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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第188页 > PRHMB100B12A
IGBT
模块
菜刀400A 1200V
电路
外形绘图
PRHMB400B12
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
大约重量: 450克
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PRHMB400B12
1200
+/ - 20
400
800
1900
-40到+150
-40到+125
2500
3
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=400A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=400mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 1.5欧姆
R
G
= 1.0欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
33000
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
8.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.10
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
400
800
单位
A
典型值。
1.9
0.20
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=400A,V
GE
=0V
I
F
=400A,V
GE
=-10V,di/dt=800A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.30
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.065
0.12
PRHMB400B12
Fig.1-输出特性
(典型值)
800
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=200A
800A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
400A
集电极电流I
C
(A)
600
9V
400
8V
200
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=200A
800A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=1.5Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
500
1000
1500
2000
2500
200V
4
2
0
3000
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
100000
50000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.2
资本投资者入境计划
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
1
开关时间t
(μs)
20000
t
关闭
0.8
V
CC
=600V
R
G
= 1Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
电容C
(PF )
10000
卓越中心
5000
t
f
0.6
2000
1000
500
0.4
CRES
0.2
200
t
ON
t
r
0
100
200
300
400
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PRHMB400B12
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
(典型值)
800
V
CC
=600V
I
C
=400A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
700
T
C
=125℃
花花公子
tr
开关时间t
(μs)
2
1
正向电流I
F
(A)
600
500
400
300
200
100
0
tf
0.5
0.2
0.1
0.05
0.5
1
2
5
10
20
50
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
1000
5000
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
2000
1000
500
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=400A
T
C
=25℃
500
R
G
=1Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
300
200
TRR
200
100
50
20
10
100
50
I
RRM
2
1
0.5
0.2
20
10
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
2x10
-4
10
-5
时间T
(s)
IGBT
模块
电路
断路器
100A 1200V
外形绘图
PRHMB100B12A
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
大约重量: 220克
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PRHMB100B12A
1200
+/ - 20
100
200
500
-40到+150
-40到+125
2500
3
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=100A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=100mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 6欧姆
R
G
= 10欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
8300
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
2.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.10
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
100
200
单位
A
典型值。
1.9
0.2
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=100A,V
GE
=0V
I
F
=100A,V
GE
=-10V,di/dt=200A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.24
0.42
PRHMB100B12A
Fig.1-输出特性
(典型值)
200
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=50A
200A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
100A
集电极电流I
C
(A)
150
9V
100
8V
50
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
T
C
=125℃
800
700
600
500
400
16
I
C
=50A
200A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100A
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=6Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
150
300
450
600
750
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
50000
20000
10000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.6
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
1.4
1.2
V
CC
=600V
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
5000
2000
1000
500
200
1
0.8
0.6
0.4
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
100
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.2
0
t
ON
t
r
0
25
50
75
100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PRHMB100B12A
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
(典型值)
200
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
花花公子
tr
2
1
tf
0.5
正向电流I
F
(A)
200
150
开关时间t
(μs)
100
0.2
0.1
0.05
50
5
10
20
50
100
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=100A
T
C
=25℃
TRR
200
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
50
集电极电流I
C
(A)
200
300
400
500
600
100
50
20
10
5
2
1
0.5
20
10
5
I
RRM
2
1
0
100
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
1次脉冲
2x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间T
(s)
IGBT
M½½½½½
C½½½½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
100 A,1200V
PRHMB100B12A
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
12
94
80
± 0 .2 5
11 12 11
2
12
3
7
6
2- 5.5
4
12
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
1
3-M5
23
23
17
16
7
16
7
16
4系卡
#110 t= 0.5
8
30
+1 .0
- 0 .5
LABEL
6
23
35
Dimension:[mm½
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GE
CP
½
½½½
ISO
½½½
R½½½½ V½½½½
1,200
±20
100
200
500
-40½+150
-40½+125
2,500
2(20.4)
U½½½
(RMS)
N½
(kgf½cm)
I½½½
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
CE
= 1200V,V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 100A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 100毫安
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
CC
= 600V
L
= 6Ω
G
= 10Ω
GE
= ±15V
M½½.
4.0
T½½.
1.9
8,300
0.25
0.40
0.25
0.80
M½½.
2.0
1.0
2.4
8.0
0.45
0.70
0.35
1.10
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
スイッチング時間
开关时间
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
正向电流
C½½½½½½½½½½½½½
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
□ 熱 的
特 性
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R½½½½ V½½½½
100
200
T½½½ C½½½½½½½½
= 100A,V
GE
= 0V
= 100A,V
GE
= -10V
½i/½t= 200A/μs
M½½.
T½½.
1.9
0.2
M½½.
2.4
0.3
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
THERMAL CHARACTERISTICS
S½½½½½
RTH (J -C )
T½½½ C½½½½½½½½
结到外壳
M½½.
T½½.
M½½.
0.24
0.42
U½½½
℃/W
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
热阻抗
二极管
日本インター株式会社
PRHMB100B12A
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
V
GE
=20V
15V
12V
10V
16
Fig.1-输出特性
(典型值)
200
T
C
=25℃
I
C
=50A
200A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
100A
集电极电流I
C
(A)
150
9V
100
8V
50
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
T
C
=125℃
800
700
600
500
400
16
I
C
=50A
200A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100A
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=6Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
150
300
450
600
750
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
50000
20000
10000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.6
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
1.4
1.2
V
CC
=600V
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
5000
2000
1000
500
200
1
0.8
0.6
0.4
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
100
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.2
0
t
ON
t
r
0
25
50
75
100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
日本インター株式会社
PRHMB100B12A
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
(典型值)
200
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
花花公子
tr
2
1
tf
0.5
正向电流I
F
(A)
200
150
开关时间t
(μs)
100
0.2
0.1
0.05
50
5
10
20
50
100
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=100A
T
C
=25℃
TRR
200
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
50
集电极电流I
C
(A)
100
50
20
10
5
2
1
0.5
20
10
5
I
RRM
2
1
0
100
200
300
400
500
600
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
1次脉冲
2x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间T
(s)
日本インター株式会社
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