三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21997-4/-4A/-4C/-4W
模内转印式
绝缘型
PS21997-4
集成电源功能
三个600V / 30A低损耗CSTBT逆变桥
相直流 - 交流功率转换
集成驱动，保护和系统控制功能
对于P-方：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护。
对于N侧：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） 。
故障信号：对应于短路故障（ N侧IGBT ） ，欠压故障（ N侧电源） 。
输入接口： 3 5V线（高电平有效） 。
UL认可：黄牌号E80276
应用
AC100V 200V的三相逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包装纲要（ PS21997-4 ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
终端代码
3.5
16-0.5
1.5
±0.05
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
N
N
N
W
V
U
P
NC
尺寸（mm）
0.28
1.778
±0.2
17
1
(1)
14.4
±0.5
0.4
14.4
±0.5
.6
R1
2-
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
12
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
25
8-0.6
4-C1.2
(3.3)
2.5分钟
0.5
(2.656)
(0~5°)
0.4
1.5 M
IN
9.5
±0.5
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
注意：
CSTBT登记三菱电机株式会社的商标在日本。
2008年9月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21997-4/-4A/-4C/-4W
模内转印式
绝缘型
图。 2 LONG终端类型包装纲要（ PS21997-4A ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
尺寸（mm）
终端代码
3.5
16-0.5
(1)
0.28
1.778
±0.2
1.5
±0.05
0.4
17
1
14.4
±0.5
.6
R1
2-
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
0.8
散热器侧
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
25
8-0.6
4-C1.2
0.4
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
N
N
N
W
V
U
P
NC
14.4
±0.5
12
29.4
±0.5
24
±0.5
(3.5)
(3.3)
0.5
2.5分钟
(0~5°)
1.5 M
(2.656)
14
±0.5
IN
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
图。 3 ZIGZAG终端类型包装纲要（ PS21997-4C ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
3.5
1.5
±0.05
尺寸（mm）
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
N
N
N
W
V
U
P
NC
17
1
(1)
18.9
±0.5
14.4
±0.5
33.7
±0.5
R
2-
14.4
±0.5
12
1.
6
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
0.4
0.4
0.28
1.778
±0.2
16-0.5
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
25
8-0.6
4-C1.2
0.5
0.5
0.5
(2.656)
(0~5°)
(0~5°)
0.4
1.5 M
IN
9.5
±0.5
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
2008年9月
2
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21997-4/-4A/-4C/-4W
模内转印式
绝缘型
图。 4两旁ZIGZAG终端类型包装纲要（ PS21997-4W ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
3.5
1.5
±0.05
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
N
(N)
N
W
V
U
P
NC
尺寸（mm）
17
1
(1)
17.4
±0.5
14.4
±0.5
35.2
±0.6
17.4
14.4
±0.5
±0.5
.6
R1
2-
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
12
(1.8)
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
2.5分钟
(0~5°)
0.28
2.54
±0.25
7-0.6
4-C1.2
(0~5°)
18
25
0.4
0.4
0.4
0.4
0.28
1.778
±0.25
16-0.5
(2.656)
1.5 M
IN
11
±0.5
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
QR码是注册DENSO WAVE INCORPORATED的商标在日本和其他国家。
图。 5内部功能框图（典型的应用实例）
C1 ：电解型具有良好的温度和频率
的特点。电容也取决于PWM
应用系统的控制策略。
C2 ： 0.22μ - 2μF陶瓷电容具有良好的温度，
频率和直流偏置特性。
D1 ：自举二极管（V
RRM
= 600V以上。反向恢复时间trr = 100ns的或更小）
D2 ：齐纳二极管（ 24V / 1W ）
P侧输入（PWM）的
输入信号
空调
电平转换
UV锁定
电路
输入信号
空调
电平转换
输入信号
空调
电平转换
C2
C1
D2 D1
浪涌电流限制电路
P
驱动电路
驱动电路
驱动电路
P侧IGBT
S
DIPIPM
AC线路输入
U
V
W
M
AC输出
Z
C
V
NC
N1
N
N侧IGBT
S
CIN
Z：浪涌吸收器
C：交流滤波器（陶瓷电容2.2N -6.5nF ）
（共模噪声滤波器）
驱动电路
输入信号调理
佛逻辑
保护
电路（ SC ）
UV锁定
电路
N侧输入（PWM）的
F
O
F
O
输出（ 5V线）
V
NC
（ 15V线）
D2
C2
C1
V
D
2008年9月
3
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21997-4/-4A/-4C/-4W
模内转印式
绝缘型
图。 DIPIPM的保护电路6外部
DIPIPM
驱动电路
P
短路保护功能（ SC ） ：
短路保护是通过检测N侧直流母线电流（通过外部取得
分流电阻）允许一个适当的过滤时间（由RC电路定义的）之后。
当检测到的分流电压超过SC触发电平，所有的N侧IGBT的导通
关和一个故障信号（FO）是输出。由于SC故障可能是重复性的，它是
建议停止系统接收到佛的信号时，并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
P侧IGBT
S
U
V
W
N侧IGBT
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
（注1 ）
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
（注2 ）
0
2
t
w
(s)
注1 ：
在推荐的外部保护电路，请选择RC时间范围内恒定的1.5 为2.0μs 。
2:
为了防止错误的保护动作， A，B中，C的布线应尽可能的短。
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃，小于1ms
T
C
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
450
500
600
30
60
47.6
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 ：
在DIPIPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
C
≤
100 ℃）。然而，为了
确保DIPIPM的安全操作，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
C
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
2008年9月
4
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21997-4/-4A/-4C/-4W
模内转印式
绝缘型
系统总
参数
自我保护限制电压
V
CC （ PROT ）
（短路保护功能）
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
销与散热板之间
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：
T
C
测量点
控制端
DIPIPM
11.6mm
3mm
IGBT芯片位置
FWDI芯片位置
电源端子
T
C
点
散热器侧
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWDI部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
2.1
3.0
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的导热性和长期质量应均匀以+为100μm 200μm的+被施加在接触
DIPIPM和散热器的表面上。
壳体和散热器之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热导率决定
应用的油脂。
供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm ，热传导率为1.0W / mK的。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
V
D
= V
DB
= 15V
条件
I
C
= 30A ，T
j
= 25°C
分钟。
—
—
—
0.70
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.90
2.00
1.70
1.30
0.30
0.40
1.70
0.40
—
—
马克斯。
2.50
2.60
2.20
1.90
—
0.60
2.65
1.00
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
V
IN
= 5V
I
C
= 30A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 30A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 30A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2008年9月
5
QQ：2881677436 复制
