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PSMN012-60YS

N沟道LFPAK 60 V ， 11.1 mΩ的标准电平MOSFET

版本01 - 2010年1月5日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

在LFPAK封装标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是

在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用

设备。

1.2特点和优点

先进的TrenchMOS提供低

导通电阻和低栅极电荷

高效率提升开关

电源转换器

改进的机械性能和热

特征

LFPAK提供的最大功率

密度在电力SO8封装

1.3应用

的DC- DC转换器

锂离子电池保护

负载开关

电机控制

服务器电源

1.4快速参考数据

表1中。

合计

快速参考

条件

= 25 ℃; V

= 10 V;

SEE

图1

= 25°C ;看

图2

民

-55

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25 °C;

= 59 A; V

SUP

≤

60 V;

= 50

= 10 V ;我

= 30 A;

= 30 V ;看

图14

和

典型值

最大

175

单位

°C

漏 - 源电压

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 °C

漏电流

总功率

耗散

结温

符号参数

雪崩耐用性

DS （ AL ）S

不重复

漏源

雪崩能量

动态特性

G（ TOT ）

栅极 - 漏极电荷

总栅极电荷

6.4

28.4

恩智浦半导体

PSMN012-60YS

N沟道LFPAK 60 V ， 11.1 mΩ的标准电平MOSFET

快速参考

- 续

条件

= 10 V ;我

= 15 A;

= 100 ℃;看

图12

= 10 V ;我

= 15 A;牛逼

= 25 °C;

SEE

图13

民

典型值

最大

17.8

11.1

单位

表1中。

符号参数

静态特性

DSON

漏源

导通状态电阻

2.管脚信息

表2中。

针

管脚信息

符号

描述

来源

门

安装底座;连接

漏

mbb076

简化的轮廓

图形符号

1 2 3 4

SOT669 （ LFPAK ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PSMN012-60YS

LFPAK

描述

塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线

VERSION

SOT669

类型编号

PSMN012-60YS_1

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2 15

恩智浦半导体

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N沟道LFPAK 60 V ， 11.1 mΩ的标准电平MOSFET

4.极限值

表4 。

符号

DGR

合计

英镑

SLD （M）的

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

PEAK焊接

温度

源出电流

峰源电流

= 25 °C

≤

10微秒;脉冲;牛逼

= 25 °C

= 10 V ;牛逼

= 100 ℃;看

图1

= 10 V ;牛逼

= 25°C ;看

图1

≤

10微秒;脉冲;牛逼

= 25°C ;看

科幻gure 3

= 25°C ;看

图2

条件

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 °C

≥

25 ℃;牛逼

≤

175 ℃;

= 20 k

民

-20

-55

最大

236

175

260

单位

°C

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

源极 - 漏极二极管

DS （ AL ）S

236

雪崩耐用性

不重复

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25°C ;我

= 59 A; V

SUP

≤

60 V;

漏源雪崩

= 50

能源

(A)

003aad856

120

DER

(%)

03aa16

100

150

200

(°C)

100

150

(°C)

200

图1 。

连续漏极电流的一个函数

安装基座的温度

图2 。

归一化的总功耗为

的安装基座温度功能

PSMN012-60YS_1

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恩智浦半导体

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N沟道LFPAK 60 V ， 11.1 mΩ的标准电平MOSFET

(A)

= 10

μs

100

003aad857

性限R

DSON

= V

/ I

1ms

10ms

100ms

-1

(V)

图3 。

安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

PSMN012-60YS_1

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4 15

恩智浦半导体

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5.热特性

表5 。

符号

日（ J- MB ）

热特性

参数

热阻结到

安装底座

条件

SEE

图4

民

典型值

0.8

最大

1.68

单位

K / W

日（ J- MB ）

（K / W）

= 0.5

003aad858

0.2

0.1

0.05

-1

0.02

单发

-2

-6

-5

-4

-3

-2

-1

(s)

图4 。

瞬态热阻抗结点到安装基座的脉冲持续时间的函数;典型

值

PSMN012-60YS_1

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5 15

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