三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-T/-AT/-CT/-TW
模内转印式
绝缘型
PS21965-T
集成电源功能
600V / 20A低损耗CSTBT
TM
三个逆变桥
相直流 - 交流功率转换
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） ，过温保护（ OT ） 。
故障信号：对应的SC故障（下桥臂IGBT ） ，欠压故障（下侧电源）或OT故障（ LVIC温度） 。
输入接口： 3V ， 5V线（高电平有效） 。
UL认可：黄牌号E80276
应用
AC100V 200V的三相逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包装纲要（ PS21965 -T ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
终端代码
3.5
16-0.5
1.5
±0.05
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
NC
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
NC
NC
N
W
V
U
P
NC
尺寸（mm）
0.28
1.778
±0.2
17
1
(1)
14.4
±0.5
0.4
R
2-
14.4
±0.5
12
6
1.
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
18
0.28
2.54
±0.2
25
8-0.6
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
0.5
4-C1.2
(3.3)
2.5分钟
(0~5°)
(2.656)
0.4
1.5 M
IN
9.5
±0.5
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
2009年3月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-T/-AT/-CT/-TW
模内转印式
绝缘型
图。 2 LONG终端类型包装纲要（ PS21965 -AT ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
3.5
16-0.5
(1)
尺寸（mm）
终端代码
1.5
±0.05
0.4
0.28
1.778
±0.2
17
1
14.4
±0.5
R1
2-
.6
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
0.8
散热器侧
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
0.5
0.5
0.5
25
8-0.6
4-C1.2
0.4
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
NC
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
NC
NC
N
W
V
U
P
NC
14.4
±0.5
12
29.4
±0.5
24
±0.5
(3.5)
(3.3)
0.5
2.5分钟
(0~5°)
1.5 M
(2.656)
14
±0.5
IN
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
图。 3 ZIGZAG终端类型包装纲要（ PS21965 -CT ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
3.5
1.5
±0.05
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
尺寸（mm）
终端代码
NC
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
NC
NC
N
W
V
U
P
NC
17
1
(1)
18.9
±0.5
14.4
±0.5
33.7
±0.5
14.4
±0.5
R1
2-
.6
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
12
0.4
0.4
0.28
1.778
±0.2
16-0.5
18
0.28
2.54
±0.2
14×2.54 (=35.56)
25
8-0.6
4-C1.2
0.5
0.5
0.5
(2.656)
(0~5°)
(0~5°)
0.4
1.5 M
IN
9.5
±0.5
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
2009年3月
2
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-T/-AT/-CT/-TW
模内转印式
绝缘型
图。 4两旁ZIGZAG终端类型包装纲要（ PS21965 - TW ）
38
±0.5
20×1.778(=35.56)
35
±0.3
A
B
3.5
1.5
±0.05
0.4
尺寸（mm）
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
NC
V
UFB
V
VFB
V
WFB
U
P
V
P
W
P
V
P1
V
NC
*
U
N
V
N
W
N
V
N1
F
O
CIN
V
NC
*
NC
NC
NC
N
W
V
U
P
NC
0.28
1.778
±0.25
16-0.5
(1)
17
1
17.4
±0.5
14.4
±0.5
35.2
±0.6
±0.5
2
17.4
14.4
±0.5
12
6
1.
-R
QR
CODE
3分钟
型号名称
LOT号
29.2
±0.5
24
±0.5
(3.5)
0.8
散热器侧
0.4
(1.8)
14×2.54(=35.56)
0.5
0.5
0.5
2.5分钟
(0~5°)
0.28
2.54
±0.25
7-0.6
4-C1.2
0.4
(0~5°)
18
25
0.4
1.5 M
(2.656)
11
±0.5
IN
5.5
±0.5
(1.2)
(2.756)
细节A
散热器侧
(1.2)
DETAIL B
* ）两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
QR码是注册DENSO WAVE INCORPORATED的商标在日本和其他国家。
另一个保持开路。
图。 5内部功能框图（典型的应用实例）
CBU-
CBV-
CBU +
CBW-
CBV +
CBW +
C1 ：电解型具有良好的温度和频率
特征
（注意：该电容值取决于PWM控制
所施加的系统中使用的方案） 。
C2 ： 0.22 2μF R-类陶瓷电容用于滤波。
高侧输入（PWM）的
（ 3V，5V线）（注1，注2）
输入信号
空调
电平转换器
保护
电路（UV）的
输入信号
空调
电平转换器
输入信号
空调
电平转换器
C2
C1
（注6 ）
（注5 ）
浪涌电流
限幅电路
P
驱动电路
驱动电路
驱动电路
H-侧IGBT的
S
DIPIPM
AC线路输入
（注4 ）
U
V
W
（注7 ）
M
AC线路输出
Z
C
V
NC
N1
N
L-侧IGBT的
S
CIN
Z：浪涌吸收器
C：交流滤波器（陶瓷电容2.2 6.5nF ）
（注：此外，适当的线到线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境中）。
驱动电路
输入信号调理
佛逻辑
保护
控制电源
电路
欠压
保护
低端输入（ PWM ）F
O
（ 3V，5V线）（注1,2）故障输出（5V线）
（注3）
（注6 ）
V
NC
V
D
（ 15V线）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
输入逻辑高电平有效。有一个3.3kΩ（最小）的下拉电阻内置的每个输入电路。当使用外部CR滤波器，请使其满足
输入阈值电压。
由于没有任何光耦合器或变压器集成的应用程序特定类型的HVIC模块，直接连接到MCU的终端里面
隔离是可能的。 （也参见图11）
这个输出是漏极开路型。信号线应拉至5V电源的正极大约10kΩ电阻。
（也参见图11）
电源的直流链路电容器和P之间的布线， N1的端子应尽可能地短，以防止灾难性高的DIPIPM
浪涌电压。另外需要注意的小薄膜吸收电容（ 0.1 0.22μF ，高压型） ，建议安装在靠近
这些P & N1直流电源输入引脚。
高电压（600V以上），快速恢复型（不超过100ns ）二极管应在自举电路中使用。
建议将每对控制电源端子，以防止浪涌破坏之间的齐纳二极管（ 24V / 1W ） 。
引导负极应直接连接到U，V ， W端子和主输出线分开。
2009年3月
3
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-T/-AT/-CT/-TW
模内转印式
绝缘型
图。 DIPIPM的保护电路6外部
DIPIPM
驱动电路
P
短路保护功能（ SC ） ：
短路保护是通过检测L-侧直流母线电流（通过外部取得
分流电阻）允许一个适当的过滤时间（由RC电路定义的）之后。
当感测到的分流电压超过SC触发电平时，所有的L侧IGBT导通
关和一个故障信号（FO）是输出。由于SC故障可能是重复性的，它是
建议停止系统接收到佛的信号时，并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
H-侧IGBT的
S
U
V
W
L-侧IGBT的
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
（注1 ）
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
（注2 ）
0
2
t
w
(s)
注1 ：
在推荐的外部保护电路，请选择RC时间范围内恒定的1.5 为2.0μs 。
2:
为了防止错误的保护动作， A，B中，C的布线应尽可能的短。
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃，小于1ms
T
C
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
450
500
600
20
40
35.7
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 ：
在DIPIPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
C
≤
100 ℃）。然而，为了烯
在DIPIPM的肯定安全运行，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
C
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
2009年3月
4
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21965-T/-AT/-CT/-TW
模内转印式
绝缘型
系统总
参数
自我保护限制电压
V
CC （ PROT ）
（短路保护功能）
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
销和散热器板之间
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：
T
C
测量点
控制端
11.6mm
3mm
IGBT芯片位置
FWD芯片位置
电源端子
T
C
点
散热器侧
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
2.8
3.9
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200μm的DIPIPM的接触表面上，并
散热器。
DIPIPM的情况下与散热器之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热导确定
生产力应用的润滑脂。供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm和
的热传导率为1.0W /米·K 。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 20A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 20A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.70
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.70
1.80
1.90
1.30
0.30
0.50
1.60
0.40
—
—
马克斯。
2.20
2.30
2.40
1.90
—
0.75
2.20
0.75
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
2009年3月
5
QQ：2880707522 复制
