初步数据表
规范本文档中是暂定的，可能会改变。
PS9307L,PS9307L2
0.6 A输出电流，高CMR ， IGBT门极驱动， 6 -PIN SDIP PHOTOCOUPLER
R08DS0046EJ0001
Rev.0.01
2012年1月25日
描述
该PS9307L和PS9307L2是含有一个砷化镓铝在输入侧和相片LED光学耦合隔离器
二极管，一个信号处理电路，并在一个芯片上的输出侧的功率输出晶体管。
该PS9307L和PS9307L2采用6引脚塑封SDIP （收缩双列直插封装） 。该PS9307L2有8毫米
爬电距离。 6引脚塑封SDIP安装面积的8引脚DIP一半大小。
该PS9307L和PS9307L2是专为高共模瞬态抑制（ CMR ）和高设计
开关速度。它适用于驱动IGBT和MOS场效应管。
该PS9307L是铅弯曲型（鸥翼）的表面安装。
该PS9307L2是铅弯曲型的长爬电距离（鸥翼）表面贴装。
特点
长爬电距离（8 mm最小： PS9307L2 ）
8引脚DIP封装的一半大小
峰值输出电流（ 0.6 A（最大值） ， 0.4 A MIN 。 ）
高速开关（T
PLH
,
t
PHL
= 175 ns（最大值） 。 ）
高共模瞬态抗扰度（ CM
H
，厘米
L
=
±50
千伏/
μ
s最小）
工作环境温度（ 125
°C)
压纹带的产品： PS9307L - E3 ， PS9307L2 - E3 ： 2 000个/卷
无铅产品
安全标准
UL认证： E72422号
CSA认证：第CA 101391 （ CA5A ， CAN / CSA - C22.2 60065 ， 60950 ）
SEMKO批准： 1115598号
DIN EN60747-5-2 （ VDE0884第二部分）核定： 40024069号（可选）
引脚连接
（ TOP VIEW ）
6
5
4
1.阳极
2. NC
3.阴极
4. V
EE
5. V
O
6. V
CC
1
2
3
应用
IGBT ，功率MOS FET的栅极驱动器
工业变频器
交流伺服
PDP
R08DS0046EJ0001 Rev.0.01
2012年1月25日
盾
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初步文件
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PS9307L,PS9307L2
章标题
PHOTOCOUPLER建设
参数
空中距离（ MIN 。 ）
外部爬电距离（ MIN 。 ）
隔离距离（ MIN 。 ）
PS9307L
7 mm
7 mm
0.4 mm
PS9307L2
8 mm
8 mm
0.4 mm
标记示例
R
9307
N131
第1针马克
公司初始
类型编号
很多大会
N
1 31
本周组装
年组装
（最后1位）
排名代码
订购信息
产品型号
PS9307L
PS9307L-E3
PS9307L2
PS9307L2-E3
PS9307L-V
PS9307L-V-E3
订单号
PS9307L-AX
PS9307L-E3-AX
PS9307L2-AX
PS9307L2-E3-AX
PS9307L-V-AX
PS9307L-V-E3-AX
镀锡
规范
无铅
（镍/钯/金）
包装方式
20件（带20个切割）
压纹带2000
个/卷
20件（带20个切割）
压纹带2000
个/卷
20件（带20个切割）
压纹带2000
个/卷
20件（带20个切割）
压纹带2000
个/卷
安全标准
赞同
标准
制品
（ UL ， CSA ，
SEMKO
批准）
应用
*1
产品型号
PS9307L
PS9307L2
PS9307L2-V
PS9307L2-V-AX
PS9307L2 -V -E3 PS9307L2 -V -E3 -AX
注意：
DIN EN60747-5-2 PS9307L
（ VDE0884第二部分）
批准
（可选）
PS9307L2
* 1 。为安全标准的应用，下面的部件号应该被使用。
R08DS0046EJ0001 Rev.0.01
2012年1月25日
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PS9307L,PS9307L2
章标题
电气特性（在推荐的工作条件下，
V
EE
= GND时，除非另有规定）
二极管
参数
正向电压
反向电流
输入电容
高电平输出电流
低电平输出电流
高电平输出电压
低电平输出电压
高水平的电源电流
低电平电源电流
再加
阈值输入电流
(L
→
H)
阈值输入电压
(H
→
L)
注：* 1 。
*2.
*3.
*4.
符号
V
F
I
R
C
IN
I
OH
I
OL
V
OH
V
OL
I
CCH
I
CCL
I
FLH
V
FHL
条件
I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
V
R
= 3 V ，T
A
= 25°C
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
O
= (V
CC
4 V)
*2
V
O
= (V
CC
10 V)
*3
V
O
= (V
EE
+ 2.5 V)
*2
V
O
= (V
EE
+ 10 V)
*3
I
F
= 10 mA时，我
O
= 100毫安
*4
I
F
= 0 mA时，我
O
= 100毫安
I
F
= 10 mA时，我
O
= 0毫安
I
F
= 0 mA时，我
O
= 0毫安
I
O
= 0 mA时，V
O
> 5 V
I
O
= 0 mA时，V
O
< 5 V
分钟。
1.3
典型值。
*1
1.56
30
0.2
0.4
0.7
0.2
0.4
0.7
V
CC
3.0 V
CC
1.7
0.4
1.2
1.3
2.1
0.8
马克斯。
1.8
10
单位
V
μ
A
pF
A
A
V
V
mA
mA
mA
V
探测器
1.0
2.0
2.0
5.0
在T典型值
A
= 25 ° C，V
CC
V
EE
= 30 V.
最大脉冲宽度= 50
μ
S，最大占空比= 0.2 ％ 。
最大脉冲宽度= 10
μ
S，最大占空比= 0.5％。
V
OH
测量与在该测试直流负载电流。
开关特性（在推荐的工作条件下，
V
EE
= GND时，除非另有规定）
参数
符号
传播延迟时间（L
→
H)
t
PLH
传播延迟时间（H
→
L)
t
PHL
脉冲宽度失真（ PWD ）
|t
PHL
t
PLH
|
t
PHL
t
PLH
传播延迟时间
任意两点间（差
PRODUCTS）
上升时间
t
r
下降时间
t
f
|厘米
H
|
共模瞬变
免疫力高电平输出
|厘米
L
|
共模瞬变
免疫力低的水平输出
条件
R
g
= 47
Ω,
C
g
= 3 NF，
F = 50千赫
占空比= 50 ％
*2
,
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 30 V
分钟。
40
40
120
典型值。
*1
75
90
马克斯。
175
175
90
120
单位
ns
ns
ns
ns
30
30
T
A
= 25 ° C，I
F
= 10毫安，
V
CC
= 30 V, V
CM
= 1.5千伏
T
A
= 25 ° C，I
F
= 0 mA时，
V
CC
= 30 V, V
CM
= 1.5千伏
50
50
ns
ns
千伏/
μ
s
千伏/
μ
s
注：* 1 。在T典型值
A
= 25 ° C，V
CC
V
EE
= 30 V.
* 2 。此负载条件相当于IGBT的负载在1 200 V / 25 A.
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2012年1月25日
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