三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
PS21965-ST
集成电源功能
600V / 20A低损耗CSTBT
TM
三个逆变桥
相直流 - 交流功率转换。
打开发射器类型。
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） ，过温保护（ OT ） 。
故障信号：对应的SC故障（下桥臂IGBT ） ，欠压故障（下侧电源）或OT故障（ LVIC温度） 。
输入接口： 3V ， 5V线（高电平有效） 。
UL认可：黄牌号E80276
应用
AC100V 200V逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包大纲
38
±0.5
20×1.778 (=35.56 )
35
±0.3
A
16-0.5
1
(1)
尺寸（mm）
B
0.4
3.5
1.5
±0.05
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
VUFB
VVFB
VWFB
UP
VP
WP
VP1
VNC *
UN
VN
WN
VN1
FO
CIN
VNC *
NC
NW
NV
NU
W
V
U
P
NC
0.28
1.778
±0.2
17
14.4
±0.5
(3.5)
33.7
±0.5
±0.5
14.4
±0.5
2-
12
.6
R1
QR
CODE
型号名称
LOT号
3分钟
29.2
±0.5
24
±0.5
18.9
0.8
散热器侧
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
25
4-C1.2
0.4
8-0.6
0.5
2.5分钟
(2.656)
(0°~5°)
(3.3)
1.5m
in
9.5
±0.5
(1.2)
(1.2)
(2.756)
细节A
DETAIL B
散热器侧
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
QR码是注册DENSO WAVE INCORPORATED的商标在日本和其他国家。
另一个保持开路。
5.5
±0.5
2009年3月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
P- NU ， NV ， NW之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃，小于1ms
T
C
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
450
500
600
20
40
35.7
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 ：
在DIPIPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
C
≤
100 ℃）。然而，为了烯
在DIPIPM的肯定安全运行，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
C
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
V
CC （ PROT ）
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
销和散热器板之间
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：
T
C
测量点
控制端
11.6mm
3mm
IGBT芯片位置
FWD芯片位置
电源端子
T
C
点
散热器侧
2009年3月
2
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
2.8
3.9
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200μm的DIPIPM的接触表面上，并
散热器。
DIPIPM的情况下与散热器之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热导确定
生产力应用的润滑脂。供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm和
的热传导率为1.0W /米·K 。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ，T
j
= 25°C
V
IN
= 5V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 20A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.70
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.70
1.80
1.90
1.30
0.30
0.50
1.60
0.40
—
—
马克斯。
2.20
2.30
2.40
1.90
—
0.75
2.20
0.75
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
控制（保护）第
符号
参数
条件
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 0V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
V
SC
= 0V ，女
O
端的上拉至5V通过10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
T
j
= 25 ° C，V
D
= 15V
（注4 ）
V
IN
= 5V
旅行等级
V
D
= 15V,
在LVIC温度
跳闸/复位迟滞
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
（注6 ）
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.43
0.70
100
—
10.0
10.5
10.3
10.8
20
—
0.8
0.35
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.48
1.00
120
10
—
—
—
—
—
2.1
1.3
0.65
马克斯。
2.80
0.55
2.80
0.55
—
0.95
0.53
1.50
140
—
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.6
—
—
单位
I
D
短路电流
mA
V
FOH
V
FOL
V
SC （ REF）
I
IN
OT
t
OT
rh
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
FAULT输出电压
短路跳闸等级
输入电流
过温保护
（注5 ）
控制电源欠压
保护
故障输出脉冲宽度
对阈值电压
断阈值电压
开/关阈值的滞后
电压
V
V
V
mA
°C
V
V
V
V
s
V
V
V
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
注4 ：
短路保护功能只对下臂。请选择外部分流电阻，使得SC跳闸水平
小于1.7倍的额定电流。
5 :
过温保护（ OT ）将输出故障信号，当LVIC温度超过OT跳闸温度水平（ OT
t
） 。在这种情况下
如果散热器脱落DIPIPM或固定松散，不重用DIPIPM 。 （有一种可能性，即功率芯片的结温
超过最大的T
j
(150°C)).
6 :
故障信号仅对应于短路，紫外或OT失败于下侧，并且在F
O
脉冲宽度为每个故障 - 不同
URE模式。对于SC故障，女
O
输出是与20μsec （分钟）的一个固定的宽度，而对于紫外线或OT失败，女
O
在连续输出
整个UV或OT期间，但是，极小F
O
脉冲宽度为20μsec （分）很短的紫外光或OT期限小于20μsec 。
2009年3月
3
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
条件
安装螺钉： M3
推荐： 0.69 N·m的
（注7 ）
（注8）
分钟。
0.59
—
–50
范围
典型值。
—
10
—
马克斯。
0.78
—
100
单位
N·m的
g
m
重量
散热器平整度
注7 ：
平垫圈（ ISO 7089 7094 ）的建议。
注8 ：
平直度测量位置
测量位置
+ –
4.6mm
散热器侧
–
+
散热器侧
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许均方根当前
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
对于每个输入信号，T
C
≤
100°C
T
C
≤
100℃， TJ
≤
125°C
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V,
f
PWM
=为5kHz
P.F = 0.8 ，正弦PWM，
（注9 ）F
PWM
= 15kHz的
T
j
≤
125°C ，T
C
≤
100°C
（注10 ）
分钟。
0
13.5
13.0
–1
1.5
—
—
—
0.5
0.5
范围
典型值。
300
15.0
15.0
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
400
16.5
18.5
1
—
20
10.0
武器
6.0
—
—
5.0
s
V
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
PWIN （上）允许的最小输入
PWIN （关闭）脉冲宽度
V
NC
变异
–5.0
V
NC
V之间
NC
-NU ， NV ，NW （包括浪涌）
注9 ：
允许的均方根电流值取决于实际的应用条件。
10 :
IPM可能没有反应，如果输入信号的脉冲宽度小于建议的最低值。
2009年3月
4
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
图。 2 DIPIPM的内部电路
V
UFB
HVIC
P
V
UB
V
P1
U
P
V
NC
V
CC
IGBT1
Di1
U
P
COM
U
OUT
V
US
U
V
VFB
V
P
V
VB
V
P
IGBT2
V
OUT
V
VS
Di2
V
V
WFB
W
P
V
WB
W
P
IGBT3
W
OUT
V
WS
Di3
W
IGBT4
Di4
LVIC
U
OUT
V
N1
V
CC
NU
IGBT5
V
OUT
Di5
U
N
V
N
W
N
Fo
U
N
V
N
W
N
Fo
W
OUT
CIN
V
NO
NV
IGBT6
Di6
NW
V
NC
GND
CIN
2009年3月
5
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
PS21965-ST
集成电源功能
600V / 20A低损耗CSTBT
TM
三个逆变桥
相直流 - 交流功率转换。
打开发射器类型。
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） ，过温保护（ OT ） 。
故障信号：对应的SC故障（下桥臂IGBT ） ，欠压故障（下侧电源）或OT故障（ LVIC温度） 。
输入接口： 3V ， 5V线（高电平有效） 。
UL认可：黄牌号E80276
应用
AC100V 200V逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包大纲
38
±0.5
20×1.778(=35.56 )
35
±0.3
A
16-0.5
1
(1)
尺寸（mm）
B
0.4
3.5
1.5
±0.05
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
（VNC）
VUFB
VVFB
VWFB
UP
VP
WP
VP1
VNC *
UN
VN
WN
VN1
FO
CIN
VNC *
NC
NW
NV
NU
W
V
U
P
NC
0.28
1.778
±0.2
17
14.4
±0.5
(3.5)
33.7
±0.5
18.9
±0.5
12
±0.5
2-
R1
.6
QR
CODE
型号名称
LOT号
3分钟
29.2
±0.5
24
±0.5
14.4
0.8
散热器侧
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54(=35.56)
0.5
0.5
0.5
25
4-C1.2
0.4
8-0.6
0.5
2.5分钟
(2.656)
(0°~5°)
(3.3)
1.5m
in
9.5
±0.5
(1.2)
(1.2)
(2.756)
细节A
DETAIL B
散热器侧
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针）内DIP -IPM连接，请1或者连接外部的15V电源和GND
另一个保持开路。
5.5
±0.5
2007年3月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
P- NU ， NV ， NW之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃，小于1ms
T
C
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
450
500
600
20
40
35.7
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 ：
在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
C
≤
100 ℃）。然而，为了
确保在DIP-IPM的安全操作，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
C
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
V
CC （ PROT ）
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
销和散热器板之间
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：
T
C
测量点
控制端
DIP -IPM
11.6mm
3mm
IGBT芯片位置
FWD芯片位置
电源端子
T
C
点
散热器侧
2007年3月
2
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
2.8
3.9
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200μm的DIP-IPM的接触表面上
和散热器。
DIP-IPM的情况下，与热沉之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热测定
导电性的应用润滑脂。供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm和
的热传导率为1.0W /米·K 。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 20A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 20A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
开关时间
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.70
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.70
1.80
1.90
1.30
0.30
0.50
1.60
0.40
—
—
马克斯。
2.20
2.30
2.40
1.90
—
0.75
2.20
0.75
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
控制（保护）第
符号
参数
条件
V
D
= V
DB
= 15V
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
IN
= 5V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 0V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
V
SC
= 0V ，女
O
端的上拉至5V通过10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
T
j
= 25 ° C，V
D
= 15V
（注4 ）
V
IN
= 5V
旅行等级
V
D
= 15V,
在LVIC温度
跳闸/复位迟滞
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
（注6 ）
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.43
0.70
100
—
10.0
10.5
10.3
10.8
20
—
0.8
0.35
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.48
1.00
120
10
—
—
—
—
—
2.1
1.3
0.65
马克斯。
2.80
0.55
2.80
0.55
—
0.95
0.53
1.50
140
—
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.6
—
—
单位
I
D
短路电流
mA
V
FOH
V
FOL
V
SC （ REF）
I
IN
OT
t
OT
rh
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
FAULT输出电压
短路跳闸等级
输入电流
过温保护
（注5 ）
控制电源欠压
保护
故障输出脉冲宽度
对阈值电压
断阈值电压
开/关阈值的滞后
电压
V
V
V
mA
°C
V
V
V
V
s
V
V
V
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
注4 ：
短路保护功能只对下臂。请选择外部分流电阻，使得SC跳闸水平
小于1.7倍的额定电流。
5 :
过温保护（ OT ）将输出故障信号，当LVIC温度超过OT跳闸温度水平（ OT
t
） 。在这种情况下
如果散热器脱落DIP -IPM或固定松散，不重复使用DIP -IPM 。 （还有一种可能性，即权力的结温
筹码超过了最大的T
j
(150°C)).
6 :
故障信号仅对应于短路，紫外或OT失败于下侧，并且在F
O
脉冲宽度为每个故障 - 不同
URE模式。对于SC故障，女
O
输出是与20μsec （分钟）的一个固定的宽度，而对于紫外线或OT失败，女
O
在连续输出
整个UV或OT期间，但是，极小F
O
脉冲宽度为20μsec （分）很短的紫外光或OT期限小于20μsec 。
2007年3月
3
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
条件
安装螺钉： M3
推荐： 0.69 N·m的
（注7 ）
（注8）
分钟。
0.59
—
–50
范围
典型值。
—
10
—
马克斯。
0.78
—
100
单位
N·m的
g
m
重量
散热器平整度
注7 ：
平垫圈（ ISO 7089 7094 ）的建议。
注8 ：
平直度测量位置
测量位置
+ –
4.6mm
DIP -IPM
散热器侧
–
+
散热器侧
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许均方根当前
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
对于每个输入信号，T
C
≤
100°C
T
C
≤
100℃， TJ
≤
125°C
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V,
f
PWM
=为5kHz
P.F = 0.8 ，正弦PWM，
（注9 ）F
PWM
= 15kHz的
T
j
≤
125°C ，T
C
≤
100°C
（注10 ）
分钟。
0
13.5
13.0
–1
1.5
—
—
—
0.5
0.5
范围
典型值。
300
15.0
15.0
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
400
16.5
18.5
1
—
20
10.0
武器
6.0
—
—
5.0
s
V
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
PWIN （上）允许的最小输入
PWIN （关闭）脉冲宽度
V
NC
变异
–5.0
V
NC
V之间
NC
-NU ， NV ，NW （包括浪涌）
注9 ：
允许的均方根电流值取决于实际的应用条件。
10 :
IPM可能没有反应，如果输入信号的脉冲宽度小于建议的最低值。
2007年3月
4
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-ST
模内转印式
绝缘型
图。 2在DIP-IPM内部电路
V
UFB
HVIC
IGBT1
Di1
DIP -IPM
P
V
UB
V
P1
U
P
V
NC
V
CC
U
P
COM
U
OUT
V
US
U
V
VFB
V
P
V
VB
V
P
IGBT2
V
OUT
V
VS
Di2
V
V
WFB
W
P
V
WB
W
P
IGBT3
W
OUT
V
WS
Di3
W
IGBT4
Di4
LVIC
U
OUT
V
N1
V
CC
NU
IGBT5
V
OUT
Di5
U
N
V
N
W
N
Fo
U
N
V
N
W
N
Fo
W
OUT
CIN
V
NO
NV
IGBT6
Di6
NW
V
NC
GND
CIN
2007年3月
5
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