单相
半控桥
初步数据表
V
RSM
V
帝斯曼
500
900
1300
1500
*1700
V
RRM
V
DRM
400
800
1200
1400
*1600
TYPE
PSBZ 50/04
PSBZ 50/08
PSBZ 50/12
PSBZ 50/14
PSBZ 50/16
PSBZ 50
I
DAV
V
RRM
= 53 A
= 400-1600 V
~
~
*交货要求
符号
I
DAV
I
TSM
, I
FSM
测试条件
T
C
= 85 °C
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
180 °正弦波，每个模块
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
53
550
600
500
550
1520
1520
1250
1250
150
2
A
A
A
A
A
A S
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / μs的
特点
与快速的终端包装
隔离电压3000 V
平面glasspassivated芯片
低正向压降
UL
注册的电子148688
应用
热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
照明控制
电机控制
电源转换器
∫
I DT
2
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
JVM
重复的，我
T
= 50 A
F = 50Hz的，T
P
= 200s
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A
非重复性的，我
T
= ½ I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / μs的
.
500
1000
≤
≤
10
5
0.5
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V
V
Nm
g
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
= T
VJM
V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞,
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30s
t
P
= 500s
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
包装，样式和大纲
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394 “ ）
10
-40 ... + 125
125
-40 ... + 125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
安装力矩
典型值。
T = 1分
t=1s
(M5)
2500
3000
2 - 2.5
100
POWERSEM有限公司， Walpersdorfer海峡。 53
91126 D-施瓦巴赫
电话： 09122 - 9764-0传真： 09122 - 9764-20
2002年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
PSBZ 50
符号
I
D
, I
R
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
测试条件
特征值
5
1.64
0.85
11
1.5
1.6
100
200
0.2
5
450
200
2
250
0.9
0.225
1.1
0.275
16.1
7.1
50
mA
V
V
m
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
s
s
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
= T
VJM
, V
R
= V
RRM
, V
D
= V
DRM
≤
I
T
, I
F
= 80A ，T
VJ
= 25°C
≤
对于只功率损耗的计算（T
VJ
= T
VJM
)
V
D
= 6V
V
D
= 6V
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
T
VJ
= 25 ° C，T
P
= 10s
I
G
= 0.45A ，二
G
/ DT = 0.45A / μs的
T
VJ
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
GK
=
∞
T
VJ
= 25 ° C，V
D
= ½ V
DRM
I
G
= 0.45A ，二
G
/ DT = 0.45A / μs的
T
VJ
= T
VJM
, I
T
= 20A ，T
P
=为200ps ，V
R
= 100V
-di / DT = 10A / μs的，的dv / dt = 15V / μs的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬行的距离
马克斯。允许加速
200
T
[A]
150
1:T
VJ
= 25°C
VJ
=25°C
IF （ OV ）
------
IFSM
us
IFSM （ A）
TVJ=45°C
TVJ=150°C
550
490
2 ：T已VJ = 125°C
100
1.6
1.4
1.2
1
10
100
1
TGD
2
0 VRRM
50
IF
0
0.5
1
1.5
2
VF [V]的
1
10
100
我[马]
G
1000
0.8
1/2 VRRM
0.6
0.4
0
10
1 VRRM
1
2
10吨[毫秒] 10
3
10
图。 1正向电流与
每个二极管的压降或
晶闸管
图。 2门极触发延迟时间
图。 3浪涌过载电流
每个二极管（或晶闸管）I
FSM
,
I
TSM
：佳洁士值t ：时间
POWERSEM有限公司， Walpersdorfer海峡。 53
91126 D-施瓦巴赫
电话： 09122 - 9764-0传真： 09122 - 9764-20
2002年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
PSBZ 50
10
V
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 5 W
6: P
GM
= 10W
6
70
[A]
60
50
40
DC
sin.180°
rec.120°
rec.60°
rec.30°
1
30
5
4
V
G
20
10
ITAV
0
50
100
TC （ ℃）
150
200
2
1
3
0.1
10
0
10
1
I
G
10
2
10
3
mA
10
4
图4门极触发特性
图5.最大正向电流
在外壳温度
K / W
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Z
thJK
thJC
日
0.01
0.1
T [ S]
1
10
每个晶闸管或二极管图6瞬态热阻抗
（计算值）
200
[W]
175
150
125
100
75
50
25
PVTOT
0
10
ITAVM
30
DC
sin.180°
rec.120°
rec.60°
rec.30°
50
[A]
0
1.02
105
110
PSBZ50
80
0.28 0.15 = RTHCA [ K / W]
0.4
TC
85
90
95
0.61
100
2.27
115
120
°C
TAMB
50
100
[K]
150
125
图。 7功耗与直接输出电流和环境
温度
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