初步数据表
光电耦合器
PS9851-1,-2
高降噪， 15 Mbps的CMOS输出型
8引脚SSOP PHOTOCOUPLER
-NEPOC
系列 -
描述
该PS9851-1 ，-2是含有的GaAlAs在输入侧和一CMOS输出集成电路LED光耦合隔离器
在输出侧。
他们是高共模瞬态抑制（ CMR ） ，高速CMOS输出型光电耦合器设计
高速逻辑接口电路。
特点
高速响应（ 15 Mbps）的
可操作在高温下（ -40+ 100℃）
高共模瞬变抗扰度（ CM
H
，厘米
L
=
±15
千伏/
TYP 。 ）
高隔离电压（ BV = 2 500 Vr.m.s. ）
脉冲宽度失真（ t
PHL
t
PLH
= 5纳秒TYP 。 ）
磁带产品的订购数量： PS9851-1 - F3 ， F4 ： 1 500个/卷
： PS9851-2 - F3 ， F4 ： 1 500个/卷
安全标准
UL正待批准
DIN EN60747-5-2 （ VDE0884第二部分）等待批准
1
2
3
4
盾
引脚连接
（ TOP VIEW ）
8
7
PS9851-1
6 5
1.数控
2.阳极
3.阴极
4.数控
5. GND
6. V
O
7. NC
8. V
DD
8
7
FA网络
测量设备
PDP
1
2
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这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PN10493EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年5月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件2004年
盾
应用
PS9851-2
6 5
1. Anode1
2. Cathode1
3. Cathode2
4. Anode2
5. GND
6. V
O
2
7. V
O
1
8. V
DD
3 4
光电耦合器
PS9851-1,-2
高降噪， 15 Mbps的CMOS输出型
8引脚SSOP PHOTOCOUPLER
-NEPOC
系列 -
描述
该PS9851-1 ，-2是含有的GaAlAs在输入侧和一CMOS输出集成电路LED光耦合隔离器
在输出侧。
他们是高共模瞬态抑制（ CMR ） ，高速CMOS输出型光电耦合器设计
高速逻辑接口电路。
特点
高速响应（ 15 Mbps）的
可操作在高温下（ -40+ 100℃）
高共模瞬变抗扰度（ CM
H
，厘米
L
=
±20
千伏/
TYP 。 ）
高隔离电压（ BV = 2 500 Vr.m.s. ）
脉冲宽度失真（ t
PHL
t
PLH
= 3ns的TYP 。 ）
磁带产品的订购数量： PS9851-1 - F3 ， F4 ： 1 500个/卷
： PS9851-2 - F3 ， F4 ： 1 500个/卷
安全标准
UL认证：文件编号E72422
DIN EN60747-5-2 （ VDE0884第二部分）核定No.40008347 （选项）
1
2
3
4
盾
引脚连接
（ TOP VIEW ）
8
7
PS9851-1
6 5
无铅产品
1.数控
2.阳极
3.阴极
4.数控
5. GND
6. V
O
7. NC
8. V
DD
8
7
应用
FA网络
测量设备
PDP
1
2
PS9851-2
6 5
1. Anode1
2. Cathode1
3. Cathode2
4. Anode2
5. GND
6. V
O
2
7. V
O
1
8. V
DD
3 4
盾
一号文件PN10493EJ02V0DS （第2版）
发布日期2005年6月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件，公司2004年， 2005年
PS9851-1,-2
电动
特定网络版）
特性（T
A
=
40
至+ 100℃ ，V
DD
= 4.5 5.5伏，除非另有
参数
二极管
正向电压
反向电流
终端电容
探测器
高水平的电源电流
低电平电源电流
高电平输出电压
低电平输出电压
再加
阈值输入电流
绝缘电阻
*2
符号
V
F
I
R
C
t
I
DDH
I
DDL
V
OH
V
OL
I
FHL
R
我-O
条件
I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
V
R
= 3 V ，T
A
= 25°C
V = 0 V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25°C
I
F
= 0 MA（ 1路）
I
F
= 10 MA（ 1路）
I
O
=
20
A，I
F
= 0毫安
I
O
= 20
A，I
F
= 10毫安
V
O
＆ LT ; 1 V
V
我-O
= 1千伏
DC
， RH = 40 ％至60％ ，
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
1.6
*1
马克斯。
1.9
10
单位
V
A
pF
30
2.5
2
4.0
5.0
0
2.8
10
11
5
5
毫安/通道
V
0.1
6
mA
隔离电容
传播延迟时间
(H
→
L)
*3
C
我-O
t
PHL
V = 0 V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25°C
I
F
= 10 mA时， V
DD
= 5 V,
C
L
= 15 pF的， CMOS电平
0.6
34
60
pF
ns
传播延迟时间
(L
→
H)
*3
t
PLH
37
60
脉冲宽度
脉冲宽度失真
（PWD）
*3
PW
t
PHL
t
PLH
100
3
30
传播延迟偏斜
上升时间
下降时间
共模
瞬态抗扰度在
高电平输出
共模
瞬态抗扰度在
低电平输出
*4
*4
t
PSK
t
r
t
f
CM
H
V
DD
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
CM
= 1千伏，V
O
> 4 V，T
A
= 25°C
10
4
4
20
40
千伏/
s
CM
L
V
DD
= 5 V，I
F
= 10毫安，
V
CM
= 1千伏，V
O
< 1 V ，T
A
= 25°C
10
20
*1
在T典型值
A
= 25°C
*2
由于V
OL
的2V或更可能是输出时LED电流输入和输出时供应，重要的是要
使用该设备之前，确认所述特性（动作用的电源和关闭）的设计中。
数据表PN10493EJ02V0DS
5
QQ：2880707522 复制
