分立半导体
数据表
PSMN005-55B ; PSMN005-55P
N沟道逻辑电平
的TrenchMOS
（TM）
晶体管
产品speci fi cation
1999年10月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS
（TM）
晶体管
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
g
PSMN005-55B;
PSMN005-55P
快速参考数据
符号
d
V
DSS
= 55 V
I
D
= 75 A
R
DS （ ON）
≤
5.8毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
6.3毫欧（V
GS
= 5 V)
s
概述
SiliconMAX
产品采用了飞利浦最新的Trench技术，实现最低的通态电阻
每个包在每个电压等级。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PSMN005-55P是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PSMN005-55B是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续的栅 - 源
电压
峰值脉冲栅源
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150 C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
15
±
20
75
2
75
2
240
230
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
2
最大电流限制通过包装
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管PSMN005-55B ， PSMN005-55P
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
g
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 55 V
I
D
= 75 A
R
DS （ ON）
≤
5.8毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
6.3毫欧（V
GS
= 5 V)
s
概述
SiliconMAX
产品采用了飞利浦最新的Trench技术，实现最低的通态电阻
每个包在每个电压等级。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PSMN005-55P是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PSMN005-55B是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续的栅 - 源
电压
峰值脉冲栅源
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150 C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
15
±
20
75
2
75
2
240
230
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
2
最大电流限制通过包装
1999年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
PSMN005-55B ， PSMN005-55P
典型值。
-
马克斯。
0.65
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
SOT78封装，在自由空气
SOT404封装，PCB安装，最小值
脚印
60
50
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
I
AS
非重复性雪崩
能源
非重复性雪崩
当前
条件
非钳位感性负载时，我
AS
= 75 A;
t
p
= 100
s;
T
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V
分钟。
-
-
马克斯。
268
75
单位
mJ
A
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175C
门源漏电流V
GS
=
±
10 V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
当前
T
j
= 175C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 75 A; V
DD
= 44 V; V
GS
= 5 V
分钟。
55
50
1.0
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
1.5
-
-
4.8
5.3
-
-
2
0.05
-
103
15
52
45
180
420
235
3.5
4.5
7.5
6500
1500
700
-
-
2.0
-
2.3
5.8
6.3
6.7
13.2
100
10
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
m
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DD
= 30 V ;
D
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
阻性负载
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管
PSMN005-55B ， PSMN005-55P
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
0.85
1.1
80
0.2
75
240
1.2
-
-
-
A
A
V
V
ns
C
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管
PSMN005-55B ， PSMN005-55P
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
1
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
D
tp
D = TP / T
0.01
单脉冲
T
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
400
ID / A
300
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10.0
7.0
6.0
5.0 4.8
4.6
4.4
VGS \\ V =
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
0
2
4
VDS / D
6
8
10
200
100
0
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
RDS （ ON）= VDS / ID
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
RDS （ ON） /毫欧
VGS / V =
1000
8.5
TP = 10我们
8
7.5
100
100美
7
1毫秒
特区
10
10毫秒
100毫秒
3.0
6.5
6
5.5
3.2
3.4
3.6
4.0
5.0
0
20
40
ID / A
60
80
100
1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
5
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管
PSMN005-55B ， PSMN005-55P
100
ID / A
80
2.25
2
1.75
1.5
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
60
1.25
1
40
TJ =
175
25
0.75
0.5
20
0.25
0
-60
0
0.5
1
1.5
VGS / V
2
2.5
3
3.5
0
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
150
GFS / S
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
100
1.0E-03
最低
典型
1.0E-04
50
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
0.5
1
1.5
2
栅 - 源电压，V GS （V）的
2.5
3
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
正规化的导通状态电阻
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
100000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年10月
5
启1.200
QQ：2880707522 复制
