
j
25 ℃;
GS
= 20 k
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
100
100
20
22
32
127
86
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
-
-
-
32
127
42
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 32 A; V
SUP
100 V;
漏源雪崩松开;
GS
= 50
能源
40
ID
(A)
003aae103
120
P
DER
(%)
80
03aa16
30
20
40
10
0
0
50
100
150
牛逼MB (
°
C)
0
200
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN034-100PS_2
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恩智浦半导体
PSMN034-100PS
N沟道采用TO220 100 V 34.5 mΩ的标准电平MOSFET。
10
3
ID
(A)
003aae104
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p =10
μ
s
10
100
μ
s
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
1
10
10
2
V DS ( V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN034-100PS_2
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恩智浦半导体
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N沟道采用TO220 100 V 34.5 mΩ的标准电平MOSFET。
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
-
-
典型值
0.9
50
最大
1.7
-
单位
K / W
K / W
从结点到环境的热阻垂直于自由空气
1
d = 0.5
日( J- MB )
(K / W)
003aae105
0.2
0.1
10
-1
0.05
P
0.02
单发
t
p
T
=
t
p
T
t
10
-2
1e-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨P(S )
1
图4 。
瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型
PSMN034-100PS_2
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