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polyfet射频器件
PRF134
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"
TM
工艺特点
金色的金属，可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强broadbad
性能
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
5.0瓦单端
包装样式AA
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T
C
= 25 C )
总
设备
耗散
20瓦
结到
热病例
阻力
o
10.00 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
30V
0.8 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
11
45
典型值
5.0瓦的输出）
最大
单位
dB
%
20:1
测试条件
IDQ = 0.20 A， VDS =
28.0
V，F =
IDQ = 0.20 A， VDS =
28.0
V，F =
400
兆赫
400
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 0.20 ， VDS =
28.0
V，F =
400
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
0.2
3.50
1.20
9.0
1.0
6.0
民
65
0.2
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 0.01 A， VGS = 0V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.02 ，V GS = VDS
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 1.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订1997年8月1日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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