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三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21204
PS21204
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS21204
集成电源功能
600V / 15A低损耗第三代3 IGBT逆变桥
相直流 - 交流功率转换(图2)
应用电机额定参数:功率: 0.75kW的正弦, PWM
Frequency=5kHz
100 %负载电流: 5.0A ( RMS ) *
150 %负载电流: 7.5A ( RMS ) * ,
1分钟。
* (注)
:电动机电流被假定为正弦和
峰值电流值被定义为:升
O
!
2
集成驱动,保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
:驱动电路,高压隔离的高速电平转换,控制电路欠压( UV)保护。
注:自举电源方案可以应用(图2) 。
对于小腿的IGBT
S
:驱动电路,控制curcuit欠压保护( UV) ,短路保护( SC ) 。 (图3)的
故障信号:对应于短路故障(低端IGBT )或欠压故障(低端电源) 。
输入接口: 5V线CMOS / TTL兼容,施密特触发器接收电路。
应用
AC100V 200V的三相逆变器驱动的小功率(0.75千瓦)的电动机控制。
图。 1包大纲
2.8
1 2
3 4
5 6
7
8
9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20 21
11.5
31
2-φ4.5
22
23
24
25
26
10
10
10
67
79
20
13.4
21.4
3.8
端子CODE
1. U
P
4. V
UFS
2. V
P1
5. V
P
3. V
UFB
6. V
P1
7. V
VFB
8. V
VFS
9. W
P
10. V
P1
13. V
世界粮食首脑会议
16. CIN 19. ü
N
11. V
PC
14. V
N1
17. CFO 20. V
N
12. V
WFB
15. V
NC
18.佛山21. W
N
8
12.8
22. P
23. U
24. V
25. W
26. N
1999年8月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21204
模内转印式
绝缘型
图。 2内部功能框图(典型的应用实例)
CBW +
CBW-
CBV +
CBV-
CBU-
CBU +
C3 :紧公差,温度补偿型电解
(注意:该电容值取决于PWM控制
所施加的系统中使用的方案) 。
C4 : 0.22 2μF R-类陶瓷电容用于滤波。
高侧输入(PWM)的
( 5V线)注1,2 )
输入信号输入信号输入信号
coditioning coditioning coditioning
电平转换器电平转换器电平转换器
保护
电路(UV)的
自举电路
详细说明
在自举电路
施工,请
三菱接触
C4
C3
保护
电路(UV)的
保护
电路(UV)的
(注6 )
DIP -IPM
浪涌电流
限幅电路
驱动电路驱动电路驱动电路
P
AC线路输入
H-侧IGBT的
S
(注4 )
U
V
W
M
AC线路输出
C
Z
图。 3
N
1
V
NC
N
CIN
驱动电路
L-侧IGBT的
S
Z: ZNR (突波吸收器)
C:交流滤波器(陶瓷电容2.2 6.5nF )
(注:此外,适当的线到线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境中)。
输入信号调理
佛逻辑
保护
电路
控制电源
欠压
保护
F
O
首席财务官
低端输入( PWM )
( 5V线)
(注1,2)故障输出(5V线)
(注3,5)
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
为了防止输入信号振荡,推荐一个RC耦合在每个输入。 (还参见图7)
由于没有任何光耦合器或变压器集成的应用程序特定类型的HVIC模块,直接连接到CPU的终端里面
隔离是可能的。 (还参见图7)
这个输出是集电极开路型。信号线应拉至+ 5V电源的正极侧与大约一个5.1kΩ的电阻。
(还参见图7)
电源直流母线电容和P / N1端子之间的连线应尽可能短,以防止灾难性的高DIP -IPM
浪涌电压。另外需要注意的小薄膜吸收电容( 0.1 0.22μF ,高压型) ,建议安装在靠近
这些P和N1直流电源输入引脚。
FO输出脉冲宽度应通过将外部电容CFO和V之间的决定
NC
终端。 (例如: CFO =值为22nF
t
FO
=具有1.8ms ( TYP。))
高压二极管(600V以上) ,应在自举电路中使用。
V
NC
V
D
( 15V线)
图。 DIP-IPM的保护电路3外部
DIP -IPM
驱动电路
P
短路保护功能( SC ) :
短路保护是通过检测L-侧直流母线电流(通过外部取得
分流电阻)允许一个适当的过滤时间(由RC电路定义的)之后。
当感测到的分流电压超过SC触发电平时,所有的L侧IGBT导通
关和一个故障信号(FO)是输出。由于SC故障可能是重复性的,它是
建议停止系统接收到佛的信号时,并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
H-侧IGBT的
S
U
V
W
L-侧IGBT的
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
0
2
t
w
(s)
注1 :
在推荐的外部保护电路,请选择RC时间范围内恒定的1.5 为2.0μs 。
2:
为了防止错误的保护动作, A,B中,C的布线应尽可能的短。
1999年8月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21204
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CC
V
CC (浪涌)
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压(浪涌)
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃,瞬时值(脉冲)
T
C
= 25℃时,每1片
(注1 )
评级
450
500
600
15
30
43
–20~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1
:在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C( @ T
C
100℃),但是,在 -
在DIP-IPM的肯定安全运行,平均结温应限制至T
J(下AVE )
125°C ( @ T
C
100°C).
控制(保护)第
符号
V
D
V
DB
V
CIN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,
V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~+5.5
–0.5~V
D
+0.5
15
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
V
CC ( PROT )
自我保护限制电压
(短路保护功能)
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= V
DB
= 13.5 16.5V ,逆变部分
T
j
= 125 ℃,非重复,少于2
s
(注2 )
60Hz的正弦,AC 1分钟,连接
引脚散热片板
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 :T已
C
测量点
控制引脚
DIP -IPM
散热片的边界
Tc
电源引脚
1999年8月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21204
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )F
R
TH( C-F )
参数
结到外壳热
阻力
接触热阻
条件
IGBT逆变器部分(每1/6模块)
变频器FWDI部分(每1/6模块)
案例鳍, (每1个模块)
导热硅脂应用
范围
分钟。
典型值。
马克斯。
2.85
4.5
0.067
单位
° C / W
电气特性
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
条件
I
C
= 15A ,T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
CIN
= 0V
I
C
= 15A ,T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C, -I
C
= 15A ,V
CIN
= 5V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 15A ,T
j
= 125°C ,V
CIN
= 5V
0V
开关时间
感性负载(上,下臂)
注意:
t
on
, t
关闭
包括内部控制的延迟时间
电路
T
j
= 25°C
V
CE
= V
CES
T
j
= 125°C
分钟。
范围
典型值。
1.8
2.0
2.2
0.7
0.1
0.4
1.9
0.9
马克斯。
1.0
10
单位
V
V
s
集电极 - 发射极截止
当前
mA
控制(保护)第
符号
V
D
V
DB
I
D
参数
控制电源电压
控制电源电压
条件
V的应用
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
= 15V,
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
输入= OFF
V
D
= V
DB
= 15V,
V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
输入= ON
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
SC
= 0V ,女
O
电路: 10kΩ至5V的上拉
V
SC
= 1V ,女
O
电路: 10kΩ至5V的上拉
V
SC
= 1V ,我
FO
= 15毫安
T
C
100C ,T
j
125°C
涉及对应输入信号用于阻挡臂
直通。
–20°C
T
C
100°C
(注2 )
T
j
= 25 ° C,V
D
= 15°C
T
j
125°C
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
分钟。
13.5
13.5
4.9
0.8
3.0
0.45
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
0.8
2.5
0.8
2.5
范围
典型值。
15.0
15.0
4.25
0.50
4.95
0.50
1.0
1.2
5.0
0.5
1.8
1.4
3.0
1.4
3.0
马克斯。
16.5
16.5
8.50
1.00
9.70
1.00
2.0
1.8
0.55
12.0
12.5
12.5
13.0
2.0
4.0
2.0
4.0
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
V
V
千赫
s
V
V
V
V
V
ms
V
V
短路电流
V
FOH
V
FOL
V
FOsat
f
PWM
t
DEAD
V
SC ( REF)
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
FAULT输出电压
PWM输入频率
允许死区时间
短路跳闸等级
电源电路欠压
保护
故障输出脉冲宽度(注3)
对阈值电压
断阈值电压
对阈值电压
断阈值电压
C
FO
=值为22nF (连接CFO -V之间
NC
)
之间施加:
H-侧
U
P
, V
P
, W
P
-V
PC
之间施加:
L-侧
U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
注2 :
短路保护功能只在低的武器。请选择外部分流电阻的值,使得SC跳闸
平小于25.5 A.
3 :
故障信号时,低臂短路或控制电源欠压保护功能动作输出。故障输出脉冲 -
宽度T
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式:C
FO
= 12.2
!
10
-6
!
t
FO
[F].
1999年8月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21204
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
重量
安装螺丝: M4
条件
推荐12公斤·厘米
推荐1.18N ·m的
分钟。
10
0.98
范围
典型值。
54
马克斯。
15
1.47
单位
Kgcm
N·m的
g
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
V
CIN (上)
V
CIN (关闭)
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
条件
P -N之间施加
V的应用
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号
T
C
100C ,T
j
125°C
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
ü之间施加
N
, V
N
, W
N
-V
NC
分钟。
0
13.5
13.5
–1
3
范围
典型值。
300
15.0
15.0
5
0~0.65
4.0~5.5
马克斯。
400
16.5
16.5
1.0
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
V
V
图。 4 DIP-IPM的内部电路
V
世界粮食首脑会议
V
WFB
V
UFS
HVIC 1
P
V
VFB
W
N
Fo
W
N
V
N
U
N
GND
V
CC
Fo
V
CC
V
CC
COM
COM
COM
HVIC 3
HO
HO
HVIC 2
LVIC
HO
V
S
V
B
V
S
V
B
V
S
W
OUT
CIN
首席财务官
U
OUT
V
OUT
首席财务官
CIN
V
NO
V
B
V
CC
IN
IN
IN
N
W
V
U
1999年8月
DIP -IPM
V
UFB
V
VFS
V
NC
V
PC
V
N1
V
P1
V
P1
V
P1
W
P
U
N
U
P
V
N
V
P
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    -
    -
    -
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MITSUBISHI/三菱
2024
260
MOUDLE
上海原装现货,专营模块
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MITSUMI
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