PSMN027-100PS
在TO220 N沟道100V 26.8 mΩ的标准电平MOSFET
版本02 - 2010年2月19日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
在TO220封装的标准水平的N沟道MOSFET资格175℃ 。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于标准水平栅极驱动
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 37 A; V
SUP
≤
100 V;
松开;
GS
= 50
V
GS
= 10 V ;我
D
= 30 A;
V
DS
= 50 V;
SEE
图14
和
15
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图13
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
100
37
103
175
59
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
9
30
-
-
nC
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
-
21
48
26.8
m
m
恩智浦半导体
PSMN027-100PS
在TO220 N沟道100V 26.8 mΩ的标准电平MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN027-100PS
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PSMN027-100PS_2
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PSMN027-100PS
在TO220 N沟道100V 26.8 mΩ的标准电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
100
100
20
26
37
148
103
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
-
-
-
37
148
59
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 37 A; V
SUP
≤
100 V;
漏源雪崩松开;
GS
= 50
能源
40
I
D
(A)
30
003aae041
120
P
DER
(%)
80
03aa16
20
40
10
0
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
3
I
D
(A)
10
2
t
p
= 10
μs
10
100
μs
003A A E 042
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
1
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
0.8
最大
1.46
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从垂直于自由空气的热阻
结到环境
R
号（j -a）的
-
60
-
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
003aae043
0.2
10
-1
0.1
P
δ
=
t
p
T
0.05
0.02
单发
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
t
p
T
t
1
图4 。
瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型
值
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在TO220 N沟道100V 26.8 mΩ的标准电平MOSFET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图10
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 °C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
R
G
内部栅极电阻F = 1兆赫
（AC）的
总栅极电荷
I
D
= 30 A; V
DS
= 50 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
I
D
= 30 A; V
DS
= 50 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
V
DS
= 50 V ;看
图14
和
15
V
DS
= 50 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
I
D
= 30 A; V
DS
= 50 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
和
15
I
D
= 30 A; V
DS
= 50 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
民
90
100
1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
3
-
-
0.08
10
10
-
59
21
0.92
最大
-
-
-
4
4.8
50
2
100
100
48
75
26.8
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
24
8
4.8
3.4
9
4.9
1624
115
74
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
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目标数据表
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