分立半导体
数据表
fpage
M3D121
PRLL5817 ; PRLL5818 ; PRLL5819
肖特基势垒二极管
产品speci fi cation
取代1996年的5月03日的数据
1999年04月22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
特点
低开关损耗
快速恢复时间
保护环
密封玻璃SMD
封装。
应用
低功耗，开关模式电源
耗材
整顿
极性保护。
描述
该PRLL5817到PRLL5819类型
是肖特基势垒二极管制造
在平面技术，并
封装在密封SOD87
密封的玻璃封装SMD
结合Implotec
TM(1)
技术。
（1） Implotec是飞利浦公司的商标。
PRLL5817 ; PRLL5818 ; PRLL5819
手册， halfpage
k
a
MAM190
Fig.1简化外形（ SOD87 ）和符号。
记号
类型编号
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
9
9
9
标识代码
1999年04月22
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
PRLL5817 ; PRLL5818 ; PRLL5819
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
R
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
V
RSM
非重复性峰值反向电压
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
V
RRM
反向重复峰值电压
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
V
RWM
峰值反向工作电压
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
j
平均正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
T
AMB
= 60
°C
T = 10 ms半正弦波;
T
j
= T
j max的情况
V ：暴涨前
R
= 0
65
20
30
40
1
25
+175
125
V
V
V
A
A
°C
°C
20
30
40
V
V
V
24
36
48
V
V
V
参数
连续反向电压
20
30
40
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
PRLL5817
见图2
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
V
F
正向电压
PRLL5818
见图2
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
V
F
正向电压
PRLL5819
见图2
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
I
R
C
d
反向电流
二极管电容
PRLL5817
PRLL5818
PRLL5819
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD87标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
V
R
= V
RRMmax
;注1
PRLL5817 ; PRLL5818 ; PRLL5819
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
320
450
750
330
550
875
340
600
900
1
10
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
pF
pF
0.5
5
70
50
50
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 100
°C
V
R
= 4 V ; F = 1 MHz的
条件
注1
价值
150
单位
K / W
1999年04月22
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
图形数据
PRLL5817 ; PRLL5818 ; PRLL5819
手册， halfpage
5
MBE634
IF
(A)
4
TJ = 125摄氏度
25℃
3
2
1
0
0
0.5
VF （ V）
1
图2典型正向电压。
1
a=3
PF （ AV ）
(W)
2.5
2
1.57
1.42
1
MBE642
0.5
0
0
0.5
1
1.5
IF （ AV ） （A ）
2
Fig.3
PRLL817 。最大值稳态正向功率耗散平均正向的函数
电流;一个=我
F（ RMS ）
/I
F（ AV） 。
5
1999年04月22
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