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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第953页 > PS2865-1-F3-A
光电耦合器
PS2865-1
高隔离电压
AC输入响应型
4 -PIN SOP光耦合器
-NEPOC
系列 -
描述
该PS2865-1是含有砷化镓发光二极管和NPN硅光耦合隔离器
光电晶体管。
该PS2865-1满足绝缘厚度0.4mm与BSI的绝缘补充批准。
该包装具有屏蔽效应来切断的环境光，并且被安装在一个塑料SOP（小外形封装），用于
高密度的应用。
特点
隔离距离（0.7 mm最小。 ）
AC输入响应
高隔离电压（ BV = 2 500 Vr.m.s. ）
SOP （小外形封装）型
高速开关（T
r
= 4
s TYP。 ，T
f
= 5
TYP 。 ）
磁带产品的订购数量： PS2865-1 - F3 ， F4
安全标准： PS2865-1
UL认证：文件编号E72422 （ S）
BSI认可： 8514号， 8515
应用
调制解调器
可编程逻辑控制器
电源
一号文件PN10259EJ01V0DS （第1版）
（上一页第P15094EJ2V0DS00 ）
发布日期2003年2月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
PS2865-1
包装尺寸（单位：mm ）
顶视图
2.7±0.3
4
3
1.阳极，阴极
2.阴极，阳极
3.辐射源
4.收集
1
2
7.0±0.3
4.4
0.1±0.1
2.0±0.1
0.15
+0.10
–0.05
0.5±0.3
1.27
0.4±0.1
0.12
M
PHOTOCOUPLER建设
参数
空中距离
爬电距离
隔离距离
单元（ MIN 。 ）
4.5 mm
4.5 mm
0.4 mm
记号
PS2865-1
N65
003
很多大会
最后一个数字型： 65
NEC的"N"
0 03
本周组装
年组装
（最后1位）
2
数据表PN10259EJ01V0DS
PS2865-1
订购信息（焊锡含铅）
产品型号
PS2865-1
PS2865-1-F3
PS2865-1-F4
包
4引脚SOP
包装方式
50件（带50个切割）
压纹带3500个/卷
应用部分号
PS2865-1
*1
*1
为安全标准的应用，下面的部件号应该被使用。
订购信息（无铅）
产品型号
PS2865-1-A
PS2865-1-F3-A
PS2865-1-F4-A
包
4引脚SOP
包装方式
50件（带50个切割）
压纹带3500个/卷
应用部分号
PS2865-1
*1
*1
为安全标准的应用，下面的部件号应该被使用。
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C,
除非另有规定编）
参数
二极管
正向工作电流（DC）的
功耗
最大正向电流
晶体管
*1
符号
I
F
P
D
I
FP
V
首席执行官
V
ECO
I
C
评级
±
50
60
±
1.0
40
5
40
1.2
120
2 500
-55到+100
-55到+150
单位
mA
mW
A
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
Vr.m.s.
°C
°C
集电极到发射极电压
发射极到集电极的电压
集电极电流
功耗降额
功耗
P
C
/°C
P
C
BV
T
A
T
英镑
隔离电压
*2
工作环境温度
储存温度
*1
PW = 100
S，占空比= 1 ％
*2
AC电压在T 1分钟
A
= 25 ℃， RH = 60的输入和输出之间％
数据表PN10259EJ01V0DS
3
PS2865-1
电气特性（T
A
= 25
°C)
参数
二极管
正向电压
终端电容
晶体管
集电极到发射极暗
当前
再加
电流传输比
(I
C
/I
F
)
*1
符号
V
F
C
t
I
首席执行官
I
F
=
±
5毫安
条件
分钟。
典型值。
1.1
30
马克斯。
1.4
单位
V
pF
V = 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 0 mA时，V
CE
= 40 V
I
F
=
±
5毫安，V
CE
= 5 V
I
F
=
±
10毫安，我
C
= 2毫安
11
100
nA
CTR
50
200
400
%
集电极饱和
电压
绝缘电阻
隔离电容
上升时间
下降时间
*2
V
CE （SAT）
0.3
V
R
我-O
C
我-O
t
r
t
f
V
我-O
= 1千伏
DC
V = 0 V ， F = 1兆赫
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
10
0.4
4
5
pF
s
*2
*1
点击率排名
N： 50 400 （％）
*2
用于开关时间测试电路
脉冲输入
PW = 100
s
占空比= 1/10
I
F
V
CC
在显示器
50
R
L
= 100
V
OUT
4
数据表PN10259EJ01V0DS
PS2865-1
典型特征（T
A
= 25
°C,
除非另有规定编）
二极管功耗对比
环境温度
晶体管功耗P
C
（ mW）的
晶体管功率耗散
- 环境温度
210
180
150
120
90
60
30
0
25
50
75
100
100
二极管功耗P
D
（ mW）的
80
60
40
20
0
25
50
75
100
环境温度T
A
(C)
环境温度T
A
( C)
正向电流与
正向电压
100
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
35
30
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10
集电极电流I
C
（MA ）
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= +100 C
+60 C
+25 C
25
20
15
10
5
5毫安
10毫安
1
0 C
–25 C
–50 C
0.1
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
2
4
6
8
10
正向电压V
F
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极暗
电流与环境温度
集电极到发射极暗电流I
首席执行官
（ nA的）
集电极电流主场迎战
集电极饱和电压
100
10毫安
5毫安
2毫安
10 000
1 000
V
CE
= 20 V
40 V
集电极电流I
C
（MA ）
10
100
1
I
F
= 1毫安
10
1
–25
0
25
50
75
100
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度T
A
(C)
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
数据表PN10259EJ01V0DS
5
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