PSMN002-25P ; PSMN002-25B
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年10月22日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PSMN002-25P在SOT78 （ TO- 220AB ）
PSMN002-25B在SOT404 （D
2
-Pak ）
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
高频计算机主机板的DC到DC转换器
s
OR- ing应用。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
漏极（四）
g
s
简化的轮廓
[1]
mb
mb
符号
d
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2-
PAK ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PSMN002-25系列
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
2.2
2.45
最大
25
75
230
175
2.6
2.9
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;
I
D
= 75 A;吨
p
= 0.1毫秒; V
DD
= 15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5V ;起始物为
j
= 25
°C;
非钳位感性负载;
V
DD
= 15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5V;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
25
25
±15
±20
75
75
400
230
+175
+175
75
400
500
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
非重复性雪崩电流
75
A
9397 750 08315
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
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飞利浦半导体
PSMN002-25系列
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120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
100
03af36
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
30
60
90
120
150
180
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
P
03af38
δ
=
tp
T
DC
10
tp
T
t
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404封装
数值单位
0.65
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
P
03af37
δ
=
tp
T
0.02
10-2
单脉冲
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 08315
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N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年10月22日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PSMN002-25P在SOT78 （ TO- 220AB ）
PSMN002-25B在SOT404 （D
2
-Pak ）
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
高频计算机主机板的DC到DC转换器
s
OR- ing应用。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
漏极（四）
g
s
简化的轮廓
[1]
mb
mb
符号
d
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2-
PAK ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PSMN002-25系列
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
2.2
2.45
最大
25
75
230
175
2.6
2.9
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;
I
D
= 75 A;吨
p
= 0.1毫秒; V
DD
= 15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5V ;起始物为
j
= 25
°C;
非钳位感性负载;
V
DD
= 15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5V;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
25
25
±15
±20
75
75
400
230
+175
+175
75
400
500
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
非重复性雪崩电流
75
A
9397 750 08315
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120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
100
03af36
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
30
60
90
120
150
180
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
P
03af38
δ
=
tp
T
DC
10
tp
T
t
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08315
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产品数据
版本01 - 2001年10月22日
3 13
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PSMN002-25系列
N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404封装
数值单位
0.65
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
P
03af37
δ
=
tp
T
0.02
10-2
单脉冲
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 08315
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