三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
绝缘型
PS12012-A
集成的功能与特点
采用最新的第三配置的3相IGBT逆变桥。
代IGBT和二极管的技术。
电路电机的再生能量动态制动。
逆变器输出电流能力木卫一(注1 ) :
型号名称
PS12012-A
100 %负载
1.2A ( RMS)
过载150 %
1.8A ( RMS) , 1分钟
(注1) :该逆变器输出电流被假定为sinu-
soidal并且每个的峰值电流值
上述装载情况下的定义为: IOP =木卫一
!
√
2
集成驱动,保护和系统控制功能:
对于P侧IGBT :驱动电路,高速光电耦合器,短路保护( SC ) ,
自举电路供电方案(单驱动电源)和欠压保护( UV) 。
对于N侧IGBT :驱动电路,短路保护( SC ) ,控制电源欠压和过压保护( OV / UV )
系统过温保护( OT ) ,故障输出信号的电路( FO) ,和限流预警信号输出
把( CL ) 。
制动电路IGBT :驱动电路。
报警和故障信号:
F
O1
:对于小腿IGBT和环环相扣的输入防止误臂直通短路保护。
F
O2
:N侧控制电源异常锁定( OV / UV)
F
O3
:系统过温保护( OT ) 。
CL :警告逆变器电流过载条件
对于系统反馈控制:模拟信号反馈的再生变频器实际输出相电流( 3φ ) 。
输入接口: 5V CMOS / TTL兼容,施密特触发输入和ARM -直通联锁保护。
应用
噪音较少的功率为0.2kW / AC400V级三相变频器等电机控制应用
系统蒸发散。
包装纲要
80.5
±
1
71.5
±
0.5
0.5
0.5
4-φ4
20.4
±
1
23
码头作业:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CBU +
CBU-
CBV +
CBV-
CBW +
CBW-
GND
VDL
VDH
CL
FO1
FO2
FO3
CU
CV
CW
UP
VP
WP
UN
VN
WN
Br
31
32
33
34
35
36
P
B
N
U
V
W
1
2
±
0.3
(7.75)
6
±
0.3
56
±
0.8
2.5
83.5
±
0.5
5
92.5
±
1
78.75
0.6
76.5
±
1
2.45
±
0.3
1.2
31
(10.35)
32 33 34
10.16
±
0.3
50.8
±
0.8
35
36
4-R4
8.5
13
27
±
1
LABEL
(图1)的
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
专用智能
电源模块
保护
电路
P
制动电阻的连接,
防浪涌电路,
等等
输入电路
驱动电路
AC 400V级线路输入
R
S
T
PHOTO
耦合器
B
CBW +
CBW-
CBU +
CBU-
CBV +
CBV-
内部功能框图
U
V
W
M
Z
C
N
T
S
AC 400V级
线路输出
Z:浪涌吸收器。
C:交流滤波器(陶瓷电容器2.2 6.5nF )
[注:另外一个合适的线对线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境。
电流检测
电路
输入信号调理
U
P
V
P
W
P
U
N
V
N
W
N
B
r
驱动电路
佛逻辑
保护
电路
控制电源
错感
GND
VDL VDH
CU CW简历
CL , FO
1
, FO
2
, FO
3
故障输出
对应于模拟信号输出
PWM输入
(5V线)注3)
各相电流(5V线)注1 ) (5V线)注2)
注1 )为防止信号振荡的机会,推荐一个串联电阻( 1kΩ的)耦合,在每个输出。
注2)借助于集成的光电耦合器的模块,直接耦合到CPU内部的,而没有任何extemal光电或变压器隔离是可能的。
注3 )所有输出为集电极开路型。每根信号线应拉至+ 5V电源的正极侧与大约一个5.1kΩ的电阻。
注4 )电源直流母线电容和P / N端子之间的连线应尽可能短,以防止灾难性的高浪涌电压的ASIPM 。
另外需要注意的一个小电影缓冲电容( 0.1 0.22μF ,高压型) ,建议安装在靠近这些P和N直流电源输入引脚。
(图2)
最大额定值
( TJ = 25 ° C)
逆变部分(包括制动部分)
符号
V
CC
项
电源电压
条件
P -N之间施加
评级
900
1000
1200
1200
±5
(±10)
5 (10)
) “意味着我
C
峰值
5 (10)
单位
V
V
V
V
A
A
A
V
CC (浪涌)
电源电压(浪涌)
P -N之间,浪涌价值
V
P
或V
N
每个输出的IGBT的集电极 - 发射极静态电压的PU ,V,W ,Br或U,V ,W,溴-N之间的应用
V
P(S)
or
每个输出的IGBT的集电极 - 发射极的浪涌电压的PU ,V,W ,Br或U,V ,W,溴-N之间的应用
V
N( S)
± IC( ± ICP)
集成电路( ICP)
I
F
(I
FP
)
每路输出的IGBT集电极电流
制动IGBT集电极电流
制动二极管的阳极电流
T
C
= 25°C
注意: “ (
控制部分
符号
V
DH
, V
DB
V
DL
V
CIN
V
FO
I
FO
V
CL
I
CL
I
CO
电源电压
电源电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
限流报警输出电压
CL输出电流
模拟电流信号的输出电流
项
条件
V的应用
DH
-GND ,C
BU +
-C
BU-
,
C
BV +
-C
BV =
, C
BW +
-C
BW =
V的应用
DL
-GND
ü之间施加
P
· V
P
· W
P
· U
N
· V
N
·
W
N
· B
r
-GND
F之间施加
O1
· F
O2
· F
O3
-GND
下沉的F电流
O1
· F
O2
· F
O3
CL- GND之间施加
沉CL电流
沉CU目前· CV · CW
评级
20
7
–0.5 ~ V
DL
+0.5
–0.5 ~ 7
15
–0.5 ~ 7
15
±1
单位
V
V
V
V
mA
V
mA
mA
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
系统总
符号
T
j
T
英镑
T
C
V
ISO
—
项
结温
储存温度
模块外壳工作温度
隔离电压
安装力矩
条件
(注2 )
—
(图3)的
60Hz的正弦交流1分钟,所有终端之间
和底板。
安装螺钉: M3.5
评级
–20 ~ +125
–40 ~ +125
–20 ~ +100
2500
0.78 ~ 1.27
单位
°C
°C
°C
VRMS
N·m的
注2 ) :本项规定的最高结温为ASIPM的功率元件( IGBT /二极管),以确保安全运行。
然而,这些功率元件能够承受瞬时结温度高达150℃。要使用这个额外的
温度津贴,确切的应用条件进行详细的研究是必要的,相应地,所需的信息是
在使用之前被提供。
CASE测温点(从基面3毫米)
T
C
(图3)的
热阻
符号
R
日( JC
)
Q
R
日( JC )F
R
日( JC
)
QB
R
日( JC ) FB
R
TH( C-F )
结到外壳热
阻力
接触热阻
项
条件
逆变器的IGBT ( 1/6 )
变频器FWDI ( 1/6 )
制动IGBT
刹车FWDI
案例鳍,导热硅脂适用( 1模块)
评级
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
3.0
7.3
3.0
7.3
0.040
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
( TJ = 25 ° C,V
DH
= 15V , V
DB
= 15V, V
DL
= 5V ,除非另有说明)
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
V
CE ( SAT )溴
V
FBR
吨
TC (上)
花花公子
TC (关闭)
TRR
项
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
条件
V
DL
= 5V, V
DH
= V
DB
= 15V输入= ON ,
TJ = 25 ° C, IC = 5A
TJ = 25 ° C, IC = -5A ,输入= OFF
分钟。
—
—
—
—
0.3
—
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
—
1.2
0.5
2.2
0.9
0.2
马克斯。
3.6
3.5
3.6
3.5
2.0
1.4
4.0
1.6
—
单位
V
V
V
V
s
s
s
s
s
制动IGBT
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V输入= ON , TJ = 25°C , IC = 5A
集电极 - 发射极饱和电压
制动二极管的正向电压
TJ = 25°C ,我
F
= 5A ,输入= OFF
1/2桥电感,输入= ON
开关时间
V
CC
= 600V , IC = 5A , TJ = 125°C
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
DB
= 15V
注:吨,花花公子,包括内部控制的延迟时间
电路。
V
CC
≤
800V ,输入= ON (单次)
TJ = 125°C开始
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
=
≤
16.5V
V
CC
≤
800V , TJ
≤
125°C,
开关SOA
IC <我
OL
( CL )的操作层面上,输入= ON ,
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
=
≤
16.5V
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
CIN
= 5V
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
CIN
= 5V
FWD反向恢复时间
短路能力
(输出,ARM和负载,
短路模式)
无破坏
F
O
受保护的操作输出
无破坏
无保护操作
没有F
O
产量
—
—
—
—
0.8
1.4
3.0
150
2.5
—
150
50
2.0
4.0
—
mA
mA
V
V
k
2000年1月
I
DH
I
DL
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
R
i
V
DH
短路电流
V
DL
短路电流
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
输入上拉电阻
输入端子-V之间的集成
DH
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
电气特性
( TJ = 25 ° C,V
DH
= 15V, V
DB
= 15V, V
DL
= 5V ,除非另有说明)
符号
f
PWM
t
xx
t
DEAD
t
INT
V
CO
V
C+(200%)
V
C–(200%)
|V
CO
|
V
C+
V
C–
V
C
(200%)
r
CH
t
D(读)
I
CL (H)的
I
CL (L)的
±I
OL
SC
OT
OTR
UV
DB
UV
DBR
UV
DH
UV
DHR
OV
DH
OV
DHR
t
dv
I
FO (H)的
I
FO (L)的
项
PWM输入频率
允许输入的脉冲宽度
允许的输入信号的死区时间
阻止臂直通
输入联锁传感
与模拟信号的线性度
输出电流
条件
T
C
≤
100℃, TJ
≤
125°C
注3 )
V
DH
= 15V, V
DL
= 5V ,T
C
= –20°C ~ +100°C
涉及到相应的输入(除制动部分)
T
C
= –20°C ~ +100°C
涉及到相应的输入(除制动部分)
V
DH
= 15V
IC = 0A
IC = I
OP(200%)
IC = -I
OP(200%)
V
DL
= 5V
T
C
= –20 ~ 100°C
(Fig.4)
分钟。
2
2
4.0
—
1.87
0.77
2.97
—
(图4)的
—
4.0
—
–5
—
—
—
(注4 )
(图7)中, (注5)
3.23
5.7
100
—
10.0
10.5
11.05
11.55
18.00
16.50
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
65
2.27
1.17
3.37
15
—
—
1.1
—
3
—
1
3.90
8.0
110
90
11.0
11.5
12.00
12.50
19.20
17.50
10
—
1
马克斯。
15
500
—
100
2.57
1.47
3.67
—
0.7
—
—
5
—
1
—
4.92
11.6
120
—
12.0
12.5
12.75
13.25
20.15
18.65
—
1
—
单位
千赫
s
s
ns
V
V
V
mV
V
V
V
%
s
A
mA
A
A
°C
°C
V
V
V
V
V
V
s
A
mA
偏移量的变化范围与温度V
DH
= 15V, V
DL
= 5V ,T
C
= –20 ~ 100°C
模拟信号输出电压限制
模拟信号的整体线性
变异
模拟信号数据保持
准确性
模拟信号的阅读时间
信号输出电流
租金CL操作
空闲
活跃
IC >我
OP(200%)
, V
DH
= 15V,
V
DL
= 5V
|V
CO
-V
C±(200%)
|
对应于最大。 500μs的数据只能保存期限,
IC = I
OP(200%)
(图5)的
后输入信号的触发点
集电极开路onput
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V ,T
C
= –20 ~ 100°C
TJ = 25°C
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V
(图8)的
CL预警操作水平
短路电流跳闸水平
在tenperature
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
滤波时间
故障输出电流
空闲
活跃
电源电路
在与
过电压
保护
T
C
= –20°C ~ +100°C
Tj
≤
125°C
集电极开路输出
(注3) :(1 )允许的最小输入上的脉冲宽度:此项仅适用于P侧电路。
(二)允许最大导通脉冲输入宽度:该产品适用于P侧和N侧电路不包括制动电路。
(注4 ) : CL的输出: "current上限警告( CL )运算电路输出报警时桥臂电流超过此限制的信号。该
电路是由一个输入信号自动复位,从而,它的操作在脉冲由脉冲方案。
(注5) :该短路保护工作瞬间当一个高的短路电流流过内部的IGBT升起momen-
tarily 。该保护功能,从而意味着主要是为了防止短路分心ASIPM 。因此,此功能
不建议将其用于任何系统负载电流调节或任何过载控制,因为这可能,导致故障,由于
温度过分升高。相反,模拟电流输出功能或过载报警功能( CL )应拨款
ately用于这种电流调节或过载控制操作。换句话说,在PWM信号发送到ASIPM应关闭
下,原则上,而不是要在结温之前重新将恢复到正常,一旦故障被反馈
从它的F
O1
销的ASIPM指示短路情形的。
推荐的条件
符号
V
CC
V
DH
, V
DB
V
DL
V
DH
,
V
DB
,
V
DL
V
CIN (上)
V
CIN (关闭)
f
PWM
t
DEAD
项
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
电源电压纹波
输入电压
输入过电压
PWM输入频率
臂直通阻塞时间
P -N之间施加
V的应用
DH
-GND ,C
BU +
-C
BU-
, C
BV +
-C
BV =
,
C
BW +
-C
BW =
V的应用
DL
-GND
条件
评级
分钟。
—
13.5
4.8
–1
—
4.8
2
4.0
典型值。
600
15.0
5.0
—
—
—
10
—
马克斯。
800
16.5
5.2
+1
0.3
—
15
—
单位
V
V
V
V / μs的
V
V
千赫
s
使用应用电路
使用应用电路
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
图。 4输出电流ANALOGUE信令
线性
5
图。 5输出电流ANALOGUE信令
“DATA HOLD ”的定义
V
C
V
C
–
4
民
最大
V
C
–
(200%)
V
DH
=15V
V
DL
=5V
T
C
=
–
20
~
100C
500s
0V
3
V
C0
V
CH
(5
s)
V
CH
(505
S) -V
CH
(5
s)
V
CH
(5
s)
V
CH
(505
s)
V
C
(V)
2
V
C
+(200%)
r
CH
=
1
模拟输出信号
数据保持范围
V
C
+
0
–400 –300 –200 –100
0
100 200 300 400
注意;周围的点的振铃发生在信号输出
电压改变状态从“模拟”到“数据保持”因
测试电路装置和instrumentational麻烦。
因此,变化率的测量是在5
s
延迟一点。
实际的负载电流的峰值。 (% )(Ⅰ
c
=I
o
!
2)
图。 6输入联锁操作时序图
输入信号V
CIN (p)的
各相上臂的
输入信号V
CIN (N )
各相下臂的
0V
0V
门信号V
O( P)
各相上臂的
( ASIPM内部)
门信号V
O(N )
各相上臂的
( ASIPM内部)
错误输出F
O1
0V
0V
0V
注:输入联锁保护电路;它被当为任何上臂/下臂对中的相位的输入信号被simulta-操作
neously在“低”电平。
通过这种互锁,这发作触发相位的上下两个IGBT进行切断,和“F
O
“信号被输出。经过“输入
联锁“操作电路被锁定。在“F
O
“由任一个上腿或下腿输入的高到低的边沿复位
以先到者为准稍后。
图。 7时序图和短路保护工作
输入信号V
CIN
各相的
膀臂
短路检测信号V
S
0V
0V
S
C
延迟时间
各相的栅极信号Vo
上臂( ASIPM内部)
错误输出F
O1
0V
0V
注:短路保护动作。保护与“F工作
O
“标记和复位脉冲由脉冲方案。由保护
门关闭仅给出了检测过载(不包括IGBT的“刹车” )的IGBT 。
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
绝缘型
PS12012-A
集成的功能与特点
采用最新的第三配置的3相IGBT逆变桥。
代IGBT和二极管的技术。
电路电机的再生能量动态制动。
逆变器输出电流能力木卫一(注1 ) :
型号名称
PS12012-A
100 %负载
1.2A ( RMS)
过载150 %
1.8A ( RMS) , 1分钟
(注1) :该逆变器输出电流被假定为sinu-
soidal并且每个的峰值电流值
上述装载情况下的定义为: IOP =木卫一
!
√
2
集成驱动,保护和系统控制功能:
对于P侧IGBT :驱动电路,高速光电耦合器,短路保护( SC ) ,
自举电路供电方案(单驱动电源)和欠压保护( UV) 。
对于N侧IGBT :驱动电路,短路保护( SC ) ,控制电源欠压和过压保护( OV / UV )
系统过温保护( OT ) ,故障输出信号的电路( FO) ,和限流预警信号输出
把( CL ) 。
制动电路IGBT :驱动电路。
报警和故障信号:
F
O1
:对于小腿IGBT和环环相扣的输入防止误臂直通短路保护。
F
O2
:N侧控制电源异常锁定( OV / UV)
F
O3
:系统过温保护( OT ) 。
CL :警告逆变器电流过载条件
对于系统反馈控制:模拟信号反馈的再生变频器实际输出相电流( 3φ ) 。
输入接口: 5V CMOS / TTL兼容,施密特触发输入和ARM -直通联锁保护。
应用
噪音较少的功率为0.2kW / AC400V级三相变频器等电机控制应用
系统蒸发散。
包装纲要
80.5
±
1
71.5
±
0.5
0.5
0.5
4-φ4
20.4
±
1
23
码头作业:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CBU +
CBU-
CBV +
CBV-
CBW +
CBW-
GND
VDL
VDH
CL
FO1
FO2
FO3
CU
CV
CW
UP
VP
WP
UN
VN
WN
Br
31
32
33
34
35
36
P
B
N
U
V
W
1
2
±
0.3
(7.75)
6
±
0.3
56
±
0.8
2.5
83.5
±
0.5
5
92.5
±
1
78.75
0.6
76.5
±
1
2.45
±
0.3
1.2
31
(10.35)
32 33 34
10.16
±
0.3
50.8
±
0.8
35
36
4-R4
8.5
13
27
±
1
LABEL
(图1)的
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
专用智能
电源模块
保护
电路
P
制动电阻的连接,
防浪涌电路,
等等
输入电路
驱动电路
AC 400V级线路输入
R
S
T
PHOTO
耦合器
B
CBW +
CBW-
CBU +
CBU-
CBV +
CBV-
内部功能框图
U
V
W
M
Z
C
N
T
S
AC 400V级
线路输出
Z:浪涌吸收器。
C:交流滤波器(陶瓷电容器2.2 6.5nF )
[注:另外一个合适的线对线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境。
电流检测
电路
输入信号调理
U
P
V
P
W
P
U
N
V
N
W
N
B
r
驱动电路
佛逻辑
保护
电路
控制电源
错感
GND
VDL VDH
CU CW简历
CL , FO
1
, FO
2
, FO
3
故障输出
对应于模拟信号输出
PWM输入
(5V线)注3)
各相电流(5V线)注1 ) (5V线)注2)
注1 )为防止信号振荡的机会,推荐一个串联电阻( 1kΩ的)耦合,在每个输出。
注2)借助于集成的光电耦合器的模块,直接耦合到CPU内部的,而没有任何extemal光电或变压器隔离是可能的。
注3 )所有输出为集电极开路型。每根信号线应拉至+ 5V电源的正极侧与大约一个5.1kΩ的电阻。
注4 )电源直流母线电容和P / N端子之间的连线应尽可能短,以防止灾难性的高浪涌电压的ASIPM 。
另外需要注意的一个小电影缓冲电容( 0.1 0.22μF ,高压型) ,建议安装在靠近这些P和N直流电源输入引脚。
(图2)
最大额定值
( TJ = 25 ° C)
逆变部分(包括制动部分)
符号
V
CC
项
电源电压
条件
P -N之间施加
评级
900
1000
1200
1200
±5
(±10)
5 (10)
) “意味着我
C
峰值
5 (10)
单位
V
V
V
V
A
A
A
V
CC (浪涌)
电源电压(浪涌)
P -N之间,浪涌价值
V
P
或V
N
每个输出的IGBT的集电极 - 发射极静态电压的PU ,V,W ,Br或U,V ,W,溴-N之间的应用
V
P(S)
or
每个输出的IGBT的集电极 - 发射极的浪涌电压的PU ,V,W ,Br或U,V ,W,溴-N之间的应用
V
N( S)
± IC( ± ICP)
集成电路( ICP)
I
F
(I
FP
)
每路输出的IGBT集电极电流
制动IGBT集电极电流
制动二极管的阳极电流
T
C
= 25°C
注意: “ (
控制部分
符号
V
DH
, V
DB
V
DL
V
CIN
V
FO
I
FO
V
CL
I
CL
I
CO
电源电压
电源电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
限流报警输出电压
CL输出电流
模拟电流信号的输出电流
项
条件
V的应用
DH
-GND ,C
BU +
-C
BU-
,
C
BV +
-C
BV =
, C
BW +
-C
BW =
V的应用
DL
-GND
ü之间施加
P
· V
P
· W
P
· U
N
· V
N
·
W
N
· B
r
-GND
F之间施加
O1
· F
O2
· F
O3
-GND
下沉的F电流
O1
· F
O2
· F
O3
CL- GND之间施加
沉CL电流
沉CU目前· CV · CW
评级
20
7
–0.5 ~ V
DL
+0.5
–0.5 ~ 7
15
–0.5 ~ 7
15
±1
单位
V
V
V
V
mA
V
mA
mA
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
系统总
符号
T
j
T
英镑
T
C
V
ISO
—
项
结温
储存温度
模块外壳工作温度
隔离电压
安装力矩
条件
(注2 )
—
(图3)的
60Hz的正弦交流1分钟,所有终端之间
和底板。
安装螺钉: M3.5
评级
–20 ~ +125
–40 ~ +125
–20 ~ +100
2500
0.78 ~ 1.27
单位
°C
°C
°C
VRMS
N·m的
注2 ) :本项规定的最高结温为ASIPM的功率元件( IGBT /二极管),以确保安全运行。
然而,这些功率元件能够承受瞬时结温度高达150℃。要使用这个额外的
温度津贴,确切的应用条件进行详细的研究是必要的,相应地,所需的信息是
在使用之前被提供。
CASE测温点(从基面3毫米)
T
C
(图3)的
热阻
符号
R
日( JC
)
Q
R
日( JC )F
R
日( JC
)
QB
R
日( JC ) FB
R
TH( C-F )
结到外壳热
阻力
接触热阻
项
条件
逆变器的IGBT ( 1/6 )
变频器FWDI ( 1/6 )
制动IGBT
刹车FWDI
案例鳍,导热硅脂适用( 1模块)
评级
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
3.0
7.3
3.0
7.3
0.040
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
( TJ = 25 ° C,V
DH
= 15V , V
DB
= 15V, V
DL
= 5V ,除非另有说明)
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
V
CE ( SAT )溴
V
FBR
吨
TC (上)
花花公子
TC (关闭)
TRR
项
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
条件
V
DL
= 5V, V
DH
= V
DB
= 15V输入= ON ,
TJ = 25 ° C, IC = 5A
TJ = 25 ° C, IC = -5A ,输入= OFF
分钟。
—
—
—
—
0.3
—
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
—
1.2
0.5
2.2
0.9
0.2
马克斯。
3.6
3.5
3.6
3.5
2.0
1.4
4.0
1.6
—
单位
V
V
V
V
s
s
s
s
s
制动IGBT
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V输入= ON , TJ = 25°C , IC = 5A
集电极 - 发射极饱和电压
制动二极管的正向电压
TJ = 25°C ,我
F
= 5A ,输入= OFF
1/2桥电感,输入= ON
开关时间
V
CC
= 600V , IC = 5A , TJ = 125°C
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
DB
= 15V
注:吨,花花公子,包括内部控制的延迟时间
电路。
V
CC
≤
800V ,输入= ON (单次)
TJ = 125°C开始
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
=
≤
16.5V
V
CC
≤
800V , TJ
≤
125°C,
开关SOA
IC <我
OL
( CL )的操作层面上,输入= ON ,
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
=
≤
16.5V
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
CIN
= 5V
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V, V
CIN
= 5V
FWD反向恢复时间
短路能力
(输出,ARM和负载,
短路模式)
无破坏
F
O
受保护的操作输出
无破坏
无保护操作
没有F
O
产量
—
—
—
—
0.8
1.4
3.0
150
2.5
—
150
50
2.0
4.0
—
mA
mA
V
V
k
2000年1月
I
DH
I
DL
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
R
i
V
DH
短路电流
V
DL
短路电流
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
输入上拉电阻
输入端子-V之间的集成
DH
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
电气特性
( TJ = 25 ° C,V
DH
= 15V, V
DB
= 15V, V
DL
= 5V ,除非另有说明)
符号
f
PWM
t
xx
t
DEAD
t
INT
V
CO
V
C+(200%)
V
C–(200%)
|V
CO
|
V
C+
V
C–
V
C
(200%)
r
CH
t
D(读)
I
CL (H)的
I
CL (L)的
±I
OL
SC
OT
OTR
UV
DB
UV
DBR
UV
DH
UV
DHR
OV
DH
OV
DHR
t
dv
I
FO (H)的
I
FO (L)的
项
PWM输入频率
允许输入的脉冲宽度
允许的输入信号的死区时间
阻止臂直通
输入联锁传感
与模拟信号的线性度
输出电流
条件
T
C
≤
100℃, TJ
≤
125°C
注3 )
V
DH
= 15V, V
DL
= 5V ,T
C
= –20°C ~ +100°C
涉及到相应的输入(除制动部分)
T
C
= –20°C ~ +100°C
涉及到相应的输入(除制动部分)
V
DH
= 15V
IC = 0A
IC = I
OP(200%)
IC = -I
OP(200%)
V
DL
= 5V
T
C
= –20 ~ 100°C
(Fig.4)
分钟。
2
2
4.0
—
1.87
0.77
2.97
—
(图4)的
—
4.0
—
–5
—
—
—
(注4 )
(图7)中, (注5)
3.23
5.7
100
—
10.0
10.5
11.05
11.55
18.00
16.50
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
65
2.27
1.17
3.37
15
—
—
1.1
—
3
—
1
3.90
8.0
110
90
11.0
11.5
12.00
12.50
19.20
17.50
10
—
1
马克斯。
15
500
—
100
2.57
1.47
3.67
—
0.7
—
—
5
—
1
—
4.92
11.6
120
—
12.0
12.5
12.75
13.25
20.15
18.65
—
1
—
单位
千赫
s
s
ns
V
V
V
mV
V
V
V
%
s
A
mA
A
A
°C
°C
V
V
V
V
V
V
s
A
mA
偏移量的变化范围与温度V
DH
= 15V, V
DL
= 5V ,T
C
= –20 ~ 100°C
模拟信号输出电压限制
模拟信号的整体线性
变异
模拟信号数据保持
准确性
模拟信号的阅读时间
信号输出电流
租金CL操作
空闲
活跃
IC >我
OP(200%)
, V
DH
= 15V,
V
DL
= 5V
|V
CO
-V
C±(200%)
|
对应于最大。 500μs的数据只能保存期限,
IC = I
OP(200%)
(图5)的
后输入信号的触发点
集电极开路onput
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V ,T
C
= –20 ~ 100°C
TJ = 25°C
V
DL
= 5V, V
DH
= 15V
(图8)的
CL预警操作水平
短路电流跳闸水平
在tenperature
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
滤波时间
故障输出电流
空闲
活跃
电源电路
在与
过电压
保护
T
C
= –20°C ~ +100°C
Tj
≤
125°C
集电极开路输出
(注3) :(1 )允许的最小输入上的脉冲宽度:此项仅适用于P侧电路。
(二)允许最大导通脉冲输入宽度:该产品适用于P侧和N侧电路不包括制动电路。
(注4 ) : CL的输出: "current上限警告( CL )运算电路输出报警时桥臂电流超过此限制的信号。该
电路是由一个输入信号自动复位,从而,它的操作在脉冲由脉冲方案。
(注5) :该短路保护工作瞬间当一个高的短路电流流过内部的IGBT升起momen-
tarily 。该保护功能,从而意味着主要是为了防止短路分心ASIPM 。因此,此功能
不建议将其用于任何系统负载电流调节或任何过载控制,因为这可能,导致故障,由于
温度过分升高。相反,模拟电流输出功能或过载报警功能( CL )应拨款
ately用于这种电流调节或过载控制操作。换句话说,在PWM信号发送到ASIPM应关闭
下,原则上,而不是要在结温之前重新将恢复到正常,一旦故障被反馈
从它的F
O1
销的ASIPM指示短路情形的。
推荐的条件
符号
V
CC
V
DH
, V
DB
V
DL
V
DH
,
V
DB
,
V
DL
V
CIN (上)
V
CIN (关闭)
f
PWM
t
DEAD
项
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
电源电压纹波
输入电压
输入过电压
PWM输入频率
臂直通阻塞时间
P -N之间施加
V的应用
DH
-GND ,C
BU +
-C
BU-
, C
BV +
-C
BV =
,
C
BW +
-C
BW =
V的应用
DL
-GND
条件
评级
分钟。
—
13.5
4.8
–1
—
4.8
2
4.0
典型值。
600
15.0
5.0
—
—
—
10
—
马克斯。
800
16.5
5.2
+1
0.3
—
15
—
单位
V
V
V
V / μs的
V
V
千赫
s
使用应用电路
使用应用电路
2000年1月
三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
PS12012-A
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
图。 4输出电流ANALOGUE信令
线性
5
图。 5输出电流ANALOGUE信令
“DATA HOLD ”的定义
V
C
V
C
–
4
民
最大
V
C
–
(200%)
V
DH
=15V
V
DL
=5V
T
C
=
–
20
~
100C
500s
0V
3
V
C0
V
CH
(5
s)
V
CH
(505
S) -V
CH
(5
s)
V
CH
(5
s)
V
CH
(505
s)
V
C
(V)
2
V
C
+(200%)
r
CH
=
1
模拟输出信号
数据保持范围
V
C
+
0
–400 –300 –200 –100
0
100 200 300 400
注意;周围的点的振铃发生在信号输出
电压改变状态从“模拟”到“数据保持”因
测试电路装置和instrumentational麻烦。
因此,变化率的测量是在5
s
延迟一点。
实际的负载电流的峰值。 (% )(Ⅰ
c
=I
o
!
2)
图。 6输入联锁操作时序图
输入信号V
CIN (p)的
各相上臂的
输入信号V
CIN (N )
各相下臂的
0V
0V
门信号V
O( P)
各相上臂的
( ASIPM内部)
门信号V
O(N )
各相上臂的
( ASIPM内部)
错误输出F
O1
0V
0V
0V
注:输入联锁保护电路;它被当为任何上臂/下臂对中的相位的输入信号被simulta-操作
neously在“低”电平。
通过这种互锁,这发作触发相位的上下两个IGBT进行切断,和“F
O
“信号被输出。经过“输入
联锁“操作电路被锁定。在“F
O
“由任一个上腿或下腿输入的高到低的边沿复位
以先到者为准稍后。
图。 7时序图和短路保护工作
输入信号V
CIN
各相的
膀臂
短路检测信号V
S
0V
0V
S
C
延迟时间
各相的栅极信号Vo
上臂( ASIPM内部)
错误输出F
O1
0V
0V
注:短路保护动作。保护与“F工作
O
“标记和复位脉冲由脉冲方案。由保护
门关闭仅给出了检测过载(不包括IGBT的“刹车” )的IGBT 。
2000年1月