2.10
3
rd
代DIP和Mini - DIP -IPM
(双列直插式
封装智能功率模块)
产品特点:
采用5
th
新一代平面IGBT芯片与0.6微米设计规则
或CSTBT 技术,卓越的性能损失
超紧凑的单或双列直插式压注模封装
(有2兼容
nd
代)
包括驱动器和保护电路(UV , SC )
DIP-IPM与由20%减少热阻的
2500V
RMS
隔离电压
可直接连接到3V或5V MCU的高活性接口逻辑
最高的可靠性和优化的EMI性能
可从3A到50A / 600V的电机额定从0.1KW到3.7kW的
选购与发射极开路拓扑矢量控制
所有三菱DIP和Mini - DIP- IPM的有无铅端子
从2006年1月起,所有的DIP和Mini - DIP- IPM的意志
与完全无铅工艺提供
阵容DIP ,微型DIP & SIP -IPM
2.
TYPE
隔离电压
(V)
V
CES
(V)
电机功率(KW )
0.1
0.2
0.4
0.75
1.5
PS21065
2.2
PS21067
3.7
PS21069
超级DIP
DIP
2500
微型DIP
PS21661-FR
PS21661-RZ
600
PS21562-P
PS21562-SP*
PS21563-P
PS21563-SP*
PS21864-P
PS21564-P
PS21564-SP*
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
SIP
*打开发射器拓扑
电气特性
类型编号
热&机械
特征
V
CES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
适用
汽车评级
( kW)的
0.2
0.4
0.75
0.75
1.5
2.2
3.7
0.2
0.4
0.75
1.5
2.2
3.7
0.1
I
C
(A)
5
10
15
15
20
30
50
5
10
15
20
30
50
3
f
C
(千赫)
PS21562-P
PS21563-P
PS21564-P
PS21864-P
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
PS21562-SP
PS21563-SP
PS21564-SP
PS21065
PS21067
PS21069
PS21661-RZ/-FR
典型值。
马克斯。
微型DIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
DIP -IPM 600伏
20
2500
1.7
2.2
1.50
0.30 0.50 1.40
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
微型DIP -IPM 600伏随着打开发射器拓扑
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
超级DIP -IPM 600伏随着开放式发射器TopologySIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
SIP -IPM 600伏
15
2500
1.6
2.15
0.85
0.20 0.35 1.00
隔离
电压
(V)
V
CE ( SAT )
@ T
j
=25°C
(V)
典型的开关时间
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
(s) (s) (s) (s) (s)
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.55
IGBT
R
日(J -F )
( ° C / W)
6.0
5.0
4.5
2.30
1.90
1.65
1.42
6.0
5.0
4.5
1.90
1.65
1.42
9.0
二极管
R
日(J -F )
( ° C / W)
6.5
6.5
6.5
3.2
3.0
3.0
2.0
6.5
6.5
6.5
2.85
2.55
2.30
9.0
套餐 -
号
D4
D4
D4
D3
D3
D3
D3
D5
D5
D5
D6*
D6*
D6*
SIP1
*包装D6画下看到2.8 。 1200V DIP -IPM , P 。 50
54
功率器件总目录2005年
2.10
3
rd
代DIP和Mini - DIP -IPM
包装D3
包装D4
2.
包装D5
包装SIP1
尺寸(mm)
www.mitsubishichips.com · WWW 。 mitsubishielectric.de
55
PS21661-RZ/-FR
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
Intellimod 模块
单在线路智能
电源模块
3安培/ 600伏
A
D
M
L
K
J
H
G
35
34
33
32
31
30
散热器侧面
C
W
N
P
Y
X
E
AK
V
( 2处)
F
AJ
Z
AA
AL
AD
AB
AH
U
T
Q
R
S
AE
AG
AF
AC
B
PS21661-RZ
1
2 3 4 5
6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
散热器侧面
终端代码
1
2
3
4
5
6
N
P
FO
NC
VNC
CIN
7
8
9
10
11
12
VN1
NC
WN
VWFB
WP
W( VWFS )
13
14
15
16
17
18
NC
VPG
NC
VN1
NC
VN
VVFBV
19
20
21
22
23
24
VP
V( VVFS )
NC
UPG
NC
VN1
NC
25
26
27
28
29
30
UN
VUFB
UP
U( VUFS )
NC
NC
31
32
33
34
35
NC
NC
NC
NC
NC
描述:
SIP - IPM的是智能电源
集成电源模块
设备,驱动程序和保护
电路在一个超紧凑的
单输入线传输模
包在驾驶小型应用
三相电机。利用5日
新一代的IGBT , SIP封装,
应用注明: IC的HVIC
使设计人员能够降低
逆变器的尺寸和整体设计
时间。
产品特点:
□
紧凑型封装
□
单电源供电
□
集成的HVIC
□
直接连接到CPU
应用范围:
□
洗衣机
□
冰箱
□
空调器
□
小型伺服电机
□
小电机控制
订货信息:
PS21661 - RZ是600V ,
3安培SIP智能
电源模块。
大联大
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
英寸
1.50
0.94
0.16
1.38
0.33
0.61
0.15
0.38
0.57
0.80
1.00
1.23
0.047
0.028
1.39
0.048
0.05
0.10
MILLIMETERS
38.0
24.0
4.0
35.0
8.5
15.5
3.8
9.6
14.6
20.4
25.4
31.2
1.2
0.7
35.28
1.22
1.27
2.54
尺寸
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
英寸
0.02
0.06
0.07
0.03
0.11
0.90
0.75
0.17
0.20
0.09
0.15
0.05
0.20
0.016
0.13
0.14
0.28
MILLIMETERS
0.5
1.6
1.9
0.8
2.7
22.8
19.0
4.2
5.2
2.4
3.81
1.27
5.08
0.4
3.3
3.6
0.7
1
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
PS21661-RZ/-FR
Intellimod 模块
单直插智能功率模块
3安培/ 600伏
A
D
M
L
K
J
H
G
35
34
33
32
31
30
散热器侧面
C
W
N
P
Y
X
E
AG
V
( 2处)
F
AH
Z
AA
AJ
0°
+10°
-0°
AB
AD
AC
0°
+10°
-0°
R
B
PS21661-FR
1
2 3 4 5
6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
U
T
Q
S
AF
AE
散热器侧面
终端代码
1
2
3
4
5
6
N
P
FO
NC
VNC
CIN
7
8
9
10
11
12
VN1
NC
WN
VWFB
WP
W( VWFS )
13
14
15
16
17
18
NC
VPG
NC
VN1
NC
VN
VVFBV
19
20
21
22
23
24
VP
V( VVFS )
NC
UPG
NC
VN1
NC
25
26
27
28
29
30
UN
VUFB
UP
U( VUFS )
NC
NC
31
32
33
34
35
NC
NC
NC
NC
NC
大联大
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
英寸
1.50
0.94
0.16
1.38
0.33
0.61
0.15
0.38
0.57
0.80
1.00
1.23
0.047
0.028
1.39
0.048
0.05
MILLIMETERS
38.0
24.0
4.0
35.0
8.5
15.5
3.8
9.6
14.6
20.4
25.4
31.2
1.2
0.7
35.28
1.22
1.27
尺寸
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
英寸
0.10
0.02
0.06
0.07
0.03
0.11
0.90
0.71
0.20
0.016
0.09
0.22
0.26
0.14
0.13
0.028
MILLIMETERS
2.54
0.5
1.6
1.9
0.8
2.7
22.8
18.1
5.08
0.4
2.4
5.5
6.5
3.6
3.3
0.7
2
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
PS21661-RZ/-FR
Intellimod 模块
单直插智能功率模块
3安培/ 600伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率器件结温*
散热器工作温度(见T
f
测量点示意图)
储存温度
安装扭矩, M3安装螺丝
模块重量(典型)
自我保护限制电压(短路保护功能) **
隔离电压, AC 1分钟, 60Hz的正弦,连接到引脚散热板
符号
T
j
T
f
T
英镑
—
—
V
CC ( PROT )。
V
ISO
PS21661-RZ/-FR
-20至125
-20-100
-40至125
7
10
400
2500
单位
°C
°C
°C
在磅
克
伏
伏
*在SIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C( @T
f
≤
100 ℃)。但是,为了确保在SIP -IPM的安全操作,
平均结温应限制至T
J(下AVG)
≤
125°C ( @T
f
≤
100°C).
**V
D
= 13.5 16.5V ,逆变部分,T
j
= 125 ℃,非重复,小于2μs的
IGBT逆变器行业
集电极 - 发射极电压
集电极电流(T
f
= 25°C)
峰值集电极电流(T
f
= 25 ° C,T
w
≤
1ms)
电源电压(P之间应用 - N)
电源电压,浪涌(P之间应用 - N)
集电极耗散(T
f
= 25 ° C,每1片)
V
CES
±I
C
±I
CP
V
CC
V
CC (浪涌)
P
C
600
3
6
450
500
11.1
伏
安培
安培
伏
伏
瓦
管理部门
V的电源电压(应用
N1
-V
NC
)
V的电源电压(应用
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V(V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
))
ü之间的输入电压(使用
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
)
F之间的故障输出电源电压(使用
O
-V
NC
)
故障输出电流(灌电流以F
O
终奌站)
C的差别电流检测输入电压(使用
IN
-V
NC
)
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
20
20
-0.5 ~ V
D
-0.5 ~ V
D
10
-0.5 ~ V
D
伏
伏
伏
伏
mA
伏
T
f
测量点
控制端
SIP -IPM
10.5mm
15mm
阿尔局
1.5mm
10mm
FWDI CHIP
IGBT芯片
25mm
温度
测量点
(里面的铝板)
温度
测量点
(里面的铝板)
3
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
PS21661-RZ/-FR
Intellimod 模块
单直插智能功率模块
3安培/ 600伏
电气和机械特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
IGBT逆变器行业
收藏家Cuto FF电流
I
CES
V
EC
V
CE ( SAT )
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V,
I
C
= 3A ,T
j
= 125°C ,V
IN
= 0
5V,
感性负载(上,下臂)
V
CE
= V
CES
, T
j
= 25°C
V
CE
= V
CES
, T
j
= 125°C
二极管的正向电压
集电极 - 发射极饱和电压
T
j
= 25 ° C, -I
C
= 3A ,V
IN
= 0V
I
C
= 3A ,T
j
= 25 ° C,V
D
= V
DB
= 15V, V
IN
= 5V
I
C
= 3A ,T
j
= 125°C ,V
D
= V
DB
= 15V, V
IN
= 5V
感性负载开关时间
—
—
—
—
—
0.50
—
—
—
—
—
—
1.55
1.60
1.70
0.85
0.20
0.35
1.00
0.55
1.0
10
2.00
2.15
2.30
1.25
—
0.55
1.50
1.10
mA
mA
伏
伏
伏
S
S
S
S
S
热特性
特征
结到散热片
热阻
符号
R
日(J -F ) Q
R
日(J -F )D
条件
IGBT部分(每1/6模块)
FWDI部分(每1/6模块)
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
9.0
9.0
单位
° C /瓦
° C /瓦
推荐的使用条件
特征
电源电压
控制电源电压
符号
V
CC
V
D
V
DB
控制电源变化
PWM输入频率
允许RMS电流*
V
D
,
V
DB
f
PWM
I
O
V
NC
PWIN
t
DEAD
T
f
≤
100C ,T
j
≤
125°C
V
CC
= 300V, V
D
= 15V ,女
c
= 15kHz时,
P
F
= 0.8正弦,T
j
≤
125°C ,T
f
≤
100°C
V
NC
端电压
最小输入脉冲宽度**
臂直通阻塞时间
V的应用
NC
-N (包括浪涌电压)
开/关
对于每个输入信号
-5
0.3
1.5
—
—
—
5
—
—
伏
S
S
条件
P -N端子之间施加
V的应用
N1
-V
NC
之间施加
V
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V(V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
-1
—
—
—
15
—
1
—
17
V / μs的
千赫
武器
分钟。
0
13.5
13.0
典型值。
300
15.0
15.0
价值
400
16.5
18.5
单位
伏
伏
伏
*允许的电流有效值取决于实际应用的条件。
**有可能是没有输出,当输入信号宽度小于PWIN 。
4
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
PS21661-RZ/-FR
Intellimod 模块
单直插智能功率模块
3安培/ 600伏
电气和机械特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
管理部门
电源电压
V
D
V
DB
短路电流
I
D
V的应用
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
,
V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
D
= 15V, V
IN
= 0V,
总的V
N1
-V
NC
( U,V , W)
V
D
= 15V, V
IN
= 5V,
总的V
N1
-V
NC
( U,V , W)
I
DB
V
DB
= 15V, V
IN
= 0V,
V
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V(V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
V
DB
= 15V, V
IN
= 5V,
V
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V(V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
FAULT输出电压
V
FOH
V
FOL
输入电流
PWM输入频率
短路跳闸等级*
电源电路欠压
I
IN
f
PWM
V
SC ( REF)
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
故障输出脉冲宽度**
对阈值电压
断阈值电压
t
FO
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC ,
U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
V
SC
= 0V ,女
O
电路: 1K
到5V拉
V
SC
= 1V ,我
FO
= -10mA
V
IN
= 5V
T
f
≤
100C ,T
j
≤
125°C
T
j
= 25 ° C,V
D
= 15V
旅行等级,T
j
≤
125°C
复位电平,T
j
≤
125°C
旅行等级,T
j
≤
125°C
复位电平,T
j
≤
125°C
4.9
—
0.70
—
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
20
2.10
1.10
—
—
1.06
15
0.48
—
—
—
—
40
2.35
1.40
—
0.95
1.50
—
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.60
1.80
伏
伏
mA
千赫
伏
伏
伏
伏
伏
S
伏
伏
—
—
0.50
mA
—
—
0.50
mA
—
—
3.60
mA
—
—
3.60
mA
13.5
13.5
15.0
15.0
16.5
16.5
伏
伏
*短路保护功能只能在较低的武器。请选择外部分流电阻的值,使得SC触发电平小于5.1A 。
** FO信号只断言,当SC或UV保护偏低激活。
5
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
PS21661-RZ/FR
PS21661-RZ/FR
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS21661-RZ
PS21661-FR
集成电源功能
600V / 3A低损耗的第5代IGBT逆变桥3
相直流 - 交流功率转换。
集成驱动,保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
:驱动电路,高压隔离的高速电平转换,控制电路欠压保护( UV) 。
对于小腿的IGBT
S
:驱动电路,控制电路欠压保护( UV) ,短路保护( SC ) 。
故障信号:对应于短路故障(下侧IGBT )或紫外线故障(下侧电源)。
输入接口: 5V线CMOS / TTL兼容施密特触发器接收电路(高电平有效) ,
臂短,通过联锁保护。
应用
AC100V 200V,三相逆变器驱动小功率电动机控制。
图。 1 PS21661 - RZ包装纲要
尺寸(mm)
q~#5
:销号。终端阵列,请注明出处
在图5 。
2004年3月
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
PS21661-RZ/FR
模内转印式
绝缘型
图。 2 PS21661 -FR封装图
尺寸(mm)
q~#5
:销号。终端阵列,请注明出处
在图7 。
最大额定值
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CC
V
CC (浪涌)
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压(浪涌)
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
f
= 25°C
T
f
= 25 ° C, TW
≤
1msec
T
f
= 25℃时,每1片
(注1 )
评级
450
500
600
3
6
13.8
–20~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 :
在SIP -IPM内部集成了功率芯片的最高结温额定值为150 ° C( @ T
f
≤
100℃),但是,要
保证在SIP -IPM的安全操作,平均结温应限制至T
J(下AVE )
≤
125°C ( @ T
f
≤
100°C).
控制(保护)第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U (V
UFS
),
V
VFB
-V (V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
,
U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
–0.5~V
D
10
–0.5~V
D
单位
V
V
V
V
mA
V
2004年3月
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
PS21661-RZ/FR
模内转印式
绝缘型
系统总
符号
参数
V
CC ( PROT )
自我保护限制电压
(短路保护功能)
散热器工作温度
T
f
储存温度
T
英镑
V
ISO
隔离电压
条件
V
D
= 13.5 16.5V ,逆变部分
T
j
= 125°C开始,不重复,不超过2
s
(注2 )
60Hz的正弦,AC 1分钟,连接
引脚散热片板
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 :T已
f
测量点
AI板规格:尺寸50
×
50
×
10mm的整理12S ,经-50 + 100微米
控制
码头
AI板
SIP -IPM
IGBT芯片
温度。测量
换货点
(里面的AI板)
FWD芯片
10.5mm
15mm
1.5mm
10mm
25mm
温度。测量点
(里面的AI板)
100 均匀200μm的应用硅润滑脂
热阻
符号
R
日(J -F ) Q
R
日(J -F )F
参数
结到散热鳍
阻力
条件
IGBT逆变器部分(每1/6模块)
变频器FWD部分(每1/6模块)
(注3)
(注3)
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
9.0
9.0
单位
° C / W
注3 :
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200微米上的SIP -IPM和一个接触的表面
散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 3A ,T
j
= 25°C
V
IN
= 5V
I
C
= 3A ,T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C, -I
C
= 3A ,V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= 15V
开关时间
I
C
= 3A ,T
j
= 125°C
感性负载(上,下臂)
V
IN
= 0
5V
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.35
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.60
1.70
1.55
0.70
0.20
0.35
1.00
0.55
—
—
马克斯。
2.15
2.30
2.00
1.10
—
0.55
1.50
1.10
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
控制(保护)第
符号
I
D
短路电流
I
DB
V
FOH
V
FOL
I
IN
V
SC ( REF)
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
FAULT输出电压
输入电流
短路跳闸等级
电源电路欠压
保护
故障输出脉冲宽度
对阈值电压
断阈值电压
参数
条件
V
D
= 15V, V
IN
= 0V
总的V
N1
-V
NC
( U,V , W)
V
D
= 15V, V
IN
= 5V
V
DB
= 15V, V
IN
= 0V V
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V (V
VFS
),
V
DB
= 15V, V
IN
= 5V V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
V
SC
= 0V ,女
O
电路:为1kΩ至5V的上拉
V
SC
= 1V , IF
O
= -10mA
V
IN
= 5V
T
j
= 25 ° C,V
D
= 15V
(注4 )
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
(注4 )
之间施加:
U
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.70
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
20
2.10
1.10
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
1.06
0.48
—
—
—
—
40
2.35
1.40
马克斯。
3.60
3.90
0.50
0.50
—
0.95
1.50
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.60
1.80
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
mA
V
V
V
V
V
s
V
V
注4 :
短路保护功能只在低的武器。请选择外部分流电阻的值,使得SC跳闸
平小于5.1A
2004年3月
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
PS21661-RZ/FR
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
重量
散热器平整度
安装螺丝( M3 )
(注5 )
条件
分钟。
0.59
—
–50
范围
典型值。
0.69
10
—
马克斯。
0.78
—
+100
单位
N·m的
g
m
注5:散热器平整度测量点
SIP -IPM
+ –
测量范围
3mm
散热器
–
+
散热器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
V
NC
t
XX
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许r.m.s电流
V
NC
端电压
最小脉冲宽度
条件
P -N之间施加
V的应用
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-U (V
UFS
), V
VFB
-V (V
VFS
), V
WFB
-W (V
世界粮食首脑会议
)
涉及到相应的输入信号拦截臂直通
T
j
≤
125°C ,T
f
≤
100°C
V
CC
= 300V, V
D
= 15V ,女
C
= 15kHz时, P.F = 0.8 ,正弦
T
j
≤
125°C ,T
f
≤
100°C
V的应用
NC
-N (包括浪涌电压)
U
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
, W
N
终奌站
分钟。
0
13.5
13.0
–1
1.5
—
—
–5
0.7
范围
典型值。
300
15.0
15.0
—
—
15
—
—
—
马克斯。
400
16.5
18.5
1
—
—
1.5
5
—
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
武器
V
s
2004年3月
三菱半导体<Single列直插封装智能功率Module>
PS21661-RZ/FR
模内转印式
绝缘型
图。 3的SIP -IPM内部电路
U( V
UFS
)
V
UFB
SIP -IPM
P
V
N1
V
CC
V
B
HO
V
S
COM
U
P
U
N
针
NIN
F
O
LO
VNO
N
CIN
V(V
VFS
)
V
VFB
V
N1
V
CC
V
B
HO
V
S
COM
V
P
V
N
针
NIN
F
O
LO
VNO
CIN
W( V
世界粮食首脑会议
)
V
WFB
V
N1
V
NC
W
P
W
N
Fo
CIN
V
CC
V
B
HO
V
S
COM
针
NIN
F
O
LO
VNO
CIN
2004年3月