【初步数据表NEC的高降噪25 Mbps的CMOS输出型8引脚DIP光耦合器描述PS9661PS966】,IC型号PS9661L-E3,PS9661L-E3 PDF资料,PS9661L-E3经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据表

NEC的高降噪

25 Mbps的CMOS输出型

8引脚DIP光耦合器

描述

PS9661

PS9661L

NEC的PS9661和PS9661L是光学包含一个砷化镓铝在输入端和一个CMOS LED耦合隔离器

输出集成电路上的输出侧。

这些光电耦合器的高共模瞬态抑制（ CMR ），高速CMOS输出型设备，

使它们非常适合高速逻辑接口电路。

该PS9661是在一个塑料DIP （双列直插封装）和PS9661L是铅弯曲型（鸥翼）的表面

安装。

特点

高速响应（ 25 Mbps）的

高共模瞬变抗扰度（ CM

，厘米

±20

千伏/

TYP 。）

高隔离电压（ BV = 3 750 Vr.m.s. ）

脉冲宽度失真（ |吨

PHL

PLH

| = 3纳秒典型值）。

订购胶带产品编号： PS9661L - E3 ， E4 ： 1 000个/卷

应用

工厂自动化的网络

测量设备

PDP

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认

这是最新版本。

美国加州东部实验室

PS9661 ， PS9661L

包装尺寸（单位：mm ）

PS9661

9.25±0.25

顶视图

7.62

1. V

DD1

2. V

3. LED阳极

4. GND1

5. GND2

6. V

7. NC

8. V

DD2

6.5±0.5

2.8分钟。

4.15± 0.3

0.65

3.5± 0.3

0.5±0.1

0.88±0.1

2.54

0至15°

0.25 M

0.84±0.43

1.25±0.15

PS9661L

9.25±0.25

顶视图

盾

6.5±0.5

1. V

DD1

2. V

3. LED阳极

4. GND1

5. GND2

6. V

7. NC

8. V

DD2

3.5± 0.3

0.25

+0..05

–

0.88±0.1

0.9±0.25

9.60±0.4

1.25±0.15

0.25 M

2.54

初步数据表

0.1

+0..05

–

PS9661 ， PS9661L

标记示例

第1针

标志

PS9661

M301

国家组装

类型编号

很多大会

M 3 01

本周组装

年组装

（最后1位）

排名代码

初步数据表

PS9661 ， PS9661L

订购信息

产品型号

PS9661

PS9661L

PS9661L-E3

PS9661L-E4

压纹带1000个/卷

包

8引脚DIP

包装方式

杂志案50件

绝对最大额定值（T

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

二极管

探测器

输入电压

电源电压

输出电压

输出电流

隔离电压

符号

DD1

DD2

英镑

评级

0.5

到V

DD1

+0.5

0至5.5

0.5

到V

DD2

+0.5

3 750

150

+85

+125

单位

Vr.m.s.

°C

总功耗

工作环境温度

储存温度

AC电压在T 1分钟

= 25 ℃， RH =输入和输出之间的60％。

推荐工作条件（T

= 25° C)

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

电源电压

上升时间

下降时间

符号

DD1

DD2

分钟。

2.0

4.5

5.0

典型值。

马克斯。

DD1

0.8

5.5

100

单位

初步数据表

PS9661 ， PS9661L

电气特性（推荐工作条件，除非另有

指定的。需要注意的是V

DD1

= V

DD2

= 5 V.)

参数

二极管

低电平电源电流

高水平的电源电流

输入电流

探测器

输出电源电流

符号

DD1L

DD1H

DD2H

DD2L

高电平输出电压

= 0 V

= V

DD1

= 0 V或V

= V

DD1

= V

DD1

= 0 V

A，V

= V

毫安，V

= V

低电平输出电压

= 20

A，V

= V

= 4毫安， V

= V

再加

绝缘电阻

隔离电容

传播延迟时间

→

传播延迟时间

→

脉冲宽度

脉冲宽度失真

（PWD）

传播延迟偏斜

上升时间

下降时间

共模

瞬态抗扰度在

高电平输出

共模

瞬态抗扰度在

低电平输出

PSK

= V

DD1

= V

DD2

= 5V,

＆ GT ;

0.8 V

DD1

, V

= 1千伏，T

= 25°C

= V

DD1

= V

DD2

= 5V, V

=0V

＆ LT ;

0.8 V

DD1

, V

= 1千伏

千伏/

PHL-

PLH

我-O

PHL

我-O

= 1千伏

， RH = 40 ％至60％，

= 25°C

V = 0 V ， F = 1 MHz时，T

= 25°C

= 15 pF的， CMOS信号电平

条件

分钟。

典型值。

7.5

马克斯。

10.0

3.0

单位

图。

3, 4

0.15

4.4

4.0

5.0

4.8

0.01

0.32

0.1

1.0

1.3

在T典型值

= 25°C

初步数据表

初步数据表

NEC的高降噪

25 Mbps的CMOS输出型

8引脚DIP光耦合器

描述

PS9661

PS9661L

NEC的PS9661和PS9661L是光学包含一个砷化镓铝在输入端和一个CMOS LED耦合隔离器

输出集成电路上的输出侧。

这些光电耦合器的高共模瞬态抑制（ CMR ），高速CMOS输出型设备，

使它们非常适合高速逻辑接口电路。

该PS9661是在一个塑料DIP （双列直插封装）和PS9661L是铅弯曲型（鸥翼）的表面

安装。

特点

高速响应（ 25 Mbps）的

高共模瞬变抗扰度（ CM

，厘米

±20

千伏/

TYP 。）

高隔离电压（ BV = 3 750 Vr.m.s. ）

脉冲宽度失真（ |吨

PHL

PLH

| = 3纳秒典型值）。

订购胶带产品编号： PS9661L - E3 ， E4 ： 1 000个/卷

应用

工厂自动化的网络

测量设备

PDP

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认

这是最新版本。

美国加州东部实验室

PS9661 ， PS9661L

包装尺寸（单位：mm ）

PS9661

9.25±0.25

顶视图

7.62

1. V

DD1

2. V

3. LED阳极

4. GND1

5. GND2

6. V

7. NC

8. V

DD2

6.5±0.5

2.8分钟。

4.15± 0.3

0.65

3.5± 0.3

0.5±0.1

0.88±0.1

2.54

0至15°

0.25 M

0.84±0.43

1.25±0.15

PS9661L

9.25±0.25

顶视图

盾

6.5±0.5

1. V

DD1

2. V

3. LED阳极

4. GND1

5. GND2

6. V

7. NC

8. V

DD2

3.5± 0.3

0.25

+0..05

–

0.88±0.1

0.9±0.25

9.60±0.4

1.25±0.15

0.25 M

2.54

初步数据表

0.1

+0..05

–

PS9661 ， PS9661L

标记示例

第1针

标志

PS9661

M301

国家组装

类型编号

很多大会

M 3 01

本周组装

年组装

（最后1位）

排名代码

初步数据表

PS9661 ， PS9661L

订购信息

产品型号

PS9661

PS9661L

PS9661L-E3

PS9661L-E4

压纹带1000个/卷

包

8引脚DIP

包装方式

杂志案50件

绝对最大额定值（T

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

二极管

探测器

输入电压

电源电压

输出电压

输出电流

隔离电压

符号

DD1

DD2

英镑

评级

0.5

到V

DD1

+0.5

0至5.5

0.5

到V

DD2

+0.5

3 750

150

+85

+125

单位

Vr.m.s.

°C

总功耗

工作环境温度

储存温度

AC电压在T 1分钟

= 25 ℃， RH =输入和输出之间的60％。

推荐工作条件（T

= 25° C)

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

电源电压

上升时间

下降时间

符号

DD1

DD2

分钟。

2.0

4.5

5.0

典型值。

马克斯。

DD1

0.8

5.5

100

单位

初步数据表

PS9661 ， PS9661L

电气特性（推荐工作条件，除非另有

指定的。需要注意的是V

DD1

= V

DD2

= 5 V.)

参数

二极管

低电平电源电流

高水平的电源电流

输入电流

探测器

输出电源电流

符号

DD1L

DD1H

DD2H

DD2L

高电平输出电压

= 0 V

= V

DD1

= 0 V或V

= V

DD1

= V

DD1

= 0 V

A，V

= V

毫安，V

= V

低电平输出电压

= 20

A，V

= V

= 4毫安， V

= V

再加

绝缘电阻

隔离电容

传播延迟时间

→

传播延迟时间

→

脉冲宽度

脉冲宽度失真

（PWD）

传播延迟偏斜

上升时间

下降时间

共模

瞬态抗扰度在

高电平输出

共模

瞬态抗扰度在

低电平输出

PSK

= V

DD1

= V

DD2

= 5V,

＆ GT ;

0.8 V

DD1

, V

= 1千伏，T

= 25°C

= V

DD1

= V

DD2

= 5V, V

=0V

＆ LT ;

0.8 V

DD1

, V

= 1千伏

千伏/

PHL-

PLH

我-O

PHL

我-O

= 1千伏

， RH = 40 ％至60％，

= 25°C

V = 0 V ， F = 1 MHz时，T

= 25°C

= 15 pF的， CMOS信号电平

条件

分钟。

典型值。

7.5

马克斯。

10.0

3.0

单位

图。

3, 4

0.15

4.4

4.0

5.0

4.8

0.01

0.32

0.1

1.0

1.3

在T典型值

= 25°C

初步数据表