初步数据表
固态继电器
OCMOS FET
PS7801D-1A
4 -PIN超小型平铅，
低输出电容（ 0.6 pF的） ， 1路光纤耦合MOS FET
描述
该PS7801D -1A是一个低输出电容固态继电器含有在GaAs上的发光面的LED
（输入侧）和输出侧的MOS场效应管。
一种超小型扁平引线封装已经提供实现了在约50％的安装面积的减少
与PS72xx系列相比。
它适用于高频信号的控制，由于它的低C
×
R，低输出电容和低关断状态
漏电流。
特点
超小型扁平引脚封装（ 4.2 （ L）
×
2.5 (W)
×
1.85 （高）mm ）
低C
×
住宅（丙类
×
R = 6.6 pF的
)
低输出电容（C
OUT
= 0.57 pF的TYP 。 ）
1信道类型（ 1输出）
专为AC / DC开关转换线
低失调电压
录音的订购数量产品： PS7801D - 1A -F3 ， F4 （ 3 500个/卷）
无铅产品
UL正在等待批准
1
2
4
引脚连接
（ TOP VIEW ）
3
1. LED阳极
2. LED阴极
3. MOS FET
4. MOS FET
应用
测量设备
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PN10551EJ01V0DS （第1版）
发布日期2005年2月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件， 2005有限公司
PS7801D-1A
订购信息
产品型号
订单号
镀锡
规范
PS7801D-1A-F3
PS7801D-1A-F4
PS7801D-1A-F3-A
PS7801D-1A-F4-A
无铅
*2
包装方式
安全标准
赞同
应用
*1
产品型号
PS7801D-1A
压纹带3500个/卷
UL等待
赞同
*1
为安全标准的应用，下面的部件号应该被使用。
*2
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，请联系您
附近的销售网络连接CE的。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
二极管
正向工作电流（DC）的
反向电压
功耗
最大正向电流
MOS FET
击穿电压
连续负载电流
功耗
隔离电压
*2
*1
符号
I
F
V
R
P
D
I
FP
V
L
I
L
P
D
BV
P
T
T
A
T
英镑
评级
50
5.0
50
1
40
120
250
500
300
40
+85
40
+100
单位
mA
V
mW
A
V
mA
mW
Vr.m.s.
mW
°C
°C
总功耗
工作环境温度
储存温度
*1
PW = 100
S，占空比= 1 ％
*2
AC电压在T 1分钟
A
= 25 ℃， RH = 60的输入和输出之间％
针脚1-2短接， 3-4短接在一起。
推荐工作条件（T
A
= 25°C)
参数
LED工作电流
LED熄灭电压
符号
I
F
V
F
分钟。
2
0
典型值。
5
马克斯。
20
0.5
单位
mA
V
数据表PN10551EJ01V0DS
3
PS7801D-1A
电气特性（T
A
= 25°C)
参数
二极管
正向电压
反向电流
MOS FET
关闭状态漏泄
当前
输出电容
再加
LED通态电流
导通状态电阻
开启时间
打开-O FF时间
*1, 2
*1, 2
符号
V
F
I
R
I
Loff1
I
Loff2
C
OUT
I
丰
R
on
t
on
t
关闭
R
我-O
C
我-O
I
F
= 5毫安
V
R
= 5 V
V
D
= 35 V
V
D
= 40 V
条件
分钟。
典型值。
1.1
马克斯。
1.4
5.0
0.3
单位
V
A
nA
0.1
0.57
1.0
0.85
2.0
pF
mA
ms
V
D
= 0 V ， F = 1兆赫
I
L
= 120毫安
I
F
= 5毫安，我
L
= 120毫安，T
≤
10毫秒
I
F
= 5毫安， V
O
= 5 V ，R
L
= 500
,
PW
≥
10毫秒
V
我-O
= 0.5千伏
DC
V = 0 V ， F = 1兆赫
10
9
11.6
0.03
0.1
16
0.5
0.5
绝缘电阻
隔离电容
0.3
pF
*1
用于开关时间测试电路
I
F
脉冲输入
V
L
输入
50%
0
V
O
= 5 V
输入监视器
R
in
V
O
MONITOR
90%
产量
R
L
10%
t
on
t
关闭
*2
的导通时间和关断时间都被指定为输入脉冲宽度
≥
10毫秒。
注意，当该装置工作的输入脉冲宽度小于10毫秒，则导通时间和关断
时间将增加。
4
初步数据表PN10551EJ01V0DS
QQ：2880707522 复制
