【分立半导体数据表PSMN005-25DN沟道逻辑电平的TrenchMOS（TM）晶体管产品speci】,IC型号PSMN005-25D,PSMN005-25D PDF资料,PSMN005-25D经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

PSMN005-25D

N沟道逻辑电平

的TrenchMOS

（TM）

晶体管

产品speci fi cation

1999年10月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS

（TM）

晶体管

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

兼容逻辑电平

g

PSMN005-25D

快速参考数据

符号

d

V

DSS

= 25 V

I

D

= 75 A

R

DS （ ON）

≤

5.8毫欧（V

GS

= 10 V)

R

DS （ ON）

≤

7.5毫欧（V

GS

= 5 V)

s

概述

SiliconMAX

产品采用最新的

飞利浦Trench技术来

达到尽可能低的

导通状态中的每个电阻

包在每个电压额定值。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PSMN005-25D在供应

在SOT428 （ Dpak封装）面

安装包。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

1

来源

描述

SOT428 （ DPAK ）

TAB

2

漏

1

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

连续的栅 - 源

电压

峰值脉冲栅源

电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

j

≤

150 C

T

mb

= 25 ℃; V

GS

= 5 V

T

mb

= 100℃ ; V

GS

= 5 V

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

25

±

15

±

20

75

2

70

240

125

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。

2

持续电流额定值受包。

1999年10月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS

（TM）

晶体管

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

I

AS

非重复性雪崩

能源

非重复性雪崩

当前

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 75 A;

t

p

= 100

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

15 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 5 V

PSMN005-25D

分钟。

-

马克斯。

120

75

单位

mJ

A

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

-

SOT428封装，PCB安装，最小值

脚印

-

典型值。马克斯。单位

-

50

1.2

-

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 25 A;牛逼

j

= 175C

门源漏电流V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 25 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 175C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 75 A; V

DD

= 15 V; V

GS

= 5 V

分钟。

25

23

1

0.5

-

典型值。马克斯。单位

-

1.5

-

5

6.2

-

0.02

0.05

-

60

8

32

21

170

270

216

3.5

7.5

3500

970

640

-

2

-

2.3

5.8

7.5

14

100

10

500

-

V

m

nA

A

nC

ns

nH

pF

V

DD

= 15 V ;

D

= 0.6

;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

测量标签，模具中心

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 20V; F = 1 MHz的

1999年10月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS

（TM）

晶体管

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

条件

PSMN005-25D

分钟。

-

典型值。马克斯。单位

-

0.95

140

0.27

75

240

1.2

-

A

V

ns

C

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

F

= 25 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 25 V

1999年10月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS

（TM）

晶体管

PSMN005-25D

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

安装基座的温度， TMB （ C）

175

10

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

tp

D = TP / T

0.01

单脉冲

T

0.001

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

3V

VGS = 2.8 V

10V

5V

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

50

45

40

35

30

25

20

15

10

TJ = 25℃

2.6 V

2.4 V

2.2 V

2V

5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

)

1000

0.03

0.025

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

2.2 V

2.4 V

2.6 V

TJ = 25℃

100

100美

0.02

1毫秒

0.015

2.8 V

3V

0.01

5V

0.005

VGS = 10V

特区

10毫秒

100毫秒

10

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0

5

10

15

20

25

30

漏极电流ID （ A）

35

40

45

50

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

)

1999年10月

5

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

兼容逻辑电平

g

PSMN005-25D

快速参考数据

符号

d

V

DSS

= 25 V

I

D

= 75 A

R

DS （ ON）

≤

5.8毫欧（V

GS

= 10 V)

R

DS （ ON）

≤

7.5毫欧（V

GS

= 5 V)

s

概述

SiliconMAX

产品采用最新的

飞利浦Trench技术来

达到尽可能低的

导通状态中的每个电阻

包在每个电压额定值。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PSMN005-25D在供应

在SOT428 （ Dpak封装）面

安装包。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

1

来源

描述

SOT428 （ DPAK ）

TAB

2

漏

1

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

连续的栅 - 源

电压

峰值脉冲栅源

电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

j

≤

150 C

T

mb

= 25 ℃; V

GS

= 5 V

T

mb

= 100℃ ; V

GS

= 5 V

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

25

±

15

±

20

75

2

70

240

125

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。

2

持续电流额定值受包。

1999年10月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

I

AS

非重复性雪崩

能源

非重复性雪崩

当前

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 75 A;

t

p

= 100

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

15 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 5 V

分钟。

-

PSMN005-25D

马克斯。

120

75

单位

mJ

A

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

-

SOT428封装，PCB安装，最小值

脚印

-

典型值。马克斯。单位

-

50

1.2

-

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 25 A;牛逼

j

= 175C

门源漏电流V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 25 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 175C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 75 A; V

DD

= 15 V; V

GS

= 5 V

分钟。

25

23

1

0.5

-

典型值。马克斯。单位

-

1.5

-

5

6.2

-

0.02

0.05

-

60

8

32

21

170

270

216

3.5

7.5

3500

970

640

-

2

-

2.3

5.8

7.5

14

100

10

500

-

V

m

nA

A

nC

ns

nH

pF

V

DD

= 15 V ;

D

= 0.6

;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

测量标签，模具中心

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 20V; F = 1 MHz的

1999年10月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 25 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 25 V

-

PSMN005-25D

典型值。马克斯。单位

-

0.95

140

0.27

75

240

1.2

-

A

V

ns

C

1999年10月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管

PSMN005-25D

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

10

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

tp

D = TP / T

0.01

单脉冲

T

0.001

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

3V

10V

5V

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

50

45

40

35

30

25

20

15

10

VGS = 2.8 V

TJ = 25℃

2.6 V

2.4 V

2.2 V

2V

5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

)

1000

0.03

0.025

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

2.2 V

2.4 V

2.6 V

TJ = 25℃

100

100美

0.02

1毫秒

0.015

2.8 V

3V

0.01

5V

0.005

VGS = 10V

特区

10毫秒

100毫秒

10

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0

5

10

15

20

25

30

漏极电流ID （ A）

35

40

45

50

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

)

1999年10月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管

PSMN005-25D

漏极电流ID （ A）

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0.2 0.4 0.6 0.8

1

1.2 1.4 1.6 1.8

2

2.2 2.4 2.6 2.8

3

栅 - 源电压，V GS （V）的

TJ = 25℃

175 C

VDS > ID X RDS （ ON）

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

2.25

2

1.75

1.5

典型

1.25

1

0.75

0.5

0.25

0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

结温TJ（ C）

最低

最大

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

漏极电流ID （ A）

VDS = 5 V

1.0E-02

80

75

70

65

60

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

1.0E-01

175 C

1.0E-03

最低

1.0E-04

典型

最大

1.0E-05

1.0E-06

0

5

10

15

20

25

30

35

漏极电流ID （ A）

40

45

50

0

0.5

1

1.5

2

栅 - 源电压，V GS （V）的

2.5

3

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

正规化的导通状态电阻

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

10000

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

1000

科斯

CRSS

100

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

结温TJ（ C）

120

140

160

180

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年10月

5

启1.100