飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
UL 94V -O塑料分类
包
齐纳二极管的工作电压范围:
10至68 V的21种
提供在12毫米压纹带。
手册中, 4列
PSMA5925B到PSMA5945B
该明确定义的无空隙的情况下的一个
传递模塑热硬化
塑料。
描述
DO- 214AC表面贴装
封装玻璃钝化芯片。
Fig.1简化外形( DO- 214AC ; SOD106 )和符号。
,,
,,
,,
k
阴极
BAND
a
顶视图
SIDE VIEW
MSA473
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
P
合计
参数
总功耗
条件
T
tp
= 75
°C;
见图2
T
AMB
= 25
°C;
见图2 ;
设备上安装的Al
2
O
3
印刷电路板;见图5
P
ZSM
T
英镑
T
j
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
t
p
= 100
s;
方波脉冲;
T
j
= 25
°C
前激增;见图3
分钟。
马克斯。
4.0
1.5
单位
W
W
65
65
600
+175
+175
W
°C
°C
1998年12月4日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
电气特性
总串联
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
= 0.5 A
PSMA5925B到PSMA5945B
条件
马克斯。
1.2
V
单位
每个类型
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
公称
齐纳
电压
设备
(注
1)
V
Z
@ I
ZT
(V)
PSMA5925B
PSMA5926B
PSMA5927B
PSMA5928B
PSMA5929B
PSMA5930B
PSMA5931B
PSMA5932B
PSMA5933B
PSMA5934B
PSMA5935B
PSMA5936B
PSMA5937B
PSMA5938B
PSMA5939B
PSMA5940B
PSMA5941B
PSMA5942B
PSMA5943B
PSMA5944B
PSMA5945B
记
1.公差和电压型号:公差代号 - 列出的型号表示公差
±5%.
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
I
ZT
(MA )
37.5
34.1
31.2
28.8
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
4.5
5.5
6.5
8.0
9.0
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
Z
ZK
()
500
550
550
600
650
650
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
I
ZK
(MA )
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
(A)
10.0
4.0
3.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
8.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
TEST
当前
齐纳阻抗
(最大)
反向漏电流
(最大)
最大DC
齐纳
当前
I
ZM
( MADC )
150
136
125
115
100
94
83
75
68
63
56
50
45
42
38
35
32
29
27
24
22
1998年12月4日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
PSMA5925B到PSMA5945B
条件
价值
25
100
150
单位
K / W
K / W
K / W
1.装置安装在一铝
2
O
3
印刷电路板, 0.7mm厚; Cu层的厚度
≥35 m,
见图5 。
2.设备安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图5 。
欲了解更多信息,请参阅
“相关的手册的通用部分” 。
1998年12月4日
4