添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第986页 > PS21265-P-AP
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21265-P/AP
PS21265-P/AP
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS21265
集成电源功能
600V / 20A低损耗5
th
对于代IGBT逆变桥
三相直流 - 交流功率转换
集成驱动,保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
:驱动电路,高压高速电平转换,控制电源欠压( UV)保护。
对于小腿的IGBT
S
:驱动电路,控制电源欠压保护( UV) ,短路保护( SC ) 。
故障信号:对应于短路故障(下侧IGBT )或紫外线故障(下侧电源)。
输入接口: 3 , 5V系列兼容。 (高活性)
UL认可:黄牌号E80276
应用
AC100V 200V的三相逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包装纲要(短脚型: PS21265 -P )
请参考图。 6长针型: PS21265 -AP 。
尺寸(mm)
27×2.8(=75.6)
2.8
±0.3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15 16 17 18 19 20 21
终端代码
D
散热器侧
型号名称,批号
11.5
±0.5
2-φ4.5
±0.2
13.4
±0.5
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
UP
VP1
VUFB
VUFS
VP
VP1
VVFB
VVFS
WP
VP1
VPC
VWFB
VWFS
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
VN1
VNC
CIN
首席财务官
FO
UN
VN
WN
P
U
V
W
N
21.4
±0.5
34.9
±0.5
31
±0.5
(11.5)
3.8
±0.2
22
23
24
25
26
10
±0.3
10
±0.3
10
±0.3
67
±0.3
79
±0.5
B
20
±0.3
(8.5)
A
28
±0.5
不规则焊遗体
0.5MAX
C
1
±0.2
1
±0.2
0.7
±0.2
0.7
±0.2
0.8
±0.2
不规则焊遗体
0.5MAX
0.8
±0.2
0.45
±0.2
0.8
±0.2
0.45
±0.2
0.45
±0.2
0.6
±0.5
C0
8
±0.5
12.8
±0.5
.2
C
0.
2
(2.5)
(71)
散热器侧
OTHERS
端子22 , 26
DETAIL B
( 5引脚T = 0.7 )
OTHERS
终端1-2 , 20-21
DETAIL
( 21引脚T = 0.7 )
0.5
±0.2
细节A
(0 ~ 5°)
细节d
注意:所有的外引线端子是与无铅焊锡镀层。
2005年10月
0.6
±0.5
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21265-P/AP
模内转印式
绝缘型
图。 2内部功能框图(典型的应用实例)
CBW +
CBW-
CBV +
CBV-
CBU-
CBU +
C1 :紧公差,温度补偿型电解
(注意:该电容值取决于PWM控制
方案所应用的系统中使用)。
C2 : 0.22 2μF R-类陶瓷电容用于滤波
高侧输入(PWM)的
(3, 5V线)(注1,注2)
输入信号输入信号输入信号
空调空调空调
电平转换器电平转换器电平转换器
保护
电路(UV)的
保护
电路(UV)的
保护
电路(UV)的
C2
(注7 )
C1
(注6 )
DIP -IPM
浪涌电流
限幅电路
P
驱动电路驱动电路驱动电路
AC线路输入
H-侧IGBT的
S
(注4 )
U
V
W
M
AC线路输出
C
Z
N1
V
NC
N
CIN
L-侧IGBT的
S
驱动电路
Z: ZNR (突波吸收器)
C:交流滤波器(陶瓷电容2.2 6.5nF )
(注:此外,适当的线到线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境。 )
输入信号调理
佛逻辑
保护
电路
控制电源
欠压
保护
F
O
首席财务官
低端输入( PWM )
(3, 5V线)(注1,2)故障输出(5V线)
(注3,5)
(注7 )
V
NC
V
D
( 15V线)
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
7:
输入信号的逻辑是高活性。 DIP-IPM的输入信号部分集成了2.5kΩ (最小)的下拉电阻。
如果使用外部RC滤波器,要注意满足导通/关断阈值电压的要求。
由于没有任何光耦合器或变压器集成的应用程序特定类型的HVIC模块,直接连接到MCU的终端里面
隔离是可能的。
这个输出是漏极开路型。信号线应拉至5V电源的正极大约10kΩ电阻。
电源的直流链路电容器和P之间的布线, N1的端子应尽可能地短,以防止灾难性高的DIP-IPM
浪涌电压。另外需要注意的小薄膜吸收电容( 0.1 0.22μF ,高压型) ,建议安装在靠近
这些P & N1直流电源输入引脚。
FO输出脉冲宽度应通过将外部电容CFO和V之间的决定
NC
终端。 (例如:C
FO
=22nF
t
FO
=具有1.8ms ( TYP。))
高电压(600V以上),快速恢复型(不超过100ns )二极管应在自举电路中使用。
为了防止IC
S
从浪涌的破坏,建议插入一个齐纳二极管(24V , 1W)各控制电源端子之间。
图。 DIP-IPM的保护电路3外部
DIP -IPM
驱动电路
P
短路保护功能( SC ) :
短路保护是通过检测L-侧直流母线电流(通过外部取得
分流电阻)允许一个适当的过滤时间(由RC电路定义的)之后。
当感测到的分流电压超过SC触发电平时,所有的L侧IGBT导通
关和一个故障信号(FO)是输出。由于SC故障可能是重复性的,它是
建议停止系统接收到佛的信号时,并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
H-侧IGBT的
S
U
V
W
L-侧IGBT的
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
(注1 )
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
(注2 )
0
2
t
w
(s)
注1 :
2:
在推荐的外部保护电路,请选择RC
时间范围为1.5在2.0μs恒定。
为了防止错误的保护动作, A,B的连线,C应
是尽可能地短。
2005年10月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21265-P/AP
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CC
V
CC (浪涌)
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压(浪涌)
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃,小于1ms
T
C
= 25℃时,每1片
(注1 )
评级
450
500
600
20
40
51.2
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1 :
在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C( @ T
C
100℃),但是,在 -
在DIP-IPM的肯定安全运行,平均结温应限制至T
J(下AVE )
125°C ( @ T
C
100°C).
控制(保护)第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,
V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
自我保护限制电压
V
CC ( PROT )
(短路保护功能)
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ,逆变部分
T
j
= 125 ℃,非重复,少于2
s
(注2 )
60Hz的正弦,AC 1分钟,连接
引脚散热片板
评级
400
–20~+100
–40~+125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 :
T
C
测量点
控制端
散热器
T
C
T
C
散热片的边界
电源端子
2005年10月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21265-P/AP
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )F
R
TH( C-F )F
参数
结到外壳热
阻力
(注3)
接触热阻
条件
IGBT逆变器部分(每1/6模块)
变频器FWDI部分(每1/6模块)
案例(每个模块1 )散热鳍片导热硅脂适用
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
1.95
3.00
0.067
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注3 :
脂具有良好的热导率应均匀,在接触表面上的厚度为约± 100微米+ 200μm的应用
的DIP-IPM和散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
条件
V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ,T
j
= 25°C
V
IN
= 5V
I
C
= 20A ,T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C, -I
C
= 20A ,V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ,T
j
= 125°C ,V
IN
= 0
5V
感性负载(上,下臂)
集电极 - 发射极截止
当前
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
0.65
范围
典型值。
1.55
1.65
1.50
1.25
0.30
0.40
1.50
0.50
马克斯。
2.05
2.15
2.00
1.85
0.60
2.10
0.80
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
开关时间
V
CE
= V
CES
控制(保护)第
符号
参数
条件
V
D
= V
DB
= 15V
总的V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V
IN
= 5V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
D
= V
DB
= 15V总的V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V
IN
= 0V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
SC
= 0V ,女
O
电路的上拉至5V与10kΩ的
V
SC
= 1V ,我
FO
= 1毫安
T
C
= -20 100 ° C,V
D
= 15V
(注4 )
V
IN
= 5V
旅行等级
复位电平
T
j
125°C
旅行等级
复位电平
C
FO
=值为22nF
(注5 )
分钟。
4.9
0.45
1.0
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
2.1
0.8
范围
典型值。
1.5
1.8
2.3
1.4
马克斯。
7.00
0.55
7.00
0.55
0.95
0.52
2.0
12.0
12.5
12.5
13.0
2.6
2.1
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
V
V
V
V
ms
V
V
I
D
短路电流
V
FOH
FAULT输出电压
V
FOL
短路跳闸等级
V
SC ( REF)
输入电流
I
IN
UV
DBT
控制电源欠压
UV
DBR
保护
UV
Dt
UV
Dr
故障输出脉冲宽度
t
FO
对阈值电压
V
TH (ON)的
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
断阈值电压
V
TH (OFF)的
注4 :
短路保护功能只在低的武器。请选择外部分流电阻,使得SC跳闸水平
小于2.0倍的集电极电流额定值(20A) 。
5 :
故障信号时,低臂短路或控制电源欠压保护功能动作输出。故障输出脉冲 -
宽度T
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式:C
FO
= 12.2
10
-6
t
FO
[F].
2005年10月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21265-P/AP
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
重量
散热器平整度
注6 :
安装螺丝: M4
条件
推荐: 1.18 N·m的
(注6 )
分钟。
0.98
–50
范围
典型值。
54
马克斯。
1.47
100
单位
N·m的
g
m
测量点
+ –
3mm
散热器
将联系
散热器
+
散热器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
PWIN (上)
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许均方根当前
条件
P -N之间施加
V的应用
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号,T
C
100°C
T
C
100C ,T
j
125°C
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V,
f
PWM
=为5kHz
P.F = 0.8 ,正弦脉宽调制
f
PWM
= 15kHz的
T
C
100C ,T
j
125°C (注7 )
(注8)
200
V
CC
350V,
低于额定电流
13.5
V
D
16.5V,
13.0
V
DB
18.5V,
之间的额定电流和
额定电流的1.7倍
–20°C
T
C
100°C,
N行布线电感小于
之间的1.7倍,
比10nH到
(注9 )2.0倍额定电流的
V
NC
推荐值
分钟。
典型值。
马克斯。
0
13.5
13.0
–1
2
0.3
1.4
2.5
3.0
300
15.0
15.0
400
16.5
18.5
1
20
14.0
武器
9.5
s
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
PWIN (关闭)
最小输入脉冲宽度
V
–5.0
V
NC
变异
V之间
NC
-N (包括浪涌)
5.0
注7 :
允许的均方根电流值取决于实际的应用条件。
8 :
输入信号ON脉冲宽度小于PWIN (上)可能没有响应。
9 :
IPM可能没有响应或者响应延迟至下一个导通脉冲,如果断脉冲宽度小于PWIN (关闭) 。 (请参阅图4)
请参考图9推荐接线方法了。
2005年10月
查看更多PS21265-P-APPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PS21265-P-AP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多PS21265-P-AP供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!