数据表
固态继电器
OCMOS FET
PS7241E-1B
4 -PIN SOP 400 V击穿电压
常闭型
1路光耦合MOS场效应管
描述
在PS7241E -1B是结合了砷化镓光耦合元件红外LED与一个输入端
常闭MOS场效应管在输出侧，以实现优异的成本性能。
小型，薄型封装，该元件的高灵敏度使其非常适用于电池驱动的移动设备，其
在电源接通和良好的线性度小的偏移电压也使其适用于控制的微型模拟信号。
-NEPOC
系列 -
特点
小而薄的封装（ 4针SOP ，高度= 2.1 MM）
1信道类型（ 1 B输出）
低LED工作电流（I
F
= 3 mA）的
专为AC / DC开关转换线
低失调电压
订货编带产品编号： PS7241E -1B- E3，E4 ，F3，F4
无铅产品
<R>
安全标准
UL认证：文件编号E72422
BSI批准：文件编号八千二百四十二分之八千二百四十一
1
4
引脚连接
（ TOP VIEW ）
3
1. LED阳极
2. LED阴极
3. MOS FET
4. MOS FET
2
应用
笔记本电脑， PDA
调制解调器卡
电话，传真
测量设备
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证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PN10552EJ03V0DS （第3版）
发布日期2006年6月NS CP （ K）
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2005, 2006
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
PS7241E-1B
推荐工作条件（T
A
= 25°C)
参数
LED工作电流
LED熄灭电压
符号
I
F
V
F
分钟。
3
0
典型值。
10
马克斯。
20
0.5
单位
mA
V
电气特性（T
A
= 25°C)
参数
二极管
正向电压
反向电流
MOS FET
断态泄漏电流
输出电容
再加
LED断态电流
导通状态电阻
符号
V
F
I
R
I
的Loff
C
OUT
I
FOFF
R
on1
R
on2
开启时间
打开-O FF时间
*1, 2
条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 10 mA时， V
D
= 400 V
I
F
= 10 mA时， V
D
= 0 V ， F = 1兆赫
I
L
= 120毫安
I
F
= 0 mA时，我
L
= 10毫安
I
F
= 0 mA时，我
L
= 120毫安，T
≤
10毫秒
I
F
= 10 mA时， V
O
= 5 V ，R
L
= 500
,
PW
≥
10毫秒
V
我-O
= 1.0千伏
DC
V = 0 V ， F = 1兆赫
分钟。
典型值。
1.2
马克斯。
1.4
5.0
单位
V
A
A
pF
0.03
206
1.0
3.0
22
17
0.07
1.0
10
9
mA
35
24
0.2
3.0
t
on
t
关闭
R
我-O
C
我-O
ms
*1, 2
绝缘电阻
隔离电容
0.5
pF
*1
用于开关时间测试电路
I
F
脉冲输入
V
L
输入
50%
0
V
O
= 5 V
输入监视器
R
in
R
L
V
O
MONITOR
90%
产量
10%
t
关闭
t
on
<R>
*2
的导通时间和关断时间都被指定为输入脉冲宽度
≥
10毫秒。
注意，当该装置工作的输入脉冲宽度小于10毫秒，则导通时间和关断
时间将增加。
4
数据表PN10552EJ03V0DS
初步数据表
固态继电器
OCMOS FET
PS7241E-1B
4 -PIN SOP 400 V击穿电压常闭型
1路光耦合MOS场效应管
描述
在PS7241E -1B是结合了砷化镓光耦合元件红外LED与一个输入端
常闭MOS场效应管在输出侧，以实现优异的成本性能。
小型，薄型封装，该元件的高灵敏度使其非常适用于电池驱动的移动设备，其
在电源接通和良好的线性度小的偏移电压也使其适用于控制的微型模拟信号。
特点
小而薄的封装（ 4针SOP ，高度= 2.1 MM）
1信道类型（ 1 B输出）
专为AC / DC开关转换线
低失调电压
订货编带产品编号： PS7241E -1B- E3，E4 ，F3，F4
无铅产品
UL正在等待批准
BSI等待批准
1
2
1. LED阳极
2. LED阴极
3. MOS FET
4. MOS FET
4
引脚连接
（ TOP VIEW ）
3
应用
笔记本电脑， PDA
调制解调器卡
电话，传真
测量设备
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PN10552EJ01V0DS （第1版）
发布日期2005年2月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件， 2005有限公司
PS7241E-1B
订购信息
产品型号
订单号
镀锡
规范
PS7241E-1B
PS7241E-1B-E3
PS7241E-1B-E4
PS7241E-1B-F3
PS7241E-1B-F4
PS7241E-1B-A
PS7241E-1B-E3-A
PS7241E-1B-E4-A
PS7241E-1B-F3-A
PS7241E-1B-F4-A
压纹带3500 CS /卷
无铅
*2
包装方式
安全标准
赞同
应用部分
数
*1
杂志案100件
压纹带900个/卷
UL和BSI
等待批准
PS7241E-1B
*1
为安全标准的应用，下面的部件号应该被使用。
*2
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，请联系您
附近的销售网络连接CE的。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
二极管
正向工作电流（DC）的
反向电压
功耗
最大正向电流
MOS FET
击穿电压
连续负载电流
脉冲负载电流
（交流/直流连接）
功耗
隔离电压
*3
*2
*1
符号
I
F
V
R
P
D
I
FP
V
L
I
L
I
LP
P
D
BV
P
T
T
A
T
英镑
评级
50
5.0
50
1
400
120
240
300
1 500
350
40
+85
40
+100
单位
mA
V
mW
A
V
mA
mA
mW
Vr.m.s.
mW
°C
°C
总功耗
工作环境温度
储存温度
*1
PW = 100
S，占空比= 1 ％
*2
PW = 100毫秒， 1次射门
*3
AC电压在T 1分钟
A
= 25
°C,
RH = 60 ％的输入和输出之间
针脚1-2短接， 3-4短接在一起。
初步数据表PN10552EJ01V0DS
3
QQ：2880707522 复制
