D2
PA
K
PSMN017-30BL
N沟道30 V 17毫欧的D2PAK逻辑电平MOSFET
第2版 - 2012年4月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在D2PAK封装逻辑电平N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高效率，由于低开关
与导通损耗
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
动态特性
Q
GD
Q
G（ TOT ）
E
DS （ AL ）S
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A; V
DS
= 15 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
-
-
-
1.94
5.1
-
-
-
13
nC
nC
mJ
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
18.6
13.3
最大
30
32
47
175
23.3
17
单位
V
A
W
°C
m
m
静态特性
雪崩耐用性
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 32 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
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N沟道30 V 17毫欧的D2PAK逻辑电平MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
来源
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
2
1
3
SOT404 （ D2PAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN017-30BL
D2PAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3导致SOT404
（ 1铅裁剪）
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 32 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
30
20
25.5
32
154
47
175
175
32
154
13
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过封装的限制。
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N沟道30 V 17毫欧的D2PAK逻辑电平MOSFET
40
I
D
(A)
30
(1)
003aaj442
120
P
DER
(%)
80
03aa16
20
40
10
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
（ 1 ）限制在32A ，由于包
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aaj594
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
10
100
μ
s
1毫秒
1
DC
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结热阻安装基座
从结点到环境的热阻
条件
SEE
图4
民
-
-
典型值
3.18
50
最大
3.2
-
单位
K / W
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-1
0.02
P
003aaj593
δ
=
t
p
T
单发
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
T
t
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源击穿
电压
门源阈值电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图10 ;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图11
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图12
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
预阈值的栅 - 源
收费
后的阈值的栅 - 源
收费
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
I
D
= 10 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10.7
9.55
5.1
1.52
1
0.5
1.94
2.86
552
127
64
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
民
30
27
1.3
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
-
-
0.3
-
10
10
-
18.6
24
-
13.3
2.03
最大
-
-
2.15
-
2.45
1
50
100
100
43
23.3
31.5
23.5
17
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
m
静态特性
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