PSMN006-20K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX超低水平FET
版本01 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
SiliconMAX超低水平的N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
一个塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的
仅在计算，通信，消费电子和工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适合于非常低的栅极驱动器
来源
1.3应用
电脑主板
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图1
和
3
T
sp
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
20
32
8.3
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 30 A;
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 5 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 5 A;
T
j
= 25°C ;看
图10
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 5 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
-
13.2
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
-
4.8
5.7
4.2
5.7
8.2
5
m
m
m
恩智浦半导体
PSMN006-20K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX超低水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
1
4
mbb076
简化的轮廓
8
5
图形符号
D
G
S
SOT96-1 （ SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN006-20K
SO8
描述
塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT96-1
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 4.5 V ;看
图1
和
3
T
sp
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
sp
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
民
-
-10
-
-
-
-
-55
-
-
最大
20
10
32
60
8.3
150
150
7.5
30
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
A
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
PSMN006-20K_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
PSMN006-20K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX超低水平FET
120
I
DER
(%)
80
03aa25
120
P
DER
(%)
80
03aa17
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的焊点温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的焊点温度功能
03ai63
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
I
D
(A)
10
10毫秒
DC
100毫秒
1
t
p
= 10 s
1毫秒
10
1
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN006-20K_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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3 12
恩智浦半导体
PSMN006-20K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX超低水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -SP ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
15
单位
K / W
从安装在金属包覆电路板的热阻;
结点到焊点看
图4
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
03ai62
δ
= 0.5
0.2
0.1
t
p
T
1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
t
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
t
p
(s)
10
2
图4 。
从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲持续时间的函数
PSMN006-20K_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PSMN006-20K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX超低水平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DSON
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 ℃;看
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图8
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图9
和
10
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图10
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图9
和
10
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
g
fs
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
前锋
跨
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
V
DS
= 15 V ;我
D
= 10 A
V
DS
= 10 V ;
L
= 10
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 6
;
T
j
= 25 °C
I
D
= 30 A; V
DS
= 10 V; V
GS
= 25 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
I
D
= 30 A; V
DS
= 10 V; V
GS
= 2.5 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
10
13.2
4350
825
550
65
32
190
90
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
S
民
20
0.15
0.4
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
0.7
-
0.05
10
10
4.8
5.7
4.2
最大
-
-
-
0.5
1
100
100
5.7
8.2
5
单位
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
I
S
= 3 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图13
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT = -70 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V ;牛逼
j
= 25 °C
-
-
-
0.75
47
17
1.3
-
-
V
ns
nC
PSMN006-20K_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年11月17日
5 12
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
牧师01 - ○○二年五月三十
产品数据
1.描述
SiliconMAX 产品采用了飞利浦最新的TrenchMOS 技术实现
尽可能低的导通状态电阻的SOT96-1 （ SO8 ）封装。
产品可用性：
PSMN006-20K在SOT96-1 （ SO8 ） 。
2.特点
s
极低的通态电阻
s
门槛非常低
s
的TrenchMOS 技术。
3.应用
s
直流到直流转换器
s
电脑主板
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
8
5
d
简化的轮廓
符号
栅极（G ）
漏极（四）
1
顶视图
4
MBK187
g
s
MBB076
SOT96-1 （ SO8 ）
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
4.2
4.8
5.7
最大
20
32
8.3
150
5
5.7
8.2
单位
V
A
W
°C
m
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
55
-
-
最大
20
32
±10
60
8.3
150
+150
7.5
30
单位
V
A
V
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 09631
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产品数据
牧师01 - ○○二年五月三十
2 12
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
限制导通电阻= VDS / ID
ID
(A)
TP = 10
s
03ai63
1毫秒
10
10毫秒
DC
100毫秒
1
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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3 12
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
7.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
15
K / W
从结点到安装在金属包覆电路板的焊料点的热阻;
图4
-
符号参数
7.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
03ai62
10
δ
= 0.5
0.2
0.1
1
0.05
0.02
P
δ
=
tp
T
单脉冲
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
tp
T
1
10
t
TP （多个）
102
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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产品数据
牧师01 - ○○二年五月三十
4 12
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
牧师01 - ○○二年五月三十
产品数据
1.描述
SiliconMAX 产品采用了飞利浦最新的TrenchMOS 技术实现
尽可能低的导通状态电阻的SOT96-1 （ SO8 ）封装。
产品可用性：
PSMN006-20K在SOT96-1 （ SO8 ） 。
2.特点
s
极低的通态电阻
s
门槛非常低
s
的TrenchMOS 技术。
3.应用
s
直流到直流转换器
s
电脑主板
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
8
5
d
简化的轮廓
符号
栅极（G ）
漏极（四）
1
顶视图
4
MBK187
g
s
MBB076
SOT96-1 （ SO8 ）
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
4.2
4.8
5.7
最大
20
32
8.3
150
5
5.7
8.2
单位
V
A
W
°C
m
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
55
-
-
最大
20
32
±10
60
8.3
150
+150
7.5
30
单位
V
A
V
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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产品数据
牧师01 - ○○二年五月三十
2 12
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
限制导通电阻= VDS / ID
ID
(A)
TP = 10
s
03ai63
1毫秒
10
10毫秒
DC
100毫秒
1
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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产品数据
牧师01 - ○○二年五月三十
3 12
飞利浦半导体
PSMN006-20K
的TrenchMOS 超低水平FET
7.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
15
K / W
从结点到安装在金属包覆电路板的焊料点的热阻;
图4
-
符号参数
7.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
03ai62
10
δ
= 0.5
0.2
0.1
1
0.05
0.02
P
δ
=
tp
T
单脉冲
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
tp
T
1
10
t
TP （多个）
102
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 09631
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牧师01 - ○○二年五月三十
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